• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• v.27 no.7
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• pp.1300-1305
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• 2017

A rod shaped, aerobic, Gram-stain-negative, and motile bacterium, strain $AR2^T$, was isolated from a water sample of Yeongsan river, Republic of Korea. Strain $AR2^T$ clustered closely with the members of the genus Chitinimonas and showed the highest 16S rRNA gene sequence similarity with Chitinimonas prasina $LY03^T$ (96.4%), Chitinimonas viridis $HMD2169^T$ (96.4%), Chitinimonas taiwanensis $cf^T$ (96.2%), and Chitinimonas koreensis $R2A43-10^T$ (94.2%). The predominant fatty acids of strain $AR2^T$ were identified to be summed feature 3 (comprising $C_{16:1}{\omega}7c$ and/or $C_{16:1}{\omega}6c$), $C_{16:0}$, and $C_{10:0}3-OH$. Diphosphatidylglycerol, phosphatidylglycerol, and phosphatidylethanolamine were found to be the major polar lipids. The genomic DNA G+C content was 60.4 mol%. Based on the polyphasic characterization, the isolated strain $AR2^T$ is described as a representative of a novel species in the genus Chitinimonas, for which the name Chitinimonas naiadis sp. nov. (type strain =$AR2^T$ =KCTC $42755^T$ =JCM $31504^T$) is proposed.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2016.05a
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• pp.111-111
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• 2016

최근 전 세계적으로 이상기후로 인해 극한 사상의 기후현상이 잦아지고 있으며 그로인한 피해가 확산되면서 관심이 높아지고 있다. 특히, 국내하천의 경우 높은 하상계수를 가지고 있는 만큼 수자원보전에 취약하고 수질의 문제 또한 대두되고 있다. 4대강 중 하나인 낙동강에는 8개의 보가 설치되었고 유역에 안동, 임하, 합천, 남강, 밀양댐 등 다기능댐이 있어 댐의 방류량이 낙동강의 유량에 큰 영향을 미치고 있다. 낙동강의 유량 및 수질을 관리하기 위해서는 이러한 현황들을 반영하여 유역관리를 포함한 통합적인 유량 및 수질관리가 필요하다. 본 연구에서는 IPCC에서 제공하는 AR5 RCP4.5 시나리오를 분위사상법(Quantile mapping)과 CF 다운스케일링 기법을 사용하여 유역에 맞게 상세화를 수행하였으며, 검 보정을 거친 SWAT 모형의 입력자료로 사용하여 낙동강 유역의 본류 및 지류의 미래 유출량 및 오염부하량을 예측하였다. 낙동강 유역에서의 미래기후변화 시나리오를 분석한 결과, 비홍수기에 32.3%, 홍수기에 31.1% 증가하는 것으로 나타났고, 2041 ~ 2070년도에 6%까지 증가하였다가 2071 ~ 2100년에 0.4% 감소하였다. 미래기후변화 시나리오를 SWAT 모형에 적용한 결과로는 주요 8개 지류에서 비슷한 패턴을 보였으며, 위천과 남강에서 각각 최대 45.5%, 16.6% 유출량이 증가하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.95-95
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• 2009

대기압 플라즈마 발생장치를 이용한 식각장비 개발은 낮은 공정단가, 저온 공정, 다양한 표면처리 응용 효과와 같은 이점을 가지고 있어 현재, 많은 분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는, dielectric barrier discharge(DBD) 방식을 이용한 대기압 발생장치를 통해 평판형 디스플레이 제작에 응용이 가능한 $SiO_2$ 층의 식각에 대한 연구를 하였다. $N_2/NF_3$ gas 조합에 $CF_4$ 또는 $C_{4}F_{8}$ gas를 부가적으로 첨가하였다. 이때 N2 60 slm / NF3 600 sccm/CF4 7 slm/Ar 200 sccm의 gas composition에서 최대 260 nm/min의 식각 속도를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.478-478
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• 2010

대기압 플라즈마 공정은 진공 플라즈마 공정에 비해 장치의 경제성 및 규모면에서 많은 장점을 갖고 있어 대기압 공정에 대한 연구가 필요하다. 본 연구는 대기압 DC Arc Plasmatron을 이용하여 기체의 유량, 전류, plasmatron과 Si wafer 간의 거리를 변화시켜 이에 대한 Si wafer에 식각률(etching rate)을 확인하고 최적화 하였다. Ar은 2000sccm, $CF_4$는 50, 100sccm, 그리고 $O_2$는 0~1000sccm의 유량에 변화를 주었고 전류는 50A, 70A에서 식각하였다. 분석을 위해 Si wafer를 SEM(scanning electron microscope) 측정을 하였고, 그 결과 전류는 70A에서 기체 유량은 $CF_4$는 100sccm, $O_2$는 500sccm 일 때 식각률이 높게 나타났다. 그리고 전류와 유량을 위와 같은 조건에서 Plasmatron과 Si wafer 간의 거리를 5mm~15mm 변화를 주었을 때 Si wafer에 식각률을 측정해 본 결과 거리가 5mm일 때 식각률이 가장 높음을 확인 할 수 있었다. 아울러 거리를 변화시켰을 때가 유량이나 전압을 변화시킨 것 보다 식각률의 변화가 큰 경향을 보임을 알 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.30 no.7
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• pp.1579-1582
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• 2009

The reaction rates of 4-X-2,6-dinitrochlorobenzenes (X = $NO_2,\;CN,\;CF_3$) with Y-substituted pyridines (Y = 3-$OCH_3,\;H,\;3-CH_3,\;4-CH_3$) in methanol-acetonitrile mixtures were measured by conductometry at 25 ${^{\circ}C}$. It was observed that the rate constant increased in the order of X = 4-$NO_2\;>\;4-CN\;>\;4-CF_3$ and the rate constant also increased in the order of Y = 4-$CH_3\;>\;3-CH_3\;>\;H\;>\;3-OCH_3$. When the solvent composition was varied, the rate constant increased in order of MeCN > 50% MeOH > MeOH. The electrophilic catalysis by methanol may be ascribed to the formation of hydrogen bonds between alcoholic hydrogen and nitrogen of pyridines in ground state. Based on the transition parameters, ${\rho}_S,\;{\rho}_N,\;{\beta}_Y,\;{\rho}_{XY}$ and solvent effects, the reaction seems to proceed via $S_N$Ar-Ad.E mechanism. We also estimated the isokinetic solvent mixtures (${\rho}_{XY}$ = 0) based on cross-interaction constants, where the substituent effects of the substrate and nucleophile are compensated.

• The Korean Journal of Applied Statistics
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• v.23 no.4
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• pp.683-692
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• 2010

This short article is concerned with a categorical time series obtained after clipping a heteroscedastic GARCH process. Estimation methods are discussed for the model parameters appearing both in the original process and in the resulting binary time series from a clipping (cf. Zhen and Basawa, 2009). Assuming AR-GARCH model for heteroscedastic time series, three data sets from Korean stock market are analyzed and illustrated with applications to calculating certain probabilities associated with the AR-GARCH process.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2002.06b
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• pp.229-232
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• 2002

In this paper, etching characteristics of Zr-silicate in Ar/ClrCH4 plasma is studied, and possible plasma damage is investigated by fabricating MIS capacitors. We'could increase the selectivity to near 2 while keeping the etch rate of Zr-silicate to about 70 nm/min. Leakage current and flat band voltage shift of PUZr-silicate/si capacitors are measured before and after plasma etching. Using capacitor patterns with the same area but different circumference lengths, we try to separate etching damage mechanisms and to optimize the process. The leakage current of 1.2$\times$10-3 A/cm2 and smaller capacitance variation of 0.2 nF at -2V are obtained in Ar/Cl2/CF4 plasma at 200 W RF power

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.402-402
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• 2012

최근 반도체 공정 중 fluorocarbon (CxHyFz) 가스와 함께 플라즈마 밀도가 큰 유도결합형 플라즈마을 사용한 식각장비가 많이 사용되고 있다. 특히 저 유전상수 값을 가지는 박막을 밀도가 큰 플라즈마와 함께 fluorocarbon 가스를 이용하여 식각을 하게 되면 매우 복잡한 현상이 생긴다. 따라서 식각률에 대한 모델을 세우고 적용하는 일이 매우 어렵다. 본 연구에서는 CF4가스를 Ar가스와 함께 혼합하고 기판 플라즈마와 유도결합형 플라즈마를 동시에 가진 식각장비를 사용하여, 저 유전상수 값을 갖는 박막을 식각하였다. 또한, 간단한 식각모델인 Langmuir adsorption model를 이용하여 식각률(Etch rate)에 대한 합리적인 이해를 얻기 위해, 기판과 유도결합형 플라즈마의 파워에 따른 식각률을 계산하고, 식각모델에서 사용되는 매개변수인 이온플럭스(Ion Flux)와 식각수율(Etch yield)을 연구하였다. 기판의 플라즈마 파워가 20에서 100 W 증가하면서 식각률이 269에서 478 nm/min로 증가하였으며, 식각수율이 0.4에서 0.59로 증가하는 것을 관찰하였다. 반면에 기판의 플라즈마 파워 증가에 따라 이온 플럭스는 3.8에서 $4.7mA/cm^2$로 변화가 크지 않았다. 또한, 유도결합형 플라즈마의 파워가 100에서 500 W 증가하면서, 식각률이 117에서 563 nm/min로 증가하였으며, 이온플럭스가 1.5에서 $6.8mA/cm^2$으로 변화하였다. 그러나, 식각수율은 0.46에서 0.48로 거의 변화하지 않았다. 그러므로 저 유전상수 값을 가지는 박막 식각의 경우, 기판의 플라즈마는 식각수율을 증가시키며 유도결합형 플라즈마는 이온 플럭스를 증가시켜 박막 식각에 기여하는 것으로 사료된다.

• Nutrition Research and Practice
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• v.17 no.1
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• pp.32-47
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• 2023

BACKGROUND/OBJECTIVES: Benign prostatic hyperplasia (BPH) characterized by an enlarged prostate gland is common in elderly men. Corni Fructus (CF) and Schisandrae Fructus (SF) are known to have various pharmacological effects, including antioxidant and anti-inflammatory activities. In this study, we evaluated the inhibitory efficacy of CF, SF, and their mixture (MIX) on the development of BPH using an in vivo model of testosterone-induced BPH. MATERIALS/METHODS: Six-week-old male Sprague-Dawley rats were randomly divided into seven groups. To induce BPH, testosterone propionate (TP) was injected to rats except for those in the control group. Finasteride, saw palmetto (SP), CF, SF, and MIX were orally administered along with TP injection. At the end of treatment, histological changes in the prostate and the level of various biomarkers related to BPH were evaluated. RESULTS: Our results showed that BPH induced by TP led to prostate weight and histological changes. Treatment with MIX effectively improved TP-induced BPH by reducing prostate index, lumen area, epithelial thickness, and expression of BPH biomarkers such as 5α-reductase type 2, prostate-specific antigen, androgen receptor, and proliferating cell nuclear antigen compared to treatment with CF or SF alone. Moreover, MIX further reduced levels of elevated serum testosterone, dihydrotestosterone, and prostate-specific antigen in BPH compared to the SP, a positive control. BPH was also improved more by MIX than by CF or SF alone. CONCLUSIONS: Based on the results, MIX is a potential natural therapeutic candidate for BPH by regulating 5α-reductase and AR signaling pathway.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.4
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• pp.1-6
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• 2000

Recently, SrBi$_{2}$Ta$_{2}$ $O_{9}$(SBT) and Pb(Zr,Ti) $O_{3}$(PZT) were much attracted as materials of capacitor for ferroelectric random access memory(FRAM) with higher read/ write speed, lower power consumption and nonvolartility. SBT thin film has appeared as the most prominent fatigue free and low operation voltage. To highly integrate FRAM, SBT thin film has to be etched. A lot of papers have been reported over growth of SBT thin film and its characteristics. However, there are few reports about etching SBT thin film owing to difficult of etching ferroelectric materials. SBT thin film was etched in CF$_{4}$Ar plasma using magnetically enhanced inductively coupled plasma (MEICP) system. In order to investigate the chemical reaction on the etched surface of SBT thin films, X-ray Photoelecton spectrosocpy (XPS) and Secondary ion mass spectroscopy(SIMS) was performed.