The polymer-ceramic hybrid, known as 'ceramer', was synthesized by a sol-gel process by incorporating different amount of alkoxide as source of silicon in resorcinol-formaldehyde in presence of basic catalyst to get different percentage of silicon in ultimate carbonized composites. FTIR of the ceramer confirms that it is a network of Si-O-Si, Si-O-$CH_2$ and Si-OH type groups linked with benzene ring. Different amount of silicon in the ceramer exhibits varying temperature of thermal stability and lower coefficient of thermal expansion as compared to pure resorcinol-formaldehyde resin. The lower value of CTE in ceramer is due to existence of silica and resorcinol -formaldehyde in co-continuous phase. Unidirectional composites prepared with ceramer matrix and high-strength carbon fibers show lower value of flexural strength at polymer stage as compared to those prepared with resorcinol-formaldehyde resin. However, after heat treatment to $1450^{\circ}C$, the ceramer matrix composites show large improvement in the mechanical properties, i.e. with 7% silicon in the ceramer, the flexural strength is enhanced by 100% and flexural modulus value by 40% as compared to that of pure resorcinol-formaldehyde resin matrix composites.
In this study, PZT thin films were fabricated using sol-gel Processing onto $Si/SiO_2/Ti/Pt$ substrates. PZT sol with different Zr/Ti ratio(20/80, 30/70, 40/60, 52/48) were prepared, respectively. The films were fabricated by using the spin-coating method on substrates. The films were heat treated at $450^{\circ}C$, $650^{\circ}C$ by rapid thermal annealing(RTA). The preferred orientation of the PZT thin films were observed by X-ray diffraction(XRD), and Scanning electron microscopy(SEM). All of the resulting PZT thin films were crystallized with perovskite phase. The fine crystallinity of the films were fabricated. Also, we found that the ferroelectric properties from the dielectric constant of the PZT thin films were over 600 degrees, P-E hysteresis constant. And the leakage current densities of films were lower than $10^{-8}\;A/cm^2$. It is concluded that the PZT thin films by sol-gel process to be convinced of application for ferroelectric memory device.
Ding, Dayong;Li, Changfeng;Zhao, Tiancheng;Li, Dandan;Yang, Lei;Zhang, Bin
Molecules and Cells
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v.41
no.5
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pp.423-435
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2018
This investigation was aimed at working out the combined role of lncRNA H19, miR-29b and Wnt signaling in the development of colorectal cancer (CRC). In the aggregate, 185 CRC tissues and corresponding para-carcinoma tissues were gathered. The human CRC cell lines (i.e. HT29, HCT116, SW480 and SW620) and normal colorectal mucosa cell line (NCM460) were also purchased. Si-H19, si-NC, miR-29b-3p mimics, miR-29b-3p inhibitor, si-PGRN and negative control (NC) were, respectively, transfected into the CRC cells. Luciferase reporter plasmids were prepared to evaluate the transduction activity of $Wnt/{\beta}-catenin$ signaling pathway, and dual-luciferase reporter gene assay was arranged to confirm the targeted relationship between H19 and miR-29b-3p, as well as between miR-29b-3p and PGRN. Finally, the proliferative and invasive capacities of CRC cells were appraised through transwell, MTT and scratch assays. As a result, overexpressed H19 and down-expressed miR-29b-3p displayed close associations with the CRC patients' poor prognosis (P < 0.05). Besides, transfection with si-H19, miR-29b-3p mimic or si-PGRN were correlated with elevated E-cadherin expression, decreased snail and vimentin expressions, as well as less-motivated cell proliferation and cell metastasis (P < 0.05). Moreover, H19 was verified to directly target miR-29b-3p based on the luciferase reporter gene assay (P < 0.05), and miR-29b-3p also bound to PGRN in a direct manner (P < 0.05). Finally, addition of LiCl ($Wnt/{\beta}-catenin$ pathway activator) or XAV93920 ($Wnt/{\beta}-catenin$ pathway inhibitor) would cause remarkably altered E-cadherin, c-Myc, vimentin and snail expressions, as well as significantly changed transcriptional activity of ${\beta}-catenin/Tcf$ reporter plasmid (P < 0.05). In conclusion, the lncRNA H19/miR-29b-3p/PGRN/Wnt axis counted a great deal for seeking appropriate diagnostic biomarkers and treatment targets for CRC.
Kim, Sung-Chul;Yoon, Ki-Chan;Kyung, Do-Hyun;Lee, Young-Seok;Kwon, Tae-Young;Jung, Woo-Won;Yi, Jun-Sin
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.456-456
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2009
Boron doping on an n-type Si wafer is requisite process for IBC (Interdigitated Back Contact) solar cells. Fiber laser annealing is one of boron doping methods. For the boron doping, uniformly coated or deposited film is highly required. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method provides a uniform dopant film or layer which can facilitate doping. Because amorphous silicon layer absorption range for the wavelength of fiber laser does not match well for the direct annealing. In this study, to enhance thermal affection on the existing p-a-Si:H layer, a ${\mu}c$-Si:H intrinsic layer was deposited on the p-a-Si:H layer additionally by PECVD. To improve heat transfer rate to the amorphous silicon layer, and as heating both sides and protecting boron eliminating from the amorphous silicon layer. For p-a-Si:H layer with the ratio of $SiH_4$ : $B_2H_6$ : $H_2$ = 30 : 30 : 120, at $200^{\circ}C$, 50 W, 0.2 Torr for 30 minutes, and for ${\mu}c$-Si:H intrinsic layer, $SiH_4$ : $H_2$ = 10 : 300, at $200^{\circ}C$, 30 W, 0.5 Torr for 60 minutes, 2 cm $\times$ 2 cm size wafers were used. In consequence of comparing the results of lifetime measurement and sheet resistance relation, the laser condition set of 20 ~ 27 % of power, 150 ~ 160 kHz, 20 ~ 50 mm/s of marking speed, and $10\;{\sim}\;50 {\mu}m$ spacing with continuous wave mode of scanner lens showed the correlation between lifetime and sheet resistance as $100\;{\Omega}/sq$ and $11.8\;{\mu}s$ vs. $17\;{\Omega}/sq$ and $8.2\;{\mu}s$. Comparing to the singly deposited p-a-Si:H layer case, the additional ${\mu}c$-Si:H layer for doping resulted in no trade-offs, but showed slight improvement of both lifetime and sheet resistance, however sheet resistance might be confined by the additional intrinsic layer. This might come from the ineffective crystallization of amorphous silicon layer. For the additional layer case, lifetime and sheet resistance were measured as $84.8\;{\Omega}/sq$ and $11.09\;{\mu}s$ vs. $79.8\;{\Omega}/sq$ and $11.93\;{\mu}s$. The co-existence of $n^+$layeronthesamesurfaceandeliminating the laser damage should be taken into account for an IBC solar cell structure. Heavily doped uniform boron layer by fiber laser brings not only basic and essential conditions for the beginning step of IBC solar cell fabrication processes, but also the controllable doping concentration and depth that can be established according to the deposition conditions of layers.
Gong, Y.F.;Song, T.J.;Kim, Han S.;Kwak, J.H.;De Cooman, B.C.
Corrosion Science and Technology
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v.11
no.1
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pp.1-8
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2012
The development of martensitic grades which can be processed in continuous galvanizing lines requires the reduction of the oxides formed on the steel during the hot dip process. This reduction mechanism was investigated in detail by means of High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) of cross-sectional samples. Annealing of a martensitic steel in a 10% $H_2+N_2$ atmosphere with the dew point of $-35^{\circ}C$ resulted in the formation of a thin $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxide film and amorphous $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ oxide particles on the surface. During the hot dip galvanizing in Zn-0.13%Al, the thin $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxide film was reduced by the Al. The $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ (x<0.9) and $a-SiO_{2}$ oxides however remained embedded in the Zn coating close to the steel/coating interface. No $Fe_{2}Al_{5-X}Zn_{X}$ inhibition layer formation was observed. During hot dip galvanizing in Zn-0.20%Al, the $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxide film was also reduced and the amorphous $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ and $a-SiO_{2}$ particles were embedded in the $Fe_{2}Al_{5-X}Zn_{X}$ inhibition layer formed at the steel/coating interface during hot dipping. The results clearly show that Al in the liquid Zn bath can reduce the crystalline $_{C-X}MnO.SiO_{2}$ (x>1) oxides but not the amorphous $_{a-X}MnO.SiO_{2}$ (x<0.9) and $a-SiO_{2}$ oxides. These oxides remain embedded in the Zn layer or in the inhibition layer, making it possible to apply a Zn or Zn-alloy coating on martensitic steel by hot dipping. The hot dipping process was also found to deteriorate the mechanical properties, independently of the Zn bath composition.
In the study the characteristics change of crystallized $Li_2O$.$Al_2O_3$.$SiO_2$ glass-ceramics when varying RO ratio and increasing Al2O3 were investigated to produce a glass-ceramics with high mechanical strength and low thermal expansion. Parent glass was obtained by melting at 1,350~1,40$0^{\circ}C$ for 3 hours and annealing at 45$0^{\circ}C$ and the various physical characteristics were measured. Results were as follows; 1. When ZnO was replaced by MgO thermal expansion coefficient was lowered when increasing ZnO content. 2. Major crystal phase was $\beta$-spodumene the crystal growth mophology was the three dimensional sphere and the activation energy for crystallization was 54.6 Kcal/mol. 3. Parent glass heat-treated at 95$0^{\circ}C$ for 10 hours had ; a) thermal expansion coeff. of $23.2{\times}10^{-7}$/$^{\circ}C$ b)whiteness of 76 c) microhardness of 1,089kg/$mm^2$
In the present study, we fabricated stoichiometric $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films at various substrate temperature and contents using of magnetron sputtering method on optimized Pt-based electrodes (Pt/TiN/$SiO_2$/Si). The substate temperature deposited at 200[ $^{\circ}C$], 400[$^{\circ}C$] and 600[$^{\circ}C$] and crystalline BST thin films show above 400[$^{\circ}C$]. Also, the composition of $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films deposited on Si wafer substrate at 400[$^{\circ}C$] were closed to stoichiometry($1.015{\sim}1.093$ in A/B ratio), but compositional deviation from a stoichiometry is larger as $SrCO_3$ is added. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$thin films is observed above 100[kHz]. V-I characteristics of $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films show the decrease of leakage current with the increase of $SrCO_3$ contents.
Eutectic high chromium cast irons containing 17%Cr and 26%Cr were produced for this research by making each of them solidify unidirectionally. Abrasion wear test against SiC or $Al_2$O$_3$bonded paper was carried out using test pieces cut cross-sectionally at several distances from the chill face of castings. The wear resistance was evaluated in connection with the parameters such as eutectic colony size($E_w$), area fraction of boundary region of the colony($S_B$) where comparatively large massive chromium carbides are crystallized and, average diameter of chromium carbides in the boundary region($D_c$). The wear rate($R_w$), which is a gradient of straight line of wear loss versus testing time, was influenced by the type and the particle size of the abrasives. The $R_w$ value against SiC was found to be larger than that against A1$_2$O$_3$under the similar abrasive particle size. In the case of SiC, the $R_w$ value increased with an increase in the particle size. The $R_w$ value also increased as the eutectic colony size decreased, and that of the 17%Cr iron was larger than that of the 26%Cr iron at the same $E_w$ value. Both of the $S_B$ and $D_c$ values were closely related to the $R_w$ value regardless of chromium content of the specimens. The $R_w$ values of the annealed specimens were greater than those of the as-cast specimens because of softened matrix structures. As for the relationship between wear rate and macro-hardness of the specimens, the hardness resulting in the minimum wear rate was found to be at 550 HV30.
The porous silica membrane was prepared from Si(${OC}_2H_5)_4-H_2O$ system by sol-gel method. To investigate the characteristics of gels and porous silica membrane, we examined gels and porous silica membrane using TG-DTA, X-ray diffractometer, IR spectrophotometer, BET, SEM and TEM. The optimum mole ratio of Si(OC$_2$H$_{5}$)$_4$ : $H_2O$$C_2$H$_{5}$OH for porous silica membrane was 1 : 4.5 : 4. The porous silica membrane was obtained by heat treatment of the gel above 700 $^{\circ}C$. The specific surface area of sintered gel was 3.8 $m^2$/g to 902.3 $m^2$/g at 100 $^{\circ}C$ to 1100 $^{\circ}C$ The pore size of sintered gel was in the range 20 $\AA$~ 50$\AA$. The particle size of sintered gel was 15 nm to 30 nm at 30$0^{\circ}C$ to 700$^{\circ}C$. The performance of the porous silica membrane was investigated for the separation of $H_2$/$N_2$ gas mixture. Gas separation through porous silica membrane depends upon Knudsen flow and surface flow. The veal separation factor($\alpha$) of $H_2$/$N_2$ was 5.17 at 155.15 cmHg and $25^{\circ}C$. The real separation factor($\alpha$), head separation factor($\beta$), and tail separation factor( $\bar{B}$) increased as the pressure of permeation cell Increased.sed.
The annealing-temperature dependence of magnetic properties in compressed powder cores being composed of ball-milled F $e_{73.5}$C $u_1$N $b_3$S $i_{15.5}$$B_{7}$ alloy powders (size 250∼850${\mu}{\textrm}{m}$) and 5 wt% of ceramic insulators has been investigated. When annealed at 5$50^{\circ}C$ for 1 h and so transformed to $\alpha$-Fe phase nanocrystalline structure with the grain size of 11 nm (electrical resistivity : 110 $\mu$Ω$.$cm), the highest effective permeability of 125 and quality factor of 53 were obtained, and the permeability persisted up to about 500 KHz. Further the core loss measured at the frequency of 50 KHz and the induction amplitude of 0.1 T was very low (230 mW/㎤). However the dc bias characteristics was not satisfactory as compared to that of conventional powder core materials(MPP, Sendust etc.). The inferior dc bias property of F $e_{73.5}$C $u_1$N $b_3$S $i_{15.5}$$B_{7}$ alloy powder cores was attributed to the fact that the size of powder was too large for obtaining the same permeability with that of conventional materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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