• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권1호
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• pp.23-27
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• 2023

Organic light-emitting diode(OLED) is very thin organic films which are hundreds of nanometers. Unlike bottom-emission OLED(BEOLED), top-emission OLED(TEOLED) emits light out the front, opaque moisture absorbents or metal foils can't be used to prevent moisture and oxygen. And it is difficult to have flexible characteristics with glass encapsulation, so thin film encapsulation which can compensate for those two disadvantages is mainly used. In this study, Al₂O₃ thin films by atomic layer deposition(ALD) were examined by changing the argon gas purge flow rate and we applied this Al₂O₃ thin films to the encapsulation of TEOLED. Ag / ITO / N,N'-Di-[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine / tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum/ LiF / Mg:Ag (1:9) were used to fabricate OLED device. The characteristics such as brightness, current density, and power efficiency are compared. And it was confirmed that with a thickness of 40 nm Al₂O₃ thin film encapsulation process did not affect OLED properties. And it was enough to maintain a proper OLED operation for about 9 hours.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제50권5호
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• pp.724-730
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• 2018

Chromium and chromium nitride were selected as potential barriers to prevent fuel-clad chemical interaction (FCCI) between the cladding and the fuel material. In this study, ferritic/martensitic HT-9 steel and misch metal were used to simulate the reaction between the cladding and fuel fission product, respectively. Radio frequency magnetron sputtering was used to deposit Cr and CrN films onto the cladding, and the gas flow rates of argon and nitrogen were fixed at certain values for each sample to control the deposition rate and the crystal structure of the films. The samples were heated for 24 h at 933 K through the diffusion couple test, and considerable amount of interdiffusion (max. thickness: $550{\mu}m$) occurred at the interface between HT-9 and misch metal when the argon and nitrogen were used individually. The elemental contents of misch metal were detected at the HT-9 through energy dispersive X-ray spectroscopy due to the interdiffusion. However, the specimens that were sputtered by mixed gases (Ar and $N_2$) exhibited excellent resistance to FCCI. The thickness of these CrN films were only $4{\mu}m$, but these films effectively prevented the FCCI due to their high adhesion strength (frictional force ${\geq}1,200{\mu}m$) and dense columnar microstructures.

• 대한환경공학회지
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• 제22권2호
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• pp.211-216
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• 2000

본 연구는 오염가스 제거시 발생되는 부산물인 에어로졸 입자가 방전전극에 부착되어 생기는 방전불안으로 제거율이 급격히 저하되는 문제점을 개선하고 제거장치의 운전비용을 감소시키기 위한 연구이다. 이를 위해 오염가스 제거에 필요한 라디칼과 이온을 발생시키기 위한 전기방전영역과 연소가스가 흐르는 관로를 분리시킨 플라즈마 반응기를 사용하여 방전불안에 의한 제거효율 저하와 방전선 산회 문제를 개선하여 장시간 운전 가능성을 확인하였고, 또한 운전비용을 감소시키기 위해서는 코로나 방전에 의한 비열플라즈마를 이용하여 연소가스를 산화 변화시키고, 첨가제로 수산화나트륨 수용액 증기와 소량의 암모니아를 사용하였다. 그 결과 암모니아 분자 몰비를 1.5로 하고, 유량이 $2.5{\ell}/min$인 질소가스로 농도가 20%인 수산화나트륨 수용액을 버블링하여 주입하였을 때 질소산화물, 황산화물 제거율이 각각 95, 100%인 우수한 제거특성을 얻었다.

• 접착 및 계면
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• 제8권3호
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• pp.1-8
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• 2007

폴리우레탄 폼 소재에 평판형 플라즈마 전처리 방식을 적용시켜 접촉각 및 접착력을 향상시켰다. 플라즈마 반응기의 최적의 반응조건을 조사하기 위해서 반응가스(질소, 아르곤, 산소, 공기), 가스의 유량(30~150 mL/min), 그리고 반응시간(0~30초) 등을 변화시켜 전처리하여 진공식 플라즈마 방식과 비교 검토하였다. 처리 후 소재의 표면 변화는 SEM과 ATR-FTIR을 이용하여 측정하였다. 폴리우레탄 폼에서 질소의 유량이 100 mL/min이고 반응시간이 10초일 때 접촉각의 저하에 따른 가장 좋은 접착력의 결과를 보여 주었다. 결과적으로 평판형 플라즈마 조작 방식에 의한 처리로 폴리우레탄 폼의 접촉각과 접착박리강도가 개선되었음을 확인하였다.

• 폴리머
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• 제32권5호
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• pp.433-439
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• 2008

고분자 소재에 평판형 플라즈마 전처리 방식을 적용시켜 polyurethane foam(density : 0.27)과 rubber (butadiene rubber) 소재 표면의 접촉각 및 접착력을 향상시켰다. 플라즈마 반응기의 최적의 반응조건을 조사하기 위해서 전처리기류(질소, 아르곤, 산소, 공기), 기류의 유량($30{\sim}100\;mL/min$), 그리고 전처리 시간($0{\sim}30\;s$) 등을 변화시켜 전처리하고 polyurethane foam의 경우 진공식 플라즈마처리 방식과 상호 비교하였다. 분위기 기류인 $N_2$의 유량을 100 mL/min로 설정 후 polyurethane foam은 10 s, rubber는 3 s 동안 전처리 했을 때 가장 높은 접착박리강도를 나타내었다. 전처리 후 소재의 표면 변화는 SEM과 ATR-FTIR을 이용하여 측정하였다. 결과적으로 평판형 플라즈마 조작 방식에 의한 처리로 소재 표면의 젖음성과 접착박리강도가 개선되었음을 확인하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제8권1호
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• pp.33-38
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• 2009

We have investigated the effect of the ambient gases on the characteristics of AZO thin films for the OLED (organic light emitting diodes) devices. These AZO thin films are deposited by rf-magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar+$O_2$, and Ar+$H_2$) at 300. In order to investigate the influences of the oxygen and hydrogen, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.2sccm to 1sccm and from 0.5sccm to 5sccm, respectively. The AZO thin films were preferred oriented to (002) direction regardless of ambient gases. The electrical resistivity of AZO film increased with increasing flow rate of $O_2$ under Ar+$O_2$ while under Ar+$H_2$ atmosphere the electrical resistivity showed minimum value near 1sccm of $H_2$. All the films showed the average transmittance over 80% in the visible range. The OLED device was fabricated with different AZO substrates made by configuration of AZO/$\acute{a}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al to elucidate the performance of AZO substrate.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.451-457
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• 2000

Experimental investigations on the effect of two kinds of additives ; aqueous NaOH solution and ammonia(NH$_3$) for removal of NOx and SO$_2$ simultaneously by corona discharge were carried out. The simulated combustion flue gas was[NO(0.02[%])-SO$_2$(0.08[%])-$CO_2$-Air-$N_2$] Volume percentage of aqueous NaOH solution used was 20[%] and $N_2$flow rate was 2.5[$\ell$/min] for bubbling aqueous NaOH solution Ammonia gas(14.81[%]) balanced by argon was diluted by air. NH$_3$ molecular ratios(MR) based on [NH$_3$] and [NO+SO$_2$] were 1, 1.5 and 2.5 The vapour of aqueous NaOH solution and NH$_3$was introduced to the main simulated combustion flue gas duct through injection systems which were located at downstream of corona discharge reactor. NOx(NO+NO$_2$) removal rate by injecting the vapour of aqueous NaOH solution was much better than that by injecting NH$_3$however SO$_2$removal rate by injecting NH$_3$was much better than that by injecting the vapour of aqueous NaOH SO$_2$removal rate slightly increased with increasing applied voltage. When the vapour of aqueous NaOH solution and NH$_3$were simultaneously injection NOx and SO$_2$ removal rate were significantly increased.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제25권1호
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• pp.73-78
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• 2004

A highly sensitive detecting method has been developed for determining part per billion of sulfur in $H_2S$/Ar plasma. The method is based on the excitation of Ar/$H_2S\;or\;Ar/H_2S/O_2$ mixture in hollow cathode glow discharge sustained by radiofrequency (RF) or 60 Hz AC power and the spectroscopic measurement of the intensity of emission lines from electronically excited $S_2^*\;or\;SO_2^*$ species, respectively. The RF or AC power needed for the excitation did not exceed 30 W at a gas pressure maintained at several mbar. The emission intensity from the $SO_2^*$ species showed excellent linear response to the sulfur concentration ranging from 5 ppbv, which correspond to S/N = 5, to 500 ppbv. But the intensity from the $S_2^*$ species showed a linear response to the $H_2S$ only at low flow rate under 20 sccm (mL/min) of the sample gas. Separate experiments using $SO_2$ gas as the source of sulfur demonstrated that the presence of $O_2$ in the argon plasma is essential for obtaining prominent $SO_2^*$ emission lines.

• 한국가스학회지
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• 제27권2호
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• pp.1-6
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• 2023

시공 편의성 및 경제성 측면에서 장점이 있는 PE배관은 국내 도시가스 분야에서 지하 매설용으로 많이 사용되고 있다. 이러한 PE배관은 유지·보수 공사 중 가스 흐름을 차단하기 위해 많은 현장에서 스퀴즈오프를 활용하고 있다. 스퀴즈오프란 PE배관을 압착하여 유체 흐름을 차단하는 방법을 말하며 물리적인 힘에 의해 배관의 변형이 일어나는 공사의 특성상 손상이 발생할 수 있다. 본 연구에서는 스퀴즈오프에 따른 PE배관의 손상방지를 위해 압축률에 따른 손상평가 및 기밀시험을 통해 적정한 압축의 범위와 사용 압력, 관경 등의 스퀴즈오프 작업 절차에 반영될 주요 사항들을 도출하였다. PE배관 손상평가를 위한 압축 실험은 압축률(20%~40%)과 사용압력 (2.8kPa, 25kPa, 70kPa), 관경(63mm, 90mm, 110mm)을 변화시키면서 실시하였다. 압축률에 따른 손상평가 결과, 과도한 압축에 따른 영향을 분석하기 위한 압축률인 45%(110mm), 73%(63mm)인 배관에서 파손이 발생하였다. 또한, 스퀴즈오프 작업 중 기밀시험은 Ar(아르곤)을 이용하여 진행되었으며, 실험결과 70kPa의 조건과 110mm 의 배관 조건에서 누출이 발생하였다. 본 연구 결과, 기밀유지를 위한 스퀴즈오프는 25kPa이하의 사용압력 및 90mm 배관을 초과하지 않는 범위의 배관에서 작업을 실시해야하며 PE배관의 손상방지를 위한 적정 압축률은 30%임을 확인하였다. 이와같은 내용을 도시가스용 PE배관의 스퀴즈오프 작업 절차에 반영할 예정이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.282-285
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• 2000

Four helical resonators are distributed in a 2 ${\times}$ 2 array by modifying upper part of the conventional reactive ion etching(RIE) type LCD etcher in order to prepare a large area plasma source. Since the resonance condition of the RF signal to the helical antenna, one RF power supply is used for delivering the power efficiently to all four helical resonators without an impedance matching network Previous work of 2 ${\times}$ 2array inductively coupled plasma(ICP)requires one matching circuit to each ICP antenna for more efficient power deliverly Distributions of ion density and electron temperature are measured in terms of chamber pressure, gas flow rate and RF power . By adjusting the power distribution among the four helical resonator units, argon plasma density of higher than 10$\^$17/㎥ with the uniformity of better than 7％ can be obtained in the 620 ${\times}$ 620$\textrm{mm}^2$ chamber.