Total impurity analysis of a primary standard solution is one of the essential procedures to determine an accurate concentration of the standard solution by the gravimetry. Bi impurity is determined in Pb standard solutions by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS). The direct nebulization of the Pb standard solution produces a significant amount of the Pb matrix-induced molecular ions which give rise to a serious spectral interference to the Bi determination. In order to avoid the spectral interference from the interferent $^{208}PbH^+$, the hydride generation method is employed for the matrix separation. The Bi hydride vapor is generated by reaction of the sample solution with 1% sodium borohydride solution. The vapor is then directed by argon carrier gas into the ICP after separation from the mixture solution in a liquid-gas separator made of a polytetrafluoroethylene membrane tube. The presence of 1000 ${\mu}$g/mL Pb matrix caused reduction of the bismuthine generation efficiency by about 40%. The standard addition method is used to overcome the chemical interference from the Pb matrix. Optimum conditions are investigated for the hydride-generation ICPMS. The detection limit of this method is 0.5 pg/mL for the sample solutions containing 1000 ${\mu}$g/mL Pb matrix.
In recent, there have been several developments in lamp technology that promise savings in electrical power consumption and improved quality of the lighting space. Above all, Electrodeless fluorescent lamp is the removal of internal electrodes and heating filaments that are a light-limiting factor of conventional fluorescent lamps. The electrodeless fluorescent lamp is intended as a high efficacy replacement for the incandescent reflector lamp in many applications. Therefore, the electrodeless fluorescent lamps is substantially higher than that of conventional fluorescent lamps and last up to 60,000 hours. In this paper, electron temperature and electron density were measured in a radio-frequency inductively coupled plasma using a Langmuir probe method for emission characteristics. Measurement was conducted in an argon discharge for pressure from 10 [mTorr] and input RF power 100 [W] to 150 [W]. As for the electron density, a electron temperature was more distinguished for a emission characteristic. The results of ideal may contribute to systematic understanding of a electrodeless fluorescent lamps of emission characteristics.
원격플라즈마화학증착(RPCVD)에 의하여 파이렉스 유리 기판 위에 투명전도성 산화 주석막을 제조하였다. RPCVD공정의 주요한 조절변수는 증착시간, 사메틸주석, 산소 및 아 르곤의 유속, 라디오 주파수 출력, 및 기판온도를 포함했다. 양질의 산화주석막을 제조하고 RPCVD공정을 보다 잘 이해하기 위하여 이들 파라미터에 대한 증착속도, 전기적 저항, 광 학적 투과도 및 결정구조의 의존성을 체계적으로 살펴보았다. 산화주석막의 성질에 미치는 이들 파라미터의 영향은 복잡하게 서로 연관되어 있다. 최적화된 증착조건에서 제조된 산화 주석막은 102$\AA$/min의 증착속도, $9.7\times 10^{-3}\Omega$cm의 비저항 및 ~80%의 가시선 투과도를 나 타냈다.
Fine lithographic technology in a submicron design regime is necessary for the fabrication of VLSI circuits. In such lithography, fine pattern delineation is performed by electron beam, ion beam and X-ray lithography instead of photolithography. Therefore, the new resist materials and development method have been required. So, we are investigating another positive E-beam resists which have high sensitivity and dry etching resistance, Plasma co-polymerized resist was prepared using an interelectrode gas-flow-type reacter. Methymethacrylate, tetramethyltin and styrene were chosen as the monomer to be used. The delineated pattern in the resist was developed with gas-flow-type reactor using an argon and 02 as etching gas. We studied about the effects of discharge power and mixing rate of the co-polymerized thin :film. The molecular structure of thin film was investigated by ESCA and IR, and then was discussed in relation to its quality as a resist.
Cr-diamond-like carbon (Cr-DLC) films were deposited using a hybrid method involving both physical vapor deposition and plasma-enhanced chemical vapor deposition. DLC sputtering was carried out using argon and acetylene gases. With an increase in the DC power, the Cr content increased from 14.7 to 29.7 at%. The Cr-C bond appeared when the Cr content was 17.6 at% or more. At a Cr content of 17.6 at%, the films showed an electrical conductivity of > 363 S/cm. The current density was 9.12 × 10-2 ㎂/㎠, and the corrosion potential was 0.240 V. Therefore, a Cr content of 17.6 at% was found to be optimum for the deposition of the Cr-DLC thin films. The Cr-DLC thin films developed in this study showed high conductivity and corrosion resistance, and hence, are suitable for applications in separators.
Many researchers are interested in the synthesis and characterization of carbon nitride and diamond-like carbon (DLq because they show excellent mechanical properties such as low friction and high wear resistance and excellent electrical properties such as controllable electical resistivity and good field electron emission. We have deposited amorphous carbon nitride (a-C:N) thin films and DLC thin films by shielded arc ion plating (SAIP) and evaluated the structural and tribological properties. The application of appropriate negative bias on substrates is effective to increase the film hardness and wear resistance. This paper reports on the deposition and tribological OLC films in relation to the substrate bias voltage (Vs). films are compared with those of the OLC films. A high purity sintered graphite target was mounted on a cathode as a carbon source. Nitrogen or argon was introduced into a deposition chamber through each mass flow controller. After the initiation of an arc plasma at 60 A and 1 Pa, the target surface was heated and evaporated by the plasma. Carbon atoms and clusters evaporated from the target were ionized partially and reacted with activated nitrogen species, and a carbon nitride film was deposited onto a Si (100) substrate when we used nitrogen as a reactant gas. The surface of the growing film also reacted with activated nitrogen species. Carbon macropartic1es (0.1 -100 maicro-m) evaporated from the target at the same time were not ionized and did not react fully with nitrogen species. These macroparticles interfered with the formation of the carbon nitride film. Therefore we set a shielding plate made of stainless steel between the target and the substrate to trap the macropartic1es. This shielding method is very effective to prepare smooth a-CN films. We, therefore, call this method "shielded arc ion plating (SAIP)". For the deposition of DLC films we used argon instead of nitrogen. Films of about 150 nm in thickness were deposited onto Si substrates. Their structures, chemical compositions and chemical bonding states were analyzed by using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy. Hardness of the films was measured with a nanointender interfaced with an atomic force microscope (AFM). A Berkovich-type diamond tip whose radius was less than 100 nm was used for the measurement. A force-displacement curve of each film was measured at a peak load force of 250 maicro-N. Load, hold and unload times for each indentation were 2.5, 0 and 2.5 s, respectively. Hardness of each film was determined from five force-displacement curves. Wear resistance of the films was analyzed as follows. First, each film surface was scanned with the diamond tip at a constant load force of 20 maicro-N. The tip scanning was repeated 30 times in a 1 urn-square region with 512 lines at a scanning rate of 2 um/ s. After this tip-scanning, the film surface was observed in the AFM mode at a constant force of 5 maicro-N with the same Berkovich-type tip. The hardness of a-CN films was less dependent on Vs. The hardness of the film deposited at Vs=O V in a nitrogen plasma was about 10 GPa and almost similar to that of Si. It slightly increased to 12 - 15 GPa when a bias voltage of -100 - -500 V was applied to the substrate with showing its maximum at Vs=-300 V. The film deposited at Vs=O V was least wear resistant which was consistent with its lowest hardness. The biased films became more wear resistant. Particularly the film deposited at Vs=-300 V showed remarkable wear resistance. Its wear depth was too shallow to be measured with AFM. On the other hand, the DLC film, deposited at Vs=-l00 V in an argon plasma, whose hardness was 35 GPa was obviously worn under the same wear test conditions. The a-C:N films show higher wear resistance than DLC films and are useful for wear resistant coatings on various mechanical and electronic parts.nic parts.
한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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pp.175-176
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2002
Our study is to search for tribological properties of diamond-like carbon (DLC) films as known as anti- wear hard thin film on various polymers. This report deals with the deposition of DLC films on various polymer substrates in vacuum by magnetron radio frequency (RF) sputtering method with using argon plasma and graphite, titanium target. The properties of friction and wear are measured using a ball-on-disk wear -testing machine. The properties of friction and wear have been remarkably improved by DLC coating. Moreover the composition of DLC films has been analyzed by using auger electron spectroscopy(AES). The wear rate of titanium-containing DLC film is lower than that of no-metal-containing DLC film.
Heavy metals may cause trouble(s) in human body. For consideration of the safety of crude drugs cultivated in Korea, we selected some medicinal plants and soils from cultivated site and estimated their heavy metal contents by inductively coupled argon plasma spectrometry (ICAP). Among heavy metals tested, the highest level of Cu and Zn were shown in plants cultivated in Kyung Ki; the highest level of Fe in those in Youngnam and the highest level of Mg and Mn in those in Youngdong. The heavy metal content s were as low as to be permeasible at least for the medicinal plants we selected. There were no significant correlations between heavy metal contents of soils and cultivated medicinal plants.
RF나 마이크로웨이브의 전기장이 작용될 때 플라즈마 방전에서의 전자에너지분포함수를 계산하기 위하여 전자 볼츠만 방정식을 수치적으로 푼다. 2차미분 방정식인 로렌츠근사를 사용하는 동차 전자 볼츠만 방정식과 적분-미분방정식인 입자균형방정식을 동시에 풀어 자체모순이 없게 방전 전기장의 크기를 결정한다. 이 수치코드를 이용하여 아르곤 방전에 대하여 전자에너지 분포함수를 RF와 마이크로파영역에 걸쳐 계산한다. 이로부터 전자에너지 분포함수와 이온화율에 대한 고주파 전기장의 주파수 변화에 따른 영향을 조사한다.
Diamondlike carbon(DLC)films having good characteristics in mechanical and optical properties, were synthesized by rf-plasma enhanced chemical vapor deposition method. Methane, methane-hydrogen, or methane-argon were used as source gases. The infrared transparency and composition of the films were investigate. Especially, the anti-reflection effect of KLC film in infrared region was confirmed by depositing it on Ge/Si sample. When DLC films were deposited on the plastic substrates and thermal distortion, which were originated before and during deposition, respectively, played a role as a crack source of the films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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