• 한국광학회지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.373-376
• /
• 2002

비대칭 구조의 커플러에 대한 이론적 고찰과 함께 EDFA 이득평탄용 필터로서의 응용과 그에 대한 설계를 하였다. 이득평탄필터를 구현하기 위한 비대칭 커플러의 광섬유 파라미터를 제시하였고 커플러의 광 결합 길이와 코어간의 거리에 따른 이득평탄필터의 투과 스펙트럼의 특성을 시뮬레이션을 통해 알아보았다. 그리고 시뮬레이션 결과를 바탕으로 하여 약 30nm의 대역폭에 걸쳐서 EDFA의 이득 스펙트럼을 $\pm$0.75 ㏈이하로 평탄화할 수 있는 이득평탄필터를 설계하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제28권8A호
• /
• pp.626-632
• /
• 2003

본 논문에서는 모드정합법을 이용하여 도체두께를 고려한 비대칭 결합선로의 특성을 해석하고, 중심주파수 5㎓ 인 정방향 -3㏈ 방향성 결합기를 설계 및 제작하였다. 결합선로의 결합도에 대한 연구는 대부분 기하학적인 구조의 변화에 대해 연구되어 왔으나, 본 논문에서는 도체두께가 비대칭 결합선로의 간격, 선로 폭, 결합기의 길이에 미치는 영향을 이론적으로 분석하고, 도체두께를 고려한 비대칭 결합선로를 이용한 결합기를 설계하여 도체 두께가 두꺼울수록 강한 결합으로 인하여 정방향 결합기의 결합길이가 짧아지고 광대역 특성이 얻어지는 결과를 얻었다. 본 논문에서는 5㎓ 중심주파수로 한 도체두께가 서로 다른 비대칭 결합선로로 구성된 정방향 -3㏈ 결합기를 설계하고, 제작 및 실험을 통하여 약 -4.05㏈∼-4.09㏈의 결합특성을 갖는 주파수특성 측정결과를 얻어 설계 값에 거의 근접하는 것을 확인하였으며, 도체 두께를 고려한 정확한 설계로써 결합선로에서 강한결합과 광대역 특성을 만들 수 있다는 사실을 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제22권9호
• /
• pp.1949-1956
• /
• 1997

Closed form 해석 방법을 이용하여 복합기판상에 비대칭 결합 마이크로스트립 선로의 모드 파라미터를 구하였다. 단층기판과 복합기판상에 대칭 및 비대칭 결합 마이크로스트립 선로을 이용하여 방향성 결합기를 실현시켰다. 중심주파수 1.8GHz에서 10dB 방향성 결합기를 제작하여 측정한 결과, 복합기판을 갖는 결합기는 단층기판을 이용한 결합기보다 결합도와 방향성도가 개선되었다. 또한 비대칭 결합 마이크로스트립 선로를 이용한 결합기의 대역폭이 대칭 결합 마이크로스트립 선로를 이용한 결합기보다 대역폭이 넓다는 것을 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제22권1호
• /
• pp.81-88
• /
• 1997

Wavelength tunable, narrowbandwidth wvelength filters in compound semiconductor have been modeled, fabricated, and characterized. In order to obtain a narrow bandpass characteristics at 1.55.$\mu$m, a highly asymmertrical directional coupler structure composed of a strongly guided ridge waveguide and a weakly guided strip-loaded waveguide was used. The optimized filter structure modeling has been obtained by using the spectral index method, effective index method, and the coupled mode theory. Operation at a center wavelength a 1.537.mu.m with a bandwidth of 1.8nm and transfer efficiency of 50-70% is experimentally achieved. For the purpose of center wavelength tuning, the carrier injection in p-n diode structure has been theoretically investigated. It has been found that the tuning range of nanometer can be easily obtained by moderate amount carrier injection. We also found that the bandwidth becomes broad as the center wavelength tuning increases.