• Clinical and Experimental Reproductive Medicine
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• 제27권3호
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• pp.245-251
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• 2000

Objective: To investigate the distribution of BCL-2, BAX proteins and DNA fragmented cells in the normal human endometrium during at each menstrual cycle in order to find out whether apoptosis regulates cyclic endometrial change. Methods: Normal endometrial tissues were obtained from 40 patients, $32{\sim}45$ year of age, all with regular menstrual cycle, who were undergoing abdominal hysterectomy for myoma of uterus or cervical intraepithelial neoplasia for the period from 1992 through 1997. Immunohistochemical staining was used to determine the expression of BCL-2 and BAX protein with paraffin-embedded tissues. Results: BCL-2 was expressed on the glandular epithelial cells and stromal cells during the proliferative phase. The intensity of BCL-2 was increased predominantly on the basal layer than the functional layer in late proliferative phase. However, BCL-2 immunoreactivity was decreased in the secretory phase. BAX was expressed predominantly during the secretory phase. The intesity was increased in late secretory phase rather than early secretory phase. DNA fragmented cells were detected in a few cells at each phase. However, it was increased during the late secretory phase. Conclusion: Apoptosis-related genes, BCL-2 and BAX, may play a role in the regulation of cyclic endometrial change.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.175-175
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• 2010

The etching characteristics with etch rate of ITO thin films in an $O_2/BCl_3$/Ar plasma were investigated. The etch rate of ITO thin films increased with increasing $O_2$ content from 0 to 10 % in $BCl_3$/Ar plasma, whereas that of ITO decreased with increasing $O_2$ content from 10 % to 30 % in $BCl_3$/Ar plasma. The maximum etch rate of 65.9 nm/min for the ITO thin films was obtained at 10 % $O_2$ addition. The etch conditions were the RF power of 500 W, bias power of 200 W, and process pressure of 2 Pa. The analysis of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was carried out to investigate the chemical reactions between the surfaces of ITO thin films and etch species.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제61권4호
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• pp.366-373
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• 2006

연구배경 : Paraquat는 P-450 reductase에 의해 반응성 산소유리기(ROS)를 발생시켜 세포막, 단백질, 핵산 등과 반응함으로써 세포손상을 유도하며 급성 폐 손상을 일으킨다. 최근 급성 폐 손상 및 급성 호흡곤란 증후군에 있어서 폐상피세포의 아포프토시스가 중요한 역할을 한다고 알려지기 시작하였다. 이에 반응성 산소유리기에 의한 폐 손상의 대표적 물질인 paraquat로 인한 폐상피세포의 세포죽음이 아포프토시스인지 확인하고 dexamethasone, N-acetylcysteine, 그리고 bcl-2가 paraquat로 인한 폐상피 세포죽음에 어떠한 영향을 미치는지 등을 연구하였다. 방법 : 폐상피세포주인 A549와 BEAS-2B 세포주, 그리고 bcl-2 construct를 유전자 주입한 A549 pcDNA3-bcl-2 세포주를 이용하였다. 아포프토시스는 Annexin V assay를 이용하여서 판정하였으며 세포독성 검사는 MTT assay를 이용하였다. Paraquat는 0, $1{\mu}M$, $10{\mu}M$, $100{\mu}$M, 1 mM, 10 mM의 농도로 사용하였다. Dexamethasone은 $1{\mu}M$의 농도로 paraquat 투여 12시간 전에 전처치하였고, N-acetylcysteine은 1 mM의 농도로 paraquat 투여 1시간 전에 전처치하였다. 결과 : 양 세포주 모두에서 paraquat는 농도와 시간 경과에 따라서 세포죽음을 증가시켰고, 이러한 세포죽음은 아포프토시스였다. N-acetylcysteine과 dexamethasone은 시간과 농도에 따라 약간의 차이가 있으나 전반적으로 10~30%의 방어효과가 있었다. Bcl-2를 과발현시킨 A549-bcl-2 세포주에서 A549-neo 세포주에 비해 paraquat에 의한 세포독성이 약 20~30% 정도 차단되었다. 결론 : Paraquat는 폐상피세포에서 아포프토시스를 유도하며, paraquat에 의한 아포프토시스는 마이토콘드리아 경로에 의해 일어날 것으로 추정된다.

• 한국표면공학회지
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• 제32권3호
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• pp.416-422
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• 1999

The characteristics of inductively coupled Cl$_2$/BCl$_3$ plasmas during the GaN etching were studied using plasma mass spectrometry by measuring the relative amounts of reactive ions, neutrals, and etch products. GaN etch rates increased with the increase of pressure and showed a maximum near 25mTorr for the pure $Cl_2$ and near 30mTorr for $Cl_2$$BCl_3$. The addition of$ BCl_3$ to $Cl_2$ also was increased GaN etch rates until 50%BCl$_3$ was mixed to $Cl_2$. The GaN etching with pure $Cl Cl_2$ appears to be related to the combination of Cl$_2^{+}$ ion bombardment and the chemical reaction of Cl radicals. In the case of the GaN etching with Cl$_2$/BCl$_3$, in addition to the combined effect of$_2^{ +}$ ions and Cl radicals, $_BCl2^{+ }$ ions appear to be responsible for some of GaN etching even though they do not have significant effect on the GaN etching compared to $Cl_2^{+}$ and Cl. $Ga^{+ }$ , $GaCl^{+}$ , $GaCl_2^{+}$ , and $N_2^{+}$ were observed as the positive ions of etch products, and the intensities of these etch products showed the same trends as those of GaN etch rate. Among the etch products, Ga and $N_2$ appear to be the main etch products.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.62-62
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• 2003

고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma) 식각은 GaAs 이종접합 양극성 트랜지스터(HBTs)와 고속전자 이동도 트랜지스터(HEMTs)와 같은 GaAs 기반 반도체의 정교한 패턴을 형성하는데 더욱 많이 이용되고 있다 본 연구는 고밀도 플라즈마 소스(source)인 평판형(planar) 고밀도 유도결합 플라즈마 식각장치를 이용하여 $BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 가스에 따른 GaAs 식각결과를 비교 분석하였다. 공정변수는 ICP 소스 파워를 0-500W, RIE 척(chuck) 파워를 0-150W, 공정압력을 0-15 mTorr 이었다. 그리고 가스 유량은 20sccm(standard cubic centimeter per minute)으로 고정시킨 상태에서 Ar 첨가 비율에 따른 GaAs의 식각결과를 관찰하였다. 공정 결과는 식각률(etch rate), GaAs 대 PR의 선택도(selectivity), 표면 거칠기(roughness)와 식각후 표면에 남아 있는 잔류 가스등을 분석하였다. 20 $BCl_3$ 플라즈마를 이용한 GaAs 식각률 보다 Ar이 첨가된 (20-x) $BC1_3/x Ar$ 플라즈마의 식각률이 더 우수하다는 것을 알 수 있었다. 식각률 증가는 Ar 가스의 첨가로 인한 GaAs 반도체와 Ar 플라즈마의 충돌로 나타난 결과로 예측된다. $BCl_3$ 와 $BC1_3/Ar$ 플라즈마에 노출된 GaAs 반도체 모두 표면이 평탄하였고 수직 측벽도 또한 우수하였다. 그리고 표면에 잔류하는 성분은 Ga와 As 이외에 $Cl_2$ 계열의 불순물이 거의 발견되지 않아 매우 깨끗함을 확인하였다. 이번 발표에서는 $BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaAs의 건식식각 비교에 대해 상세하게 보고 할 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.261-261
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• 2011

펄스 직류 전원 $BCl_3/SF_6$ 플라즈마를 이용하여 GaAs/$Al_{0.2}Ga_{0.8}As$의 선택적 식각을 연구하였다. 식각 주요 공정 변수는 $BCl_3/SF_6$ 플라즈마에서 $SF_6$ 가스 유량(0~50%)이었다. $BCl_3/SF_6$의 총 가스 유량은 20 sccm이었다. 다른 공정 조건인 공정 압력(100 mTorr), 펄스 파워(500 V), 펄스 주파수(200 kHz), 리버스 시간 (0.7 ${\mu}s$)은 일정하게 고정시켰으며 기계적 펌프만을 이용하여 공정을 진행하였다. 오실로스코프(Oscilloscope) 데이터에 의하면 가스의 조성 변화에도 척에 걸리는 입력 전압과 전류가 거의 변화가 없었다. $BCl_3/SF_6$ 가스가 10%의 조성에서 GaAs와 $Al_{0.2}Ga_{0.8}As$의 식각 선택비가 약 48 : 1로 우수한 결과를 나타내었다. 그러나 $BCl_3/SF_6$ 가스의 증가는 GaAs의 식각율과 선택도를 감소시켰다. 그리고 $SF_6$ 가스의 조성비가 30% 이상일 경우에는 GaAs와 $Al_{0.2}Ga_{0.8}As$가 식각되지 않았다. 식각 후에 GaAs의 표면 거칠기(RMS surface roughness)는 0.7~1.3 nm로 나타났다. 위의 결과들을 종합적으로 보면 펄스 직류 전원 $BCl_3/SF_6$의 조성비가 10%일 때 가장 좋은 식각 선택비를 얻을 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.41-42
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• 2008

본 논문에서는 As-doped ZnO 박막의 플라즈마 식각 특성 및 메커니즘에 관하여 실험을 수행 하였다. As-doped ZnO 박막 식각 실험은 유도 결합 플라즈마 식각 장비(inductively coupled plasma;ICP)와 $BCl_3$/Ar 플라즈마에 첨가된 $Cl_2$가스의 비, RF 전력, DC bias voltage, 공정 압력에 대한 식각 속도의 변화를 관찰 하였다. $BCl_3$/Ar 플라즈마에 $Cl_2$ 가스 첨가량 6 sccm 까지는 증가하지만 그 이후 $Cl_2$ 가스의 첨가량이 증가할 때 식각속도가 감소하였다. 이는 플라즈마 내에서 Cl 라디칼의 밀도가 증가함에 따라서 $Ar^+$의 에너지가 감소와 비휘발성 식각 부산물의 증가에 의하여 효과적인 물리적 식각이 이루어 지지 못한 것으로 판단된다. OES를 이용하여 플라즈마 내에서 라디칼들의 빛의 세기를 측정하였고, 식각 후 As-type ZnO 박막 표면에서의 화학적 결합을 보기위해 XPS 분석을 실행하였다.

• Advances in pediatric surgery
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• 제19권2호
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• pp.122-129
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• 2013

Immature ganglion cell (IGC) is known for its relationship with intestinal motility and its impact on postoperative functional outcomes of Hirschsprung's disease (HD). There are few studies on the relationship between intestinal dysmotility and IGC in HD patients. 67 patients pathologically diagnosed with HD and who received definitive operation in Seoul National University Children's Hospital from 2010 to 2011 were included. 10 patients were excluded due to inadequate immunohistochemical staining results. The proximal end of resected ganglionic segment was evaluated with immunohistochemistry examination with MAP-2, a marker of ganglionic cells and bcl-2, a marker of IGCs The median age at operation was 155 (15-4678) day-old. 55 (96.5%) patients positive for bcl-2, were regarded as having IGC, and 2 (3.5%) patients positive for MAP-2 but negative for bcl-2, were regarded as having only mature ganglion cells. In the bcl-2 positive group, there were 7 patients (12.7%) with constipation, 15 patients (27.3%) with soiling, 3 patients (5.5%) with perianal excoriation and 6 patients (10.9%) with medication use. In bcl-2 negative group, intestinal dysmotility was not seen. There was no statistical significance in the two groups. Considering that HD is diagnosed at a young age, the rate of IGC present is very high and it might be inappropriate to relate IGC to functional outcome at young ages.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.75-79
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• 2003

We studied InP etch results in high density planar inductively coupled $BCl_3$ and $BCl_3$/Ar plasmas. The investigated process parameters were ICP source power, RIE chuck power, chamber pressure and $BCl_3$/Ar gas composition. It was found that increase of ICP source power and RIE chuck power raised etch rate of InP, while that of chamber pressure decreased etch rate. Etched InP surface was clean and smooth (RMS roughness < 2 nm) with a moderate etch rate ($300\;{\sim}\;500\;{\AA}/min$) after the planar $BCl_3/Ar$ ICP etching. It may make it possible to open a new regime of InP etching with $CH_4/H_2$ - free plasma chemistry. Some amount of Ar addition (< 50%) also improved etch rates of InP, while too much Ar addition reduced etch rates of InP.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• 제14권8호
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• pp.4599-4602
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• 2013

We intended to study the mechanism of the inhibitory action of curcumin on human non-small cell lung cancer A549 cell. The cell growth was determined by CCK-8 assay, and the results indicated that curcumin inhibited the cell proliferation in a concentration dependent manner. And to further confirm the relative anti-cancer mechanism of curcumin, RT-PCR was carried out to analysis the expression of relative apoptotic proteins Bax, Bcl-2. We found that curcumin could up-regulate the expression of Bax but down-regulate the expression of Bcl-2 in A549 cells. In addition, curcumin affect the mitochondrial apoptosis pathway. These results suggested that curcumin inhibited cancer cell growth through the regulation of Bcl-2/Bax and affect the mitochondrial apoptosis pathway.