Background: This study aimed to compare and evaluate the marginal fit of nanocomposite computer-aided design/computer-aided manufacturing (CAD/CAM) inlays. Three types of nanocomposite CAD/CAM blocks (HASEM, VITA Enamic, and Lava Ultimate) were used as materials. Methods: Class II disto-occlusal inlay restorations were prepared on a typodont mandibular right first molar using diamond rotary instruments. The inlays were fabricated using CAD/CAM technology and evaluated using the silicone replica technique to measure marginal gaps at five locations on each inlay. The data were analyzed by two-way analysis of variance and Tukey post hoc tests (α=0.05). Results: There were no significant differences in the marginal gaps based on the type of nanocomposite CAD/CAM inlay used (p=0.209). However, there was a significant difference in the marginal gaps between the measurement regions. The gingival region consistently exhibited a larger marginal gap than the axial and occlusal regions (p<0.001). Conclusion: Within the limitations of this in vitro study, the measurement location significantly influenced the marginal fit of class II disto-occlusal inlay restorations. However, there were no significant differences in the marginal gaps among the different types of CAD/CAM blocks. Furthermore, the overall mean marginal fits of the class II disto-occlusal inlay restorations made with the three types of nanocomposite CAD/CAM blocks were within the clinically acceptable range.
Principles of a novel pulse growing method are described. The method realized in the crystal growing on a seed from melts under raw melt feeding provided a more reliable control of the crystallization process when producing large alkali halide crystals. The slow natural convection of the melt in the crucible at a constant melt level is intensified by rotating the crucible, while the crystal rotation favors a more symmetrical distribution of thermal stresses over the crystal cross-section. Optimum rotation parameters for the crucible and crystal have been determined. The spatial position oi the solid/liquid phase interface relatively to the melt surface, heaters and the crucible elements are considered. Basing on that consideration, a novel criterion is stated, that is, the immersion extent of the crystallization front (CF) convex toward the melt. When the crystal grows at a <> CF immersion, the raised CF may tear off from the melt partially or completely due to its weight. This results in avoid formation in the crystal. Experimental data on the radial crystal growth speed are discussed. This speed defines the formation of a gas phase layer at the crystal surface. The layer thickness il a function of time a temperature at specific values of pressure in the furnace and the free melt surface dimensions in the gap between the crystal and crucible wall. Analytical expressions have been derived for the impurity component mass transfer at the steady-state growth stage describing two independent processes, the impurity mass transfer along the <> path and its transit along the <> one. The heater (and thus the melt) temperature variation is inherent in any control system. It has been shown that when random temperature changes occur causing its lowering at a rate exceeding $0.5^{\circ}C/min$, a kind of the CF decoration by foreign impurities or by gas bubbles takes place. Short-term temperature changes at one heater or both result in local (i.e., at the front) redistribution of the preset axial growth speed.
Silicon carbide is one of the most attractive and promising wide band-gap semiconductor material with excellent physical properties and huge potential for electronic applications. Up to now, the most successful method for growth of large SiC crystals with high quality is the physical vapor transport (PVT) method [1, 2]. Since further reduction of defect densities in larger crystal are needed for the true implementation of SiC devices, many researchers are focusing to improve the quality of SiC single crystal through the process modifications for SiC bulk growth or new material implementations [3, 4]. It is well known that for getting high quality SiC crystal, source materials with high purity must be used in PVT method. Among various source materials in PVT method, a SiC powder is considered to take an important role because it would influence on crystal quality of SiC crystal as well as optimum temperature of single crystal growth, the growth rate and doping characteristics. In reality, the effect of powder on SiC crystal could definitely exhibit the complicated correlation. Therefore, the present research was focused to investigate the quality difference of SiC crystal grown by conventional PVT method with using various SiC powders. As shown in Fig. 1, we used three SiC powders with different particles size. The 6H-SiC crystals were grown by conventional PVT process and the SiC seeds and the high purity SiC source materials are placed on opposite side in a sealed graphite crucible which is surrounded by graphite insulation[5, 6]. The bulk SiC crystal was grown at $2300^{\circ}C$ of the growth temperature and 50mbar of an argon pressure. The axial thermal gradient across the SiC crystal during the growth is estimated in the range of $15\sim20^{\circ}C/cm$. The chemical etch in molten KOH maintained at $450^{\circ}C$ for 10 min was used for defect observation with a polarizing microscope in Nomarski mode. Electrical properties of bulk SiC materials were measured by Hall effect using van der Pauw geometry and a UV/VIS spectrophotometer. Fig. 2 shows optical photographs of SiC crystal ingot grown by PVT method and Table 1 shows electrical properties of SiC crystals. The electrical properties as well as crystal quality of SiC crystals were systematically investigated.
The purpose of this study was to analyze the stress distribution at supporting bone according to the types of endosseous implants. This investigation evaluated the stress patterns in rectangular photoelastic models produced by four different types of dental implants such as $Br\ddot{a}nemark$, screw type of Steri-Oss, blade type of Steri-Oss, IMZ with IMC and resin tooth using the techniques of quasi-three dimensional photoelasticity. All prostheses were casted in the same nonprecious alloy and were cemented or screwed on their respective implants and abutments. 20 kg of vertical load was applied on the central fossa of casted crown and 16 kg of inclined had was applied on the top third of distal surface of casted crown respectively. The results were as follows : 1. Under the vertical load, screw implants of Steri-Oss and $Br\ddot{a}nemark$ showed increasing stress condition between and around the screw threads along the implant lateral surface and cylindrical implant of IMZ showed the less stress condition along the lateral surface with concentration of stress mostly near the root apex. 2. Under the vertical load, the stress of Steri-Oss blade was distributed uniformly at the alveolar bone under the broad blade. 3. Under the inclined load, the stress concentration of Steri-Oss screw and $Br\ddot{a}nemark$ was developed highly around the mesiocervical bone area on the contralateral side to force application. The stress of $Br\ddot{a}nemark$ with flexible gold glod was more concentrated in the cervical bone area than that of Steri-Oss with stiff screw. 4. Under the inclined load, the stress of Steri-Oss blade broadly was distributed around the mesioceivical bone area and the lower and mesial bone area of the blade. 5. Under the Inclined load, IMZ implant showed the gap between c개wn and fixture due ta deformation of the IMC and IMZ was lower in stress concentration developed around the mesiocervical bone area than $Br\ddot{a}nemark$ and Steri-Oss screw. 6. Under the inclined load, the stress magnitude induced in the mesiocervical bone area of implants was in order of $Br\ddot{a}nemark$, Steri-Oss strew, IMZ and Stsri-Oss blade. 7. Tilting forces as compared to axial forces exerted greater magnitude of stress in the cervical bone area of the implant. 8. In respect of stress distribution, Steri-Oss blade was superior than any other implants and in respect of the stability by horizontal lone, IMB and $Br\ddot{a}nemark$ was inferior than any other implants.
The aim of this study is to improve the accuracy of field placement and junction between adjacent fields and block shielding through the use of a computed tomography(CT) simulator and virtual simulation. The information was acquired by assessment of Alderson Rando phantom image using CT simulator (I.Q. Xtra - Picker), determination of each field by virtual fluoroscopy of voxel IQ workstation AcQsim and colored critical structures that were obtained by contouring in virtual simulation. And also using a coronal, sagittal and axial view can determine the field and adjacent field gap correctly without calculation during the procedure. With the treatment planning by using the Helax TMS 4.0, the dose in the junction among the adjacent fields and the spinal cord and cribriform plate of the critical structure was evaluated by the dose volume histogram. The pilot image of coronal and sagittal view took about 2minutes and 26minutes to get 100 images. Image translation to the virtual simulation workstation took about 6minutes. Contouring a critical structure such as cribriform plate, spinal cord using a virtual fluoroscopy were eligible to determine a correct field and shielding. The process took about 20 minutes. As the result of the Helax planning, the dose distribution in adjacent field junction was ideal, and the dose level shows almost 100 percentage in the dose volume histogram of the spinal cord and cribriform plate CT simulation can get a correct therapy area due to enhancement of critical structures such as spinal cord and cribriform plate. In addition, using a Spiral CT scanner can be saved a lot of time to plan a simulation therefore this function can reduce difficulties to keep the patient position without any movements to the patient, physician and radiotherapy technician.
전도성 평판의 모서리에 래디얼 동전기 휠을 부분적으로 중첩시켜 회전시키면 휠에는 부상력과 모서리 방향의 추력 그리고 중첩 영역을 감소시키는 방향으로의 횡력이 발생한다. 이러한 휠을 조합하면 진행 방향을 제외한 나머지 축에서의 자기 안정성이 담보되는 시스템 구현이 가능하다. 실증차원에서 래디얼 동전기 휠을 이용한 자기 부상 방식 이송 시스템을 제안한다. 시스템은 네 개의 동전기 휠에 의해 부상, 추진되며 앞뒤 휠에 의한 추력이 서로 상쇄되도록 대항하는 구조로 배치되어있다. 휠의 동적 안정성과 동전기력에 미치는 휠 극수의 영향이 유한요소법을 이용하여 분석된다. 단동 휠에 의한 추력과 부상력은 강하게 연성되어있고 이를 가변시킬 수 있는 인자는 휠의 회전속도뿐이다. 따라서 두 힘을 독립적으로 제어하기 위해 추력과 부상력간의 비율이 속도에 비례하고 공극의 크기와 무관하다는 사실을 이용한다. 이러한 제어 방법으로 시스템의 면내, 면외 운동 제어를 수행하고 이를 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 실험 결과는 휠의 속도만으로 연성된 자유도를 효과적으로 제어할 수 있음을 보여준다.
특수합금 등 금속분말을 이용하는 분말압연 공정을 적용하여 $MgB_2$ 판재를 제조하고 공정변수에 대한 특성을 조사하였다. 압연롤 간격 0.7 mm와 회전속도 0.7 rpm(~120 cm/min) 조건에서 두께 ~1 mm, 폭 ~100 mm, 그리고 길이 수 cm 크기의 $MgB_2$ 판재를 성공적으로 제조하였으며, 측정된 최고 밀도는 2.05 g/$cm^3$이고 이론 값 대비 약 78 %로 계산되었다. 분말압연 공정을 통해 최종 선재의 크기(특히 두께 측면에서)에 가깝게 공정을 시작할 수 있고 높은 충진 밀도를 유지할 수 있으므로 초전도 선재의 특성 향상과 더불어 생산 비용, 생산속도 측면에서도 매우 유리한 방법이 될 것이다. 또한 자기장하 $MgB_2$ 초전도 특성 향상을 위해 자속 고정점 역할을 할 다양한 도핑 물질(분말 형태 또는 액체 형태 등)을 첨가하는 공정에 있어서 도 본 분말압연 공정을 쉽게 적용될 수 있다.
1993년 1월부터 12월까지 한국 서해 군산시 오식도 조간대에서 채집한 대맛조개를 대상으로 정자형성과정 및 생식주기를 조직학적 및 투과형전자현미경으로 조사하엿다. 대맛조개(Solen grandis)는 자웅이체이다. 본 종의 완숙정자의 형태 구조는 다른 이매패의 정자들이 갖는 원시형(primitive type)으로 작은 두부와 한 개의 두모첨체를 가지며, 편모축사를 둘러싸고 있는 4개의 미토콘드리아로 이루어진 짧은 중편을 갖는 것이 관찰되었다. 완숙정자 두부의 길이는 대략 2 \mu m정도였고, 정자 미부의 길이는 약 20 \mu m 정도였다. 정자 미부 편모의 axoneme은 중앙의 2개의 미세소관(microtubule)과 주변에 위치한 9쌍의 미세소관으로 구성되어 있었다. 본 종의 방정기는 6월과 7월 사이로써 주된 방정시기는 해수수온이 20 \circ C 이상 상승하는 7월에 일어났다. 생식주기는 초기활성기 (12-1월), 후기 활성기 (1-3월), 완숙기 (3-8월), 부분방정기 (6-7월), 퇴화 및 비활성기 (8-12월)의 연속적인 5단계로 구분할 수 있었다.
초임계 이산화탄소 발전사이클의 다양한 특성을 분석하기 위하여 Sub-kWe급의 소형 실험장치를 설계, 제작하였으며, 터보발전기를 개발하였다. 초임계 이산화탄소 발전용 터빈에서는 팽창비가 작고, 유량이 작기 때문에 터보발전기의 회전수가 높아지게 되고, 이에 따라 회전 부품의 선정, 터빈 공력설계, 축력 및 회전체 동역학 설계가 어려워지게 된다. 이에 터보발전기의 회전수를 줄이기 위하여 노즐의 여러 채널 중 1개의 노즐만 사용하는 부분유입 방법을 세계 최초로 초임계 이산화탄소 발전용 터보발전기에 적용하였으며, 회전체의 진동을 측정하여 부분유입 노즐을 적용함에도 회전체 안정성은 허용 범위내에 있음을 확인하였다.
이 연구의 목적은 세 가지 다른 치아 삭제 형태에 따라 제작된 CEREC3 CAD/CAM의 인레이의 변연 및 내면 간극을 비교 평가하는 것이었다. CEREC3 인레이의 제작을 위해 다음의 제시된 방법에 따라 각 군당 10개의 시편을 준비 하였다. 제 I 군-기능 교두를 포함하는 전통적 방식의 capping과 shoulder margin, 제 II 군-교두를 수평으로 평평하게 삭제하는 단순화된 와동 형태, 제 III 군-교두의 완전한 삭제와 shoulder margin을 갖는 가장 단순화된 형태로 세 군의 시편을 제작하였다. CEREC3로부터 제작된 인레이를 대응치아에 접착시킨 후, 치아 교합면의 중심을 지나게 협설면 방향으로 microsaw를 이용하여 절단하였다. 이후 Stereomicroscope을 사용하여 20배율에서 확대 영상을 촬영하였다. 그리고 미리 정해놓은 marginal, axial, angle, Horizontal 기준점에서 Leica application suite 프로그램을 사용하여 시편과 치아 사이의 변연 및 내면 간극을 측정하였다. 일원분산분석을 사용하여 같은 기준 지점에서 세 군 사이의 차이를 분석하였으며, 각 군 안에서 여러 지점 사이의 차이 또한 알아보았다. Tukey's test로 95% 유의수준에서 사후 검정하였다. 세 군 모두에서 변연 부위에서 간극이 가장 작았으며, 변연 간극은 제 I 군 $80.0-97.8{\mu}m$, 제 II 군$42.0-194.8{\mu}m$, 제 III 군 $51.0-80.2{\mu}m$의 범위를 나타내었다. 내면 간극은 제 I 군 $90.5-304.1{\mu}m$, 제 II 군 $80.0-274.8{\mu}m$, 제 III 군 $79.7-296.7{\mu}m$의 범위를 나타냈고 horizontal wall 부위에서 가장 큰 간극을 보였다. CEREC3 CAD/CAM시스템을사용한 인레이 제작에 있어서 새롭게 제안된 두 가지의 단순화된 와동 형태는 변연 및 내면 간극이 전통적인 교두 피개 와동 형태보다 우수하지 않았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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