• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1252-1257
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• 2004

This paper describes the information for quantitative simulation of weakly ionized plasma. In previous paper, we calculated the electron transport coefficients by using two-term approximation of Boltzmann equation. But there is difference between the result of the two-term approximation of the Boltzmann equation and experiments in pure CF$_4$ molecular gas and in CF$_4$+Ar gas mixture. Therefore, In this paper, we calculated the electron drift velocity (W) in pure CF$_4$ molecular gas and CF$_4$+Ar gas mixture (1 %, 5 %, 10 %) for range of E/N values from 0.17～300 Td at the temperature was 300 K and pressure was 1 Torr by multi-term approximation of the Boltzmann equation by Robson and Ness. The results of two-term and multi-term approximation of the Boltzmann equation have been compared with each other for a range of E/N.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2010

Magnetic random access memory (MRAM), based on magnetic tunnel junction (MTJ) and CMOS, is one of the best semiconductor memories because it can provide nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage and high storage density. For the realization of high density MRAM, the etching of MTJ stack with good properties is one of a key process. Recently, there has been great interest in the MTJ stack using MgO as barrier layer for its huge room temperature MR ratio. The use of MgO barrier layer will undoubtedly accelerate the development of MTJ stack for MRAM. In this study, high-density plasma reactive ion etching of MgO films was investigated in an inductively coupled plasma of $Cl_2$/Ar gas mixes. The etch rate, etch selectivity and etch profile of this magnetic film were examined on vary gas concentration. As the $Cl_2$ gas concentration increased, the etch rate of MgO monotonously decreased and etch slop was slanted. The effective of etch parameters including coil rf power, dc-bais voltage, and gas pressure on the etch profile of MgO thin film was explored, At high coil rf power, high dc-bais voltage, low gas pressure, the etching of MgO displayed better etch profiles. Finally, the clean and vertical etch sidewall of MgO films was achieved using $Cl_2$/Ar plasma at the optimized etch conditions.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2003년도 가을 학술논문집
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• pp.90-95
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• 2003

환형기체(Annulus Gas) 계통의 화학적 관리는 계통 재질의 건전성 확보와, 계통내 냉각재 또는 감속재 중수 유입 여부 감지 및 방사선량 저감화 등을 통하여 설비의 안전성과 신뢰성을 유지하는데 목적이 있다. 환형기체 계통의 화학 관리절차서 중 CO_2$ 규격 관리는 계통 재질의 건전성 확보와 방사선량 증가에 직결되기 때문에 고순도의 품질 보증이 요구되고 있다. CO_2$의 순도가 기준 값에 미달될 경우는 계통내에 직접적인 영향을 줄뿐 아니라 주변 환경으로의 오염 가능성도 상존하기 때문에 불순물의 정량관리는 매우 중요하다. 따라서 중수로 환형기체 계통에 공급되는 CO_2$ 중의 C, N_2$ 및 Ar등의 농도분석을 통하여 계통내에서 생성 될 수 있는 방사능 inventory를 평가하였으며 CO_2$의 불순물 관리 최적화와 중수로에서 생성되는 기체 방사성 폐기물 관리에 유용한 정보로 사용 될 수 있을 것이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.286-291
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• 1998

$RuO_2$를 하부 전극으로 적용하여 스퍼터링 가스의 주입비($Ar/O_2$ratio) 변화에 따른 $SrTiO_3$ 박막의 물성을 고찰하였다. 플라스마 가스내 $Ar/O_2$비 변화가 결정성, 표면 morphology등의 $SrTiO_3$ 박막의 미세구조에 큰 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 플라스마 가스내의 산소량이 증가함에 따라 박막의 표면 morpholgy 및 상형성의 향상을 통하여 $SrTiO_3$박막의 전기적 특성을 개선할 수 있음을 관찰하였다. 산소의 양이 증가할수록 ST 박막의 누설전류는 $2.0{\times}10^{-6}A/{\textrm}{cm}^2(Ar/O_2=10/0)$에서 $3.8{\times}10^{-7}A/{\textrm}cm^2(Ar/O_2=5/5)$로 감소하였고, 유전 상수값은 $70(Ar/O_2=10/0)$에서 $190(Ar/O_2=5/5)$으로 증가하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권4호
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• pp.75-81
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• 2018

Cu-Cu 웨이퍼 본딩 강도를 향상시키기 위한 Cu 박막의 표면처리 기술로 $Ar-N_2$ 플라즈마 처리 공정에 대해 연구하였다. $Ar-N_2$ 플라즈마 처리가 Cu 표면의 구조적 특성에 미치는 영향을 X선 회절분석법, X선 광전자 분광법, 원자간력현미경을 이용하여 분석하였다. Ar 가스는 플라즈마 점화 및 이온 충격에 의한 Cu 표면의 활성화에 사용되고, $N_2$ 가스는 패시베이션(passivation) 층을 형성하여 -O 또는 -OH와 같은 오염으로부터 Cu 표면을 보호하기 위한 목적으로 사용되었다. Ar 분압이 높은 플라즈마로 처리한 시험편은 표면이 활성화되어 공정 이후 더 많은 산화가 진행되었고, $N_2$ 분압이 높은 플라즈마 시험편에서는 Cu-N 및 Cu-O-N과 같은 패시베이션 층과 함께 상대적으로 낮은 수치의 산화도가 관찰되었다. 본 연구에서는 $Ar-N_2$ 플라즈마 처리가 Cu 표면에서 Cu-O 형성 억제 반응에 기여하는 것을 확인할 수 있었으나 추가 연구를 통하여 질소 패시베이션 층이 Cu 웨이퍼 전면에 형성되기 위한 플라즈마 가스 분압 최적화를 진행하고자 한다.

• 한국가스학회지
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• 제15권6호
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• pp.1-7
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• 2011

도시가스 공급시설에서 위험인자의 계측은 근래까지 인력에 의하여 측정 및 확인되었으며 유선통신을 이용하여 원격모니터링 시스템으로 진화해왔다. 더 나아가 국내/외 산업시설은 무선통신 기반 원격 모니터링 시스템 및 제어 시스템을 개발하여 관리의 효율성을 향상시켜왔다. 그러나 외부에서 데이터를 확인이 즉각적으로 확인하기 위해서는 유선으로 PDA나 노트북에 연결함으로써 효율성과 편의성이 감소되기 때문에 본 논문은 증강현실 기반 모바일 도시가스 안전관리 시스템을 개발하여 도시가스 공급시설의 안전관리 효율성을 개선하고자 한다.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2005년도 춘계학술발표대회 개요집
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• pp.209-211
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• 2005

Super duplex stainless steels have been used for offshore oil and gas piping systems which are subject to corrosion atmosphere, because they have excellent resistance to Stress Corrosion Cracking (SCC) and Pitting corrosion and high strength/weight ratio. Normally, the welding for duplex stainless steels has been peformed using GTAW with Ar shielding gas. However, in case of using Ar as shielding gas, the corrosion resistance at root weld metal will be deteriorated due to loss of nitrogen from weld deposit during welding. It is wellknown that the corrosion resistance of super duplex stainless can be restored by addition of nitrogen as shielding gas. In this study, we made super duplex welding with using several kinds of shielding and purging gases and investigated the relationship between shielding gas and corrosion resistance. Consequently, it was shown that corrosion resistance of weld deposit can be restored by addition of $N_{2}$ as shielding gas.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.163-166
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• 2006

Energy distribution function for electrons in $SF_6$-Ar mixtures gas used by MCS-BEq algorithm has been analysed over the E/N range 30${\sim}$300(Td) by a two term Boltzmann equation and by a Monte Carlo Simulation using a set of electron cross sections determined by other authors, experimentally the electron swarm parameters for 0.2(%) and 0.5(%) $SF_6$-Ar mixtures were measured by time-of-flight(TOF) method, The results show that the deduced longitudinal diffusion coefficients and transverse diffusion coefficients agree reasonably well with theoretical for a rang of E/N values The results obtained from Boltzmann equation method and Monte Carlo simulation have been compared with present and previously obtained data and respective set of electron collision cross sections of the molecules.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.52-55
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• 2000

In this study, (Ba,Sr)$TiO_3$(BST) thin films were etched with a magnetically enhanced inductively coupled plasma(MEICP) as a function Ar/$CF_4$ gas mixing ratio. Experiment was done by varying the etching parameters such as rf power, dc bias voltage and chamber pressure. The maximum etch rate of the BST films was 1700 ${\AA}/min$ under $CF_4/(CF_4+Ar)$ of 0.1, 600 W/350 V and 5 mTorr. The selectivity of BST to Pt and PR was 0.6, 0.7, respectively. X -ray photoelectron spectroscopy(XPS) studies shows that there are surface reaction between Ba, Sr, Ti and C, F radicals during the etching. To analyze the composition of surface residue remaining after the etching, films etched with different $CF_4$/Ar gas mixing ratio were investigated using XPS.

• 전기학회논문지P
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• 제64권3호
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• pp.125-129
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• 2015

Energy distribution function for electrons in SF6-Ar mixtures gas used by MCS-BEq algorithm has been analysed over the E/N range 30~300[Td] by a two term Boltzmann equation and a Monte Carlo Simulation using a set of electron cross sections determined by other authors experimentally the electron swarm parameters for 0.2[%] and 0.5[%] $SF_6-Ar$ mixtures were measured by time-of-flight(TOF) method, The results show that the deduced longitudinal diffusion coefficients and transverse diffusion coefficients agree reasonably well with theoretical for a rang of E/N values. The results obtained from Boltzmann equation method and Monte Carlo simulation have been compared with present and previously obtained data and respective set of electron collision cross sections of the molecules.