• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권3호
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• pp.9-14
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• 2006

본 논문에서는 NBTI 특성 개선을 위한 새로운 BEOL 공정을 제안하였다. 우선 BEOL의 마지막 공정인 수소 금속소결 열처리 공정, 보호막 공정 등이 NBTI에 많은 영향을 끼침을 분석하였다 이를 바탕으로 수소 금속소결 대신 질소 금속소결 공정을 적용하고 보호막 층, 특히 PE-SiN 증착 전에 질소 금속소결공정을 실시하여 NBTI 수명시간을 개선하였다. 제안한 방법을 적용하여도 소자 특성이나 NMOS의 HC 특성이 열화 되지 않음을 분석하여 실제 소자에 적용될 수 있음을 증명하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.93-94
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• 2005

Cu metallization using electrochemical plating(ECP) has played an important role in back end of line(BEOL) interconnect formation. In this work, we studied the optimized copper thickness using Bottom-up Gap-fill in Cu ECP, which is closely related with the pattern dependencies in Cu ECP and Cu dual damascene process at 0.13 ${\mu}m$ technology node. In order to select an optimized Cu ECP thickness, we examined Cu ECP bulge, Cu CMP dishing and electrical properties of via hole and line trench over dual damascene patterned wafers split into different ECP Cu thickness.

• 융합보안논문지
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• 제15권7호
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• pp.103-110
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• 2015

IoT (Internet of Things) 환경에서 센서노드들과 주고받는 데이터에 대한 보안의 중요성이 높아지고 있다. IoT에 기본이 되는 IEEE 802.15.4에서는 센서노드와 PAN Coordinator 또는 센서노드와 센서노드간의 안전한 통신을 위한 키가 사전에 공유되어 있음을 가정하고 있다. 특히, 네트워크 가입 과정에서 센서노드에 대한 개별 인증이 고려되지 않는 문제점이 존재한다. 본 논문에서는 모든 디바이스에게 사전 공유된 키가 있음을 가정한 기존 연구들의 문제점을 해결한 안전한 가입 프로토콜을 제안한다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권5호
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• pp.466-472
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• 2007

웨이퍼 레벨(WL) 3차원(3D) 집적을 구현하기 위해 저유전체 고분자를 본딩 접착제로 이용한 웨이퍼 본딩과, 적층된 웨이퍼간 전기배선 형성을 위해 구리 다마신(damascene) 공정을 사용하는 방법을 소개한다. 이러한 방법을 이용하여 웨이퍼 레벨 3차원 칩의 특성 평가를 위해 적층된 웨이퍼간 3차원 비아(via) 고리 구조를 제작하고, 그 구조의 기계적, 전기적 특성을 연속적으로 연결된 서로 다른 크기의 비아를 통해 평가하였다. 또한, 웨이퍼간 적층을 위해 필수적인 저유전체 고분자 수지를 이용한 웨이퍼 본딩 공정의 다음과 같은 특성 평가를 수행하였다. (1) 광학 검사에 의한 본딩된 영역의 정도 평가, (2) 면도날(razor blade) 시험에 의한 본딩된 웨이퍼들의 정성적인 본딩 결합력 평가, (3) 4-점 굽힘시험(four point bending test)에 의한 본딩된 웨이퍼들의 정량적인 본딩 결합력 평가. 본 연구를 위해 4가지의 서로 다른 저유전체 고분자인 benzocyclobutene(BCB), Flare, methylsilsesquioxane(MSSQ) 그리고 parylene-N을 선정하여 웨이퍼 본딩용 수지에 대한 적합성을 검토하였고, 상기 평가 과정을 거쳐 BCB와 Flare를 1차적인 본딩용 수지로 선정하였다. 한편 BCB와 Flare를 비교해 본 결과, Flare를 이용하여 본딩된 웨이퍼들이 BCB를 이용하여 본딩된 웨이퍼보다 더 높은 본딩 결합력을 보여주지만, BCB를 이용해 본딩된 웨이퍼들은 여전히 칩 back-end-of-the-line (BEOL) 공정조건에 부합되는 본딩 결합력을 가지는 동시에 동공이 거의 없는 100%에 가까운 본딩 영역을 재현성있게 보여주기 때문에 본 연구에서는 BCB가 본딩용 수지로 더 적합하다고 판단하였다.