• 한국결정성장학회지
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• 제22권3호
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• pp.122-126
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• 2012

$Al_2O_3$ 2 wt%가 도핑 된 ZnO(AZO) 타겟으로RF 스퍼터링 장비를 사용하여 $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율에 따른 AZO 박막을 증착 후, 이들 박막의 특성을 조사하였다. AZO 박막은 $200^{\circ}C$, $2{\times}10^{-2}$ 공정조건에서 $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율을 변화시키면서 증착하였다. AZO박막증착 중 수소가스의 첨가는 박막의 특성에 영향을 미쳤다. $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율이 2.5 %일 때 비 저항(${\sim}9.21{\times}10^{-4}\;{\Omega}cm$)과 전자 이동도(${\sim}17.8\;cm^2/Vs$)는 각각 최소값과 최대값을 나타내었다. $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율이 2.5 % 이상일 때는 $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율이 증가할수록 비저항은 점차로 증가하였고 전자 이동도는 점차적으로 감소하였다. 전자 운반자 농도는 $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율이 증가함에 따라 0 %에서 7.5 %까지 점차로 증가하였다. $H_2/(Ar+H_2)$ 가스 비율에 따라 증착된 박막의 가시광선 파장 범위에서 평균 광 투과도는 90 % 이상이었고 성장방향은 [002]이었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권6호
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• pp.483-488
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• 1999

The optimal mixing condition of four components gas(Ne,Xe,He,Ar) in PDPs was caculated by a numerical simulation method. The dominated reactions in which $Xe^*(^3P_1)$ is produced and decays were investigated in three components gas (Ne,Xe,He) and our new components gas (Ne,Xe,He,Ar). A peak point of $Xe^*$ density appears in the range of 0.1% to 2% of Ar mixture ratio. The results of simulation show that the direct exitation of Xe by electrons has the greatest influence on the inceasing $Xe^*$ density in both gas mixtures.

• 한국자기학회지
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• 제4권1호
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• pp.32-38
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• 1994

조성변조 Co/Pt 다층박막의 자기적 성질 및 자기광학적 성질에 박막제조시 스퍼터링 Ar 가스 압력이 끼치는 영향을 조사하였다. 다층박막을 dc-magnetron 스퍼터링 방법으로 Ar 가스의 압 력을 2에서 30 mTorr 까지 변화시켜 가면서 제조한 후 주사 전자 현미경과 x-ray 회절실험을 이용한 미세구조의 분석과 보자력, 포화 자화량, Kerr 회전각, 반사도등의 자기 및 자기광학적 특성을 조사 하였다. Ar 가스의 압력이 10 mTorr 이하에서는 주상구조(colummar structure)가 형성되지 않다가 20 mTorr 부터 급격히 증가함이 관찰되었고, 이는 초격자 박막의 미세구조의 변화에 기인한다고 사 려된다. 또, 포화 자화량과 Kerr 회전각, 반사율등의 변화를 Ar 가스 압력의 변화에 따른 박막의 미 세구조와 연관지어서 설명하였다.

• 한국자기학회지
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• 제2권2호
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• pp.119-124
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• 1992

조성변조 Co/Pd 초격자 박막 제조시 스퍼터링 Ar기압이 박막의 미세조직에 미치는 방향과 이로 인한 자기 및 자기광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 초격자 박막은 dc-magnetron 스퍼터링 방법으로 각 sublayer의 두께가 $2\;\AA-Co/9\;\AA-Pd$일때, 스퍼터링 Ar가스압력을 2에서 30 mTorr 까지 변화시키면서 제조하였다. Ar기압이 10 mTorr 이상에서 초 격자 박막은 주상구조(columnar structure)를 형성시키면서 성장됨이 관측되었다. Ar기압의 증가에 따라 포화자화값, 자기이방성에너지 및 Kerr 회전각등은 감소하고 보자력은 증가함을 보였다. 이러한 자기 및 자기광학적 특성의 변화는 Ar압력에 따른 초격자 박막의 미세구조 변화에 기인되는 현상으로 설명될 수 있다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제13권1호
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• pp.127-137
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• 1995

The possibility of new GMAW process using economic shielding gases including CO$_{2}$ gas was investigated on the effect of shielding gas on weldabilty. In the optimum welding condition using 600A power source, FCAW process showed low depositions rate, 114 g/min at 300A, but new GMAW using other mixed shielding gases exhibited high deposition rate, 208-224 g/min at 450A. TIME gas, Ar+CO$_{2}$ gas and Ar+CO$_{2}$+O$_{2}$ gas as a shielding gas were able to be used to the very high welding current(450A), moreover TIME gas and Ar+CO$_{2}$ gas showed the highest arc stability among shielding gases studied in this experiments. The weld penetration was performed by axial spray transfer mode of weld droplet. On the basis of workability, weldability and economic point of view, Ar mixture (80%Ar+20%CO$_{2}$) gas was recommended as a shielding gas for the development and application of new GMAW process. This shielding gas showed the low spatter, good weld quality, stable arc and low cost at the region of high welding current.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권5호
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• pp.29-35
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• 1999

Pt박막의 ICP 식각을 위한 Cl\sub 2 \/Ar 가스 플라즈마에 O\sub 2\ 가스를 첨가하여 Pt 식각 메카니즘을 XPS와 QMS로 조사하였다. 또한 single Langmuir probe를 사용하여 이온전류밀도를 Ar/Cl\sub 2 \/O\sub 2\ 가스 플라즈마에서 측정하였다. O\sub 2\가스 첨가비가 증가할수록 Cl과 Ar species가 급격하게 감소하고 이온전류밀도 역시 감소함을 QMS와 single Langmuir probe로 확인하였다. Pt 식각율의 감소는 O\sub 2\가스 첨가비가 증가할수록 반응성 species와 이온전류밀도의 감소에 기인함을 의미한다. 150 nm/min의 치대 식각율과 2.5의 산화막식각 선택비가 50 sccm의 Ar/Cl\sub 2 \/O\sub 2\ 가수 유량, 600 W의 RF 전력, 125 V의 dc 바이어스 전압 및 10mTorr의 반응로 압력에서 얻었다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제30권2호
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• pp.70-75
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• 2012

In this study, effect of nitrogen volume in the shielding gas of Ar-$N_2$ mixing gas on the bead shape, hardness and microstructure of GTA welds of 3mm thick Commercial Pure Ti was investigated. As the nitrogen volume increased, the welding current for full penetration was reduced and hardness in the fusion zone significantly increased compared with that of the base metal, but there is no difference in the hardness of HAZ. Microstructure in the fusion zone with pure Ar gas changed from equiaxed alpha of the base metal to serrated alpha. On the other hand, microstructure using Ar-$N_2$ mixing gas changed to acicular alpha. With the increasing of nitrogen content, the amount of acicular alpha increased and the size of that was fine.

• Journal of Welding and Joining
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• 제28권5호
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• pp.93-98
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• 2010

The properties of GTA weld for ferritic stainless steel have been studied with different $O_2$ contents in Ar shielding gas at the constant welding speed. A small amount of $O_2$ (0.01~1.0%) was mixed in Ar shielding gas in order to improve the weld penetration. The fully penetrated GTA weld was acquired at 160A weld current shielded by pure Ar gas. Addition of oxygen larger than 0.1% made a full penetration at lower weld current than 160A. The small addition of $O_2$ in Ar shielding gas improved the penetration properties of GTA weld because the $O_2$ in the molten pool accelerated the flow of molten pool and changed the flow pattern from outward to inward direction. The impact energy and DBTT (Ductile- Brittle- Transition-Temperature) of the GTA weld shielded by Ar+$O_2$ (less 0.3%) was similar and the corrosion properties of GTA weld was slightly inferior to those of GTA weld shielded by pure Ar gas.

• Journal of Welding and Joining
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• 제12권1호
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• pp.51-58
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• 1994

Amount of spatter, welding conditions and welding costs were investigated for MAG welding. $CO_2$, Ar+18%;$CO_2$ and Ar+8%$O_2$ were used for shielding gases. As results, arc characteristics and appropriate range for welding were obtained. Amount of spatter in Ar+18%$CO_2$ gas welding was 20% of that of $CO_2$ welding, and Ar+8%$O_2$ was 10% of that of $CO_2$ welding. Therefore by using Ar+18%$CO_2$and Ar+8%$O_2$ gases, welding costs could be reduced compared with $CO_2$ welding due to avoiding spatter.

• 열처리공학회지
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• 제25권6호
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• pp.279-282
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• 2012

$SnO_2$ thin films were prepared on the Si substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering and then surface of the films were irradiated with intense Ar ion beam to investigate the effect of Ar ion irradiation on the properties and hydrogen gas sensitivity of the films. From atomic force microscope observation, it is supposed that intense Ar bombardments promote rough surface and increase gas sensitivity of $SnO_2$ films for hydrogen gas. The films that Ar ion beam irradiated at 6 keV show the higher sensitivity than the films were irradiated at 3 keV and 9 keV. These results suggest that the $SnO_2$ thin films irradiated with optimized Ar ion beam are promising for practical high-performance hydrogen gas sensors.