• Current Optics and Photonics
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• 제2권4호
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• pp.368-377
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• 2018

In this paper, we evaluate cryptographic properties of a double random phase encoding (DRPE) scheme in the discrete Gyrator domain with avalanche and bit independence criterions. DRPE in the discrete Gyrator domain is reported to have higher security than traditional DRPE in the Fourier domain because the rotation angle involved in the Gyrator transform is viewed as additional secret keys. However, our numerical experimental results demonstrate that the DRPE in the discrete Gyrator domain has an excellent bit independence feature but does not possess a good avalanche effect property and hence needs to be improved to satisfy with acceptable avalanche effect that would be robust against statistical-based cryptanalysis. We compare our results with the avalanche and bit independence criterion (BIC) performances of the conventional DRPE scheme, and improve the avalanche effect of DRPE in the discrete Gyrator domain by integrating a photon counting imaging technique. Although the Gyrator transform-based image cryptosystem has been studied, to the best of our knowledge, this is the first report on a cryptographic evaluation of discrete Gyrator transform with avalanche and bit independence criterions.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제8권10호
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• pp.37-44
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• 2008

논문은 암호문 송신 중 전송 오류에 의한 암복호화의 문제에 대한 해결책을 제시 한다. 블록 암호 알고리즘은 산사태(avalanche) 효과로 인해 단일 비트 오류에 대해서도 많은 비트에 오류를 발생시킨다. 이를 해결하기 위해 재배열 과정과 간단한 오류 정정 코드를 이용해서 산사태(avalanche) 효과에 강인한 방안을 제안한다. 재배열 과정은 간단한 오류 정정 코드를 사용하기 위한 것이다. 재배열 과정은 한 프레임 내에서 전송의 기본 단위인 n-비트 블록 내에 1비트의 단일 오류만이 존재 할 수 있도록 오류를 여러 단위에 분산시키는 역할을 하게 된다. 즉, n-비트 내에서 단일 오류만이 존재하게 되어 단일 오류 정정 코드로 쉽게 복원이 가능하게 된다. 이 방식은 보다 큰 데이터 단위에 확장하여 사용 될 수 있다.

• 대한전기학회논문지
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• 제34권6호
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• pp.244-252
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• 1985

A model is presented to explain charging phenomena into the oxide layer when a metal-oxide-silicon(MOS) capacitor is driven by a large amplitude and high frequency ac signal sufficient to produce avalanche injection in the silicon. During avalanche, minority carriers are injected. It is assumed that some of these minority carriers attain sufficient energy to surmount the potential barrier at the interface, and then inter the oxide. Measurements of C-V curves are made for the MOS capacitor with p-type silicon substrates before and after avalanche injection. This paper studies how charging in the oxide and the interface depends on oxide properties. It is concluded that this charging effect is related to the presence of water in the oxide.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제12권4호
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• pp.217-220
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• 2008

An optical receiver using a CMOS-compatible avalanche photodetector (CMOS-APD) is demonstrated. The CMOS-APD is fabricated with $0.18{\mu}m$ standard CMOS technology and the optical receiver is implemented by using the CMOS-APD and a transimpedance amplifier on a board. The optical receiver can detect 6.25-Gb/s data with the help of the series inductive peaking effect.

• 정보보호학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.63-74
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• 1999

본 논문에서 제안하는 HEA(Hangul Encryption Algorithm)는 초성, 중성, 종성의 다차원구조로 이루어진 한글의 특성을 이용하여 조합형 한글 음절을 암호화하여 조합형 한글 음절을 생 성한다. HEA 에서는 암호화 결과가 모두 한글 터미널에 표시가능한 한글이므로 출력 내용이 표시가능해 야 하는 메일 시스템 등에 유용하게 사용될 수 있다. HEA는 DES에 기반하고 있으며 키전수 탐색 differential cryptanalysis linear cryptanalysis 에대하여 DES와 유사한 안전도를 가지며 암호문의 음 소별 임의성, 평문-암호문 연쇄효과 키-암호문 연쇄효과도 갖는다. In this paper we present a Hangul Encryption Algorithm (HEA) which encrypts composition Hangul syllables into composition Hangul syllables using the non-linear structure of Hangul. Since ciphertexts generated by HEA are displayable characters HEA can be used in applications such as Privacy Enhanced mail (PEM) where ciphertexts should be displayable characters. HEA is based on DES and it can be shown that HEA is as safe as DES against the exhaustive key search differential cryptanalysis and linear cryptanalysis. HEA also has randomness of phonemes of ciphertexts and satisfies plaintext-ciphetext avalanche effect and key-ciphertext avalanche effect.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.73-78
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• 2011

정보 보안을 위해 사용되는 DES 암호화 알고리즘은 강력한 쇄도효과를 갖고 있으며, 그 처리 속도 또한 매우 빠른 알고리즘이다. 하지만 H/W의 발달로 인해 DES의 비밀키의 길이가 56bits로 너무 짧기 때문에 전수키 조사 공격에 쉽게 노출되어 있다. 본 논문에서는 전수키 조사 공격에 취약한 DES 알고리즘의 비밀키 길이 문제 해결을 위하여 디지털 홀로그래피와 DES 알고리즘을 결합하여 DES의 비밀키 길이를 크게 증가시키는 새로운 방법론을 제시한다. 또한 제안한 DES 알고리즘의 암호성능을 테스트하기 위하여 쇄도효과를 측정하여 가능성을 검증한다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제9권8호
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• pp.91-98
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• 2009

본 논문은 암호화된 영상 데이터가 유비쿼터스 환경 하에서 무선 간섭에 의한 랜덤 오류를 가질 때 복호화 과정의 오류 산사태에 대한 해결책을 제시하였다. 영상 획득 장치는 영상 압축과 암호화 기능을 가지고서 데이터 트래픽 양을 줄이고 개인 정보를 보호하도록 구성한다. 블록 암호 알고리즘은 암호문의 단일 비트 오류가 여러 개의 픽셀 결함을 유발하는 산사태 효과를 겪을 수 있다. 새로운 고장 극복 방식은 오류의 산사태 효과를 다루는데 3 차원 데이터 셔플을 활용하여 에러 비트를 여러 프레임으로 분산시켜서 고립된 영상 결함으로 나타나도록 한다. 인접 화소 값에 대한 평균화 또는 다수결 회로는 에러정정을 위한 데이터 증가 없이 두드러져 보이는 화소 결함을 극복하도록 한다. 이 방식은 기존 Hamming code 방식보다 33% 적은 데이터 트래픽 부하를 가진다.

• 전기학회논문지
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• 제58권7호
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• pp.1386-1392
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• 2009

An analysis is presented for super-high-speed optical demodulation by an avalanche photodiode(APD) with electric mixing. A normalized gain is defined to evaluate the performance of the optical mixing detection. Unlike previous work, we include the effect of the nonlinear variation of the APD capacitance with bias voltage as well as the effect of parasitic and amplifier input capacitance. As a results, the normalized gain is dependent on the signal frequency and the frequency difference between the signal and the local oscillator frequency. However, the current through the equivalent resistance of the APD is almost independent of signal frequency. The mixing output is mainly attributed to the nonlinearity of the multiplication factor. We show also that there is an optimal local oscillator voltage at which the normalized gain is maximized for a given avalanche photodiode.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권1호
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• pp.46-52
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• 2012

Separate extraction of source ($R_S$) and drain ($R_D$) resistances caused by process, layout variations and long term degradation is very important in modeling and characterization of MOSFETs. In this work, we propose "Avalanche Hot-Source Method (AHSM)" for simple separated extraction of $R_S$ and $R_D$ in a single device. In AHSM, the high field region near the drain works as a new source for abundant carriers governing the current-voltage relationship in the MOSFET at high drain bias. We applied AHSM to n-channel MOSFETs as single-finger type with different channel width/length (W/L) combinations and verified its usefulness in the extraction of $R_S$ and $R_D$. We also confirmed that there is a negligible drift in the threshold voltage ($V_T$) and the subthreshold slope (SSW) even after application of the method to devices under practical conditions.

• 한국진공학회지
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• 제16권6호
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• pp.414-423
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• 2007

FED(Field Emission Display)는 특히 소형, 고품질 평면화면분야에서 종래의 기술들과 뚜렷이 구별되는 이점을 가지고 있다. FED를 실리콘 웨이퍼에 System-on-Chip(SoC)화하는 가능성을 검토하기 위해, 우리는 p-n 접합을 평면 디스플레이의 전자선원(electron beam source)으로 사용할 수 있는지를 실험하였다. Cantilever(외팔보)형 게이트로부터의 전계로 반전층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 새로운 구조를 제조하였다. 약 1 ${\mu}m$ 정도의 높이에 있는 cantilever형 게이트에 220V이상의 전압을 가했을 때 반전층(inversion layer)이 형성되었고, 애벌런치 항복이성공적으로 이루어졌다. 극히 얕은 p-n 접합에서 애벌런치 항복 시 관측되는 전자방출 효과와 그 특성이 비교되었고 실험결과와 향후 연구방향이 논의 되었다.