Epitaxy of Self-assembled InAs Quantum Dots on Si Substrates by Atmospheric Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition (대기압 MOCVD 시스템을 이용하여 Si 기판 위에 자발적으로 형성된 InAs 양자점에 대한 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.18 no.6
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- pp.527-531
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- 2005