The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.43
no.3
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pp.442-446
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1994
In this study, microwave dielectric properties of 0.182BaO-0.818TiOS12T ceramics were investigated with sintering temperature and annealing time, and the application for the microwave dielectric resonator was studied. In the specimen simtered at 1400[$^{\circ}C$], dielectric constant, unloaded Q and temperature coefficient of resonant frequency had good values of 35.36, 5692, -4.43[ppm/$^{\circ}C$], respectively. The specimen which temperature coefficient of resonant frequency($\tau$f) was vared positive to negative value was selected, thereafter microwave dielctric properties was investigated with annealing time(0~4[hr]) in the fixed annealing temperature of 1350[$^{\circ}C$]. Increasing the annealing time, dielectric constant and unloaded Q were increased and temperature coefficient of resonant frequency was decreased.
The NiMn/NiFe bilayer structure which was short time annealed in order to induce unidirectional anisotropy were studied as a function of annealing temperature. The maximum exchange bias field of NiMn/NiFe bilayer was presented at $250^{\circ}C$ after short time annealing process with no external field. The appearance of exchange bias was due to phase transformation of NiMn layer. In plane angular dependence of a resonance field distribution which measured by FMR was analysed as a combined effect of unidirectional anisotropy and uniaxial anisotropy. The resonance field and the line width from FMR measurement were also analysed with annealing temperature.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.18
no.5
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pp.1227-1234
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1994
A cold spot temperature control system for the batch annealing furnace has been established in order to reduce energy consumption which is essential to improve productivity and stabilize the properties of products. A relationship between annealing cycle time and gas flow rate is developed and also for the variation of coil cold spot temperature with time during heating, and actual temperature measurements at mid-width of each coil during soaking. The results of the temperature variation effect on the cold rolled steel sheet batch annealing are as follows. (1) Cooling rate increasing gradually with increasing atmospheric gas flow, but heating rate is hardly increasing without atmospheric gas component change. (2) In case of short time heating, the slowest heating part is the center of B coil and in case of ling time heating, the low temperature point moves from the center of coil to inside coil. (3) The outside of top coil is the highest temperature point under heating, which becomes the lowest temperature point under cooling. (4) Soaking time determination depends on the input coil width, and soaking time for quality homogenization of 1214 mm width coil must be 2 hours longer than that of 914 mm width coil.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.371-372
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2012
We have studied lead-based gapless semiconductors, $PbPdO_2$, which is very sensitive to external parameters such as temperature, pressure, electric field, etc[1]. We have fabricated pure $PbPdO_2$, Co- and Mn-doped $PbPdO_2$ thin films using the pulsed laser deposition. Because of the volatile element of Pb, it is very difficult to grow the films. Note that in case of $MgB_2$, Mg is also volatile element. So in order to enhance the quality of $MgB_2$, some experiments are carried out in annealing with Mg-rich atmosphere [2]. This annealing process with volatile element plays an important role in making smooth surface. Thus, we applied such process to our studies of $PbPdO_2$ thin films. As a result, we found the optimal condition of ex-situ annealing temperature ${\sim}650^{\circ}C$ and time ~12 hrs. The ex-situ annealing brought the extreme change of surface morphology of thin films. After ex-situ annealing with PbO-rich atmosphere, the grain size of thin film was almost 100 times enlarged for all the thin films and also the PbO impurity phase was smeared out. And from X-ray diffraction measurements, we determined highly crystallized phases after annealing. So, we measured electrical and magnetic properties. Because of reduced grain boundary, the resistivity of ex-situ annealed samples changed smaller than no ex-situ sample. And the carrier densities of thin films were decreased with ex-situ annealing time. In this case, oxygen vacancies were removed by ex-situ annealing. Furthermore, we will discuss the transport and magnetic properties in pure $PbPdO_2$, Co- and Mn-doped $PbPdO_2$ thin films in detail.
Purpose This study develops a heuristic algorithm to solve the time-resource tradeoffs in project scheduling problems with a real basis. Design/methodology/approach Resource constrained project scheduling problem with time-resource tradeoff is well-known as one of the NP-hard problems. Previous researchers have proposed heuristic that minimize Makespan of project scheduling by deriving optimal combinations from finite combinations of time and resource. We studied to solve project scheduling problems by deriving optimal values from infinite combinations. Findings We developed heuristic algorithm named Push Algorithm that derives optimal combinations from infinite combinations of time and resources. Developed heuristic algorithm based on simulated annealing shows better improved results than genetic algorithm and further research suggestion was discussed as a project scheduling problem with multiple resources of real numbers.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.12
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pp.1003-1010
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2000
Thin films of vanadium oxide(VOx) have been deposited by r.f. magnetron sputtering from V$_2$O$\_$5/ target in gas mixture of argon and oxygen. Crystal structure, surface morphology, chemical composition, molecular structure and optical properites of films in-situ annealed in O$_2$ambient with various heat-treatment conditions are characterized through XRD, SEM, AES, RBS, RTIR and optical absorption measurements. The films annealed below 200$\^{C}$ are amorphous, and those annealed above 300$\^{C}$ are polycrystalline. The growth of grains and the transition of vanadium oxide into the higher oxide have been observed with increasing the annealing temperature and time. The increase of O/V ratio with increasing the annealing temperature and time is attributed to the diffusion of oxygen and the partial filling of oxygen vacancies. It is observed that the oxygen atoms located on the V-O plane of V$_2$O$\_$5/ layer participate more readily in the oxidation process. Also indirect and direct optical band gaps were increased with increasing the annealing temperature and time.
The influence of quenching temperature and annealing time on superconducting characteristics has been investigated for a $(Pb_{0.6}V_{0.4})Sr_2(Ca_{0.65}Er_{0.35})Cu_2O_z$ compound. From the resistivity measurements for samples annealed at $400^{\circ}C$ to $860^{\circ}C$ in oxygen and subsequently quenched, it is observed that $T_c$(zero) of the sample decreases with the increase of annealing temperature up to $600^{\circ}C$ and increases again beyond $700^{\circ}C$. Annealings of the sample at $860^{\circ}C$ show that $T_c$(zero) goes through a maximum of 62K with the increase of the annealing time. It is also found that $T_c$(zero) of the sample quenched from high temperature decreases when the sample is subjected to low temperature annealing below. $600^{\circ}C$ in oxygen. The experimental results indicate that the as-prepared samples contain excessive oxygen and removal of this excessive oxygen in as-prepared samples is a key factor in controlling the superconducting properties of the samples and are discussed in connection with thermal gravimetric measurements.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.8
no.4
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pp.161-165
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2007
In this work, Ni thin films with different thickness from $1,523{\AA}\;to\;9,827{\AA}$ were deposited for the application of micro thermal flow sensors by a magnetron sputtering and oxidized through annealing at $450^{\circ}C$ with increasing annealing time. The initial variation of resistivity decreased radically with increasing films thickness, then gradually stabilizes as the thickness increases. The resistivity of Ni thin films with $3,075{\AA}$ increased suddenly with increasing annealing time at $450{\circ}C$, then gradually stabilizes as the thickness increases after the annealing time 9 h. In case of $3,075{\AA}\;and\;9,827{\AA}$ films, the average of TCR values, measured for the operating temperature range of $0^{\circ}C\;to\;180^{\circ}C$, were $2,413.1ppm/^{\circ}C\;and\;4,438.5ppm/^{\circ}C$, respectively. Because of their high resistivity and very linear TCR, Ni oxide thin films are superior to pure Ni and Pt thin films for flow and temperature sensor applications.
The iron-based Metglas 2605S3A amorphous alloy ribbons are annealed at $435^{\circ}C$ for various periods from 5 to 210 min, and the effect of annealing is investigated on the dc magnetic properties of the ribbon. Typical square-type hysteresis loops are observed for the ribbons annealed fo 5 min, indicative of the nearly complete removal of residual stresses which are produced during melt-quenching. As the annealing time increases, the coercivity increases and the shape of hysteresis loops transforms to round type and finally to sheared one at the longest annealing time of 210 min. These results may be explained by the formation of clusters with chemical shortorder and very fine crystallites (at the annealing time of 210 min), and the diffusion-induced stresses during the formation of the clusters. For the samples annealed for 5 min, very good dc properties of the squareness ratio, coercivity and maximum permeability are observed, but, rather unexpectedly, the initial permeability is found to be very low. These results are considered to be due to a simple domain structure consisting of very small number of $^{\circ}$ domains.
The variations of the glass transition, melting peaks, molecular weight and its distribution (polydispersity index: PI) due to the annealing temperature and time have been investigated using the thermoplastic segmented polyurethanes (TPUs) and its blends based on the contents of hard segment. The position of the melting peak and its magnitude have been increased with the annealing temperature and time. This may be arised from the rearrangement of the microdomain structure due to the long-range or short-range segmental motion, the order-disorder transition of non-crystalline microphase, the variation of the domain size or the degree of disorder of crystalline structure by given different thermal histories. The annealing temperature and time affected the molecular weights and polydispersity : the number and weight average molecular weights were increased, while the polydispersity index (PI) deceased at certain temperatures : for TPU-35 at $135^{\circ}C$, for TPU-44 at $170^{\circ}C$ and for TPU-53 at $180^{\circ}C$. The temperatures which give the variations in molecular weights and in PIs are consistent with the annealing temperatures of which $T_3$ solely exists for each sample. Thus it is suggested that the chain dissosiation and recombination simultaneously occur at the above mentioned temperature for each sample.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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