• 조명전기설비학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.8-12
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• 2002

본 논문은 LCD의 백라이트로서 고휘도를 내는 간단한 구조의 평판형광램프를 연구하였다. 평판형광램프는 ITO glass와 절연층, 형광층, 전극층, gas층으로 구성된다. 이 램프의 방전개시전압은 주파수가 증가하면 감소하며 이러한 경향으로는 gas층에서 트립된 Xe과 Ar 양이온에 기인된 공간방전효과의 결과이다. 높은 구동 주파수에서 uniform 전압의 감소는 초기 구동에서 발생된 남아있는 공간전하에 기인한다. 결과로서 Xe gas를 사용한 평판형광램프는 구동전압 700[ $V_{rms}$], 주파수 80[kHz]에서 2700[cd/ $m^2$]의 휘도, 균일도 96[%], 최대 효율은 51[m/W]를 얻었다.다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제4C권1호
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• pp.5-9
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• 2004

In this paper, pulsed discharge is used to control the luminous color in gas discharge tubes. The luminous color of the positive column in gas discharge tubes filled with Hg-Ar-Ne (1: 9, 60［Torr］) and having no phosphor material, varies from red to blue emitted by the Ne and Hg from the pulsed discharge. With changing of pulse-width and frequency, the electron temperature in the transient period affects changes to the residual ion and metastable atom densities. The first metastable atoms containing energy levels of about 16.6 ［eV］have a very high probability that a collision will result in the ionization potential of Ar being 15.8 [eV]. The change of locus in the CIE chromaticity diagram with increasing pulse-width and frequency approves the variation of luminous color.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권2호
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• pp.146-152
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• 2003

지구온난화의 주요 원인인 $CO_2$를 분해시키기 위하여 Ni-Zn 페라이트와 Mn-Zn 페라이트 코어 제조시 대량으로 배출되는 페라이트 폐기물을 이용하였다. 폐기물 페라이트와 페라이트 코어 완제품인 Ni-Zn 페라이트와 Mn-Zn 페라이트는 5% $H_2$/Ar과의 환원반응에서 14~16wt%가 환원되었다. 환원된 페라이트를 이용한 $CO_2$분해 반응에서는 세 종류의 페라이트 모두 약 11wt%에 해당하는 $CO_2$를 분해하였다. 이 반응에서 $CO_2$는 환원된 페라이트 중 Fe와 FeO치 산화에 의해 분해되었으며. 폐기물 페라이트의 경우 $CO_2$분해 반응 후 스피넬 결정상을 형성하였다. 대량으로 버려지는 폐기물 페라이트를 이용하여 저비용으로 $CO_2$분해가 가능한 폐기물 활용기술을 개발하였다.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.162-167
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• 1992

반응성 RF 스파타 증착법으로 스테인레스 스틸 기판 위에 TiC 박막과 TiN 박막을 증착하였다. 스파타기체로 Ar를, 반응기체로 C2H2와 N2 기체를 사용하였다. 박막의 증착율 은 RF 출력증가에 따라 선형적으로 증가하였으며 스파타기체에 대한 반응 기체의 분압비 증가에 따라 급격하게 감소하였다. 박막의 성분은 TiC 박막의 경우 분압비 0.03에서, TiN 박막의 경우 분압비 0.05에서 stoichiometric한 성분이 된다. 이 TiC, TiN 박막의 morphology와 미세구조 및 계면을 AES, SEM 그리고 TEM으로 조사하였다. 또한 N+ 이온 을 주입하여 N+ 이온 주입효과와 열처리 효과도 조사하였다.

• 한국재료학회지
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• 제4권2호
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• pp.152-158
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• 1994

메탄가스를 반응가스로 하여 플라즈마 화학증착법으로 Diamondlike Carbon(DLC)박막 제작시 박막의 광학적 특성에 미치는 수소가스의 영향을 조사하였다. 수소가스를 보조가스로 사용하는 경우는 불활성가스인 아르곤이나 헬륭의 경우와는 달리 인가전력의 변화에 따라 수소가스의 역할이 다르게 나타났다. Optical band gap의 변화와 FT-IR 분석결과로부터 수소가스에 의한 C-H 결합의 화학적인 에칭과 스퍼터링 및 수소의 박막 내로의 주입 가능성을 예측하고 이를 아르곤과 헬륨을 보조가스로 사용한 경우와 비교하여 그 타당성을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제15권8호
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• pp.548-553
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• 2005

Trivalent cerium$(Ce^{3+})$ activated YAG (yttrium aluminum garnet, $Y_3Al_5O_{12})$) thin films phosphor were deposited on quartz glass substrates by rf magnetron sputtering. The effects of sputtering parameters, annealing atmosphere, and substrates on growing behaviors and luminescent properties were investigated. The sputtering parameters were $O_2/(Ar+O_2)$ gas ratio, rf power, and deposition time. XRD (X-ray diffractometery) spectra exhibited that as-deposited films were amorphous, while they were transformed to the crystalline phases by post-annealing. The crystallinity and the atomic ratio strongly depended on the sputtering gas ratio $O_2/(Ar+O_2)$. High quality YAG:Ce thin films could be obtained at the gas ratio of $50\%$ oxygen. After annealing process, PL (Photoluminescence) spectra excited at 450nm showed a yellow single band at 550nm. The films deposited at the sputtering gas ratio of 50% oxygen exhibited the highest PL intensity.

• 한국재료학회지
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• 제12권1호
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• pp.68-74
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• 2002

The lead has to be removed for the recycling of copper alloy. The lead cannot be removed from the copper alloy by oxidation. It can be removed by the evaporation because of its high vapor pressure. However, rare information is found on removal of lead from copper alloy. The purpose of present work is to provide a fundamental knowledges on the removal of lead from the copper alloy by evaporation. Gas injection was made in molten copper alloy, and the evaporation rate of lead was measured. The influence of Ar gas flow rata(2~4 L/min), initial contents of lead(2~4wt%Pb), temperature(1200~140$0^{\circ}C$) was investigated based on the thermodynamic and the kinetics. The rate constant is increased with increasing flow rate of Ar and temperature. Though amount of lead removed is increased with higher initial lead concentration, the rate constant is not changed significantly. The activation energy is estimated from the temperature dependence of the rate constant. Also removal of lead from the copper by adding chloride was made for the comparison.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.392-392
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• 2010

In this study, high-speed chemical dry thinning process of Si wafer and evolution of surface roughness were investigated. Direct injection of NO gas into the reactor during the supply of F radicals from $NF_3$ remote plasmas was very effective in increasing the Si thinning rate due to the NO-induced enhancement of surface reaction but thinned Si surface became roughened significantly. Addition of Ar gas, together with NO gas, decreased root mean square (RMS) surface roughness of thinned Si wafer significantly. The process regime for the thinning rate enhancement with reduced surface roughness was extended at higher Ar gas flow rate. Si wafer thinning rate as high as $22.8\;{\mu}m/min$ and root-mean-squared (RMS) surface roughness as small as 0.75 nm could be obtained. It is expected that high-speed chemical dry thinning process has possibility of application to ultra-thin Si wafer thinning with no mechanical damage.

• 공업화학
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• 제18권1호
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• pp.24-28
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• 2007

$Cl_2/Ar$ 가스의 고밀도 플라즈마를 이용하여 ZnO 박막에 대한 식각이 연구되었다. $Cl_2$ 가스의 농도, coil rf power, dc-bias 전압, 그리고 공정 압력을 변화시켜서 ZnO 박막의 식각특성을 체계적으로 조사하였다. $Cl_2$ 가스의 농도가 증가할수록 ZnO 박막의 식각 속도는 증가하였고, 식각된 패턴 주변의 재증착은 감소되었지만 식각된 패턴의 측면 경사는 낮아졌다. Coil rf power와 dc-bias 전압이 증가할수록 ZnO 박막의 식각 속도가 증가하였고, 식각 프로파일이 개선되었다. 공정 압력이 증가 할수록 ZnO 박막의 식각 속도가 미세하게 증가하였으나 식각 프로파일의 변화는 관찰되지 않았다. 이러한 결과들을 토대로 하여 ZnO 박막의 최적의 식각 조건이 설정되었다. 재증착이나 잔류물이 없이 대략 $75^{\circ}{\sim}80^{\circ}$의 높은 이방성 식각을 갖는 ZnO 박막의 식각이 20% $Cl_2$ 가스의 농도, 1000 W의 coil rf power, 400 V의 dc-bias 전압, 그리고 5 mTorr의 공정 압력에서 성공적으로 이루어졌다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1512-1514
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• 2001

In this work, PZT thin films were etched as a function of $Cl_2$/Ar and additive $CF_4$ into $Cl_2$(80%)/Ar(20%). The etch rates of PZT films were 1600 $\AA$/min at $Cl_2$(80%)/Ar(20%) gas mixing ratio and 1973 $\AA$/min at 30% additive $CF_4$ into $Cl_2$(80%)/Ar(20%). Therefore the etch rate of PZT in $CF_4/Cl_2/Ar$ plasma is faster than in $Cl_2$/Ar. From XPS and SIMS analysis, metal halides and C-O, FCI and $CClF_2$ were detected. The etching of PZT films in Cl-based plasma is primarily chemically assisted ion etching and the remove of nonvolatile etch byproducts is the dominant step. Consequently, we suggest that the increase of Cl radicals and the volatile oxy-compound such as $CO_y$ are made by adding $CF_4$ into $Cl_2$/Ar plasma. Therefore, the etch rate of PZT in $CF_4/Cl_2/Ar$ plasma is faster than in $Cl_2$/Ar. The etched profile of PZT films was obtained above 70$^{\circ}$ by the SEM micrograph.