This study was aimed at estimation of gas-particle partitioning of polychlorinated biphenyls (PCBs) in ambient air. The samples were collected at urban site in Japan from March 2002 to January 2003. The concentration of total PCBs (from 4 CB to 10 CB) and TEQ (Toxic equivalent) ranged from 62 to $247\;pg/m^3$ and from 2 to $14\;fgTEQ/m^3 $, respectively. The average contribution $(\%)$ of gas phase to total PCBs concentration was above $80\%$, which suggests that in the atmosphere PCBs predominantly existed in the gas phase. The weak correlations between total PCBs concentration and temperature was found. However this result was due to a typhoon during summer and raining during sampling period. The gas-particle partition coefficient (Kp) was obtained as a function of temperature. The partition ratio of gaseous and particulate phase PCBs can be estimated for an arbitrary temperature. The plot of gas/particle partition coefficient (log Kp) vs. sub-cooled liquid vapor pressure $(log\;P_L)$ had reasonable correlations for individual samples but the slope varied among the samples (coefficients of determination for log Kp versus log $P_L$ plot were> 0.76 $(p<0.0001)$, except for 3 samples). As a result, the variations in the slope among the sampling period may be due to change of temperature, raining during sampling period and wind in this study.
NDIR $CO_2$ gas sensor was built with ASIC implemented thermopile sensor which included temperature sensor and unique elliptical waveguide structures in this paper. The temperature dependency of dual infrared sensor module ($CO_2$ and reference IR sensors) has been characterized and its output voltage characteristics according to the temperature and gas concentration were proposed for the first time. NDIR $CO_2$ gas and reference IR sensors showed linear output voltages according to the variation of ambient temperatures from 243 K to 333 K and their slopes were 14.2 mV/K and 8.8 mV/K, respectively. The output voltages of temperature sensor also presented a linear dependency according to the ambient temperature and could be described with V(T)=-3.191+0.0148T(V). The output voltage ratio between $CO_2$ and reference IR sensors revealed irrelevant to the changes of ambient temperatures and gave a constant value around 1.6255 with standard deviation 0.008 at 0 ppm. The output voltage of $CO_2$ gas sensor at zero ppm $CO_2$ gas consisted of two components; one is caused by the HPB (half pass-band) of IR filter and the other is attributed to the part of $CO_2$ absorption wavelength. The characteristics of output voltages of $CO_2$ gas sensor could be accurately modeled with three parameters which are dependent upon the ambient temperatures and represented small average error less than 1.5% with 5% standard deviation.
본 연구에서는 디이젤분무 주위기체의 유동특성중에서 유동속도에 관하여 보 고 하였다. 본모에서는 분무기간중 분사압력의 시간경과특성이 상이한 두 종류의 분 사계를 사용하여 생성된 분무와 주위 기체와의 유동방향의 시간경과 및 유입시기, 정 상유입속도 도달시간등을 분무의 축방향과 반경방향에 대하여 상세한 측정결과를 얻었 기에 보고한다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제10권6호
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pp.203-207
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2009
We have investigated the effect of ambient gases on the structural, electrical, and optical characteristics of ITO thin films intended for use as anode contacts in OLED (organic light emitting diodes) devices. These ITO thin films are deposited by radio frequency (RF) magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar+$O_2$, and Ar+$H_2$) at $300{^{\circ}C}$. In order to investigate the influences of the oxygen and hydrogen, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.5 sccm to 5 sccm and from 0.01 sccm to 0.25 sccm, respectively. The intensity of the (400) peak in the ITO thin films increased with increasing $O_2$, flow rate whilst the (400) peak was nearly invisible in an atmosphere of Ar+$H_2$. The electrical resistivity of the ITO thin films increased with increasing $O_2$ flow rate, whereas the electrical resistivity decreased sharply under an Ar+$H_2$ atmosphere and was nearly similar regardless of the $H_2$ flow rate. The change of electrical resistivity with changes in the ambient gas composition was mainly interpreted in terms of the charge carrier mobility rather than the charge carrier concentration. All the films showed an average transmittance of over 80% in the visible range. The OLED device was fabricated with different ITO substrates made with the configuration of ITO/$\alpha$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al in order to elucidate the performance of the ITO substrate. Current density and luminance of OLED devices with ITO thin films deposited in Ar+$H_2$ ambient gas is the highest among all the ITO thin films.
RuOx thin films were fabricated by the method of liquid delivery MOCVD using Ru(C$_{8}$$H_{13}$$O_2$)$_3$ as the precursor and their thermal effects and conductivity were investigated. Ru films deposited at 25$0^{\circ}C$ were annealed at $650^{\circ}C$ for 1min with Ar, $N_2$ or N $H_3$ ambient. The changes of the micro-structure, the surface morphology and the electrical resistivity of the Ru films after annealing were studied. Ar gas was more effective than $N_2$ and N $H_3$ gases as an ambient gas for the post annealing of the Ru films, because of smaller resistivity and denser grains. The X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy results indicate that the Ru $O_2$ phase and the silicidation are not observed regardless of the ambient gases. The minimum resistivity of the Ru film is found to have the value of 26.35 $\mu$Ω-cm in Ar ambient. Voids were formed at Ru/TiN interface of the Ru layer after annea1ing in $N_2$ ambient. The $N_2$ gas generated due to the oxidation of the TiN layer accumulated at the Ru/TiN interface, forming bubbles; consequently, the stacked film may peel off the Ru/TiN interface.e.
Si thin films on p-type (100) Si substrate have been fabricated by pulsed laser deposition technique using a Nd:YAG laser. The pressure of the environmental gas during deposition was varied from 1 to 3 Torr. After deposition, Si thin film has been annealed again at nitrogen ambient. Strong violet-indigo photoluminescence have been observed from Si thin film annealed in nitrogen ambient gas. As increasing environmental gas pressure, weak green and red emissions from annealed Si thin films also observed by photoluminescence.
This basic study is required to examine spray or jet behavior depending on fuel phase. In this study, analyses of diesel fuel(n-Tridecane, $C_{13}H_{28}$) spray and natural gas fuel(Methane, $CH_4$) jet under high temperature and pressure are performed by a general-purpose program, ANSYS CFX release 11.0, and the results of these are compared with experimental results of diesel fuel spray using the exciplex fluorescence method. The simulation results of diesel spray is analyzed by using the combination of Large-Eddy Simulation(LES) and Lagrangian Particle Tracking(LPT) and of a natural gas jet is analyzed by using Multi-Component Model(MCM). There are two study variables considered, that is, ambient pressure and injection pressure. In a macroscopic analysis, the higher ambient pressure is, the shorter spray or jet tip penetration is at each time after start of injection. And the higher injection pressure is, the longer spray or jet tip penetration is at each time after start of injection. When liquid fuel is injected, droplets of the fuel need some time to evaporate. However, when natural gas fuel is injected, the fuel does not need time to evaporate. Gas fuel consists of minute particles. Therefore, the gas fuel is mixed with the ambient gas more quickly at the initial time of injection than the liquid fuel is done. The experimental results also validate the usefulness of this analysis.
가스터빈 이차 유로의 프리스월 시스템은 터빈의 효율을 높이고 소재의 수명을 연장하기 위해 설치되는 냉각 장치이다. 본 연구에서는 프리스월 시스템의 설계점을 기준으로 가스터빈 외기 온도와 터빈 부하 변화에 따른 탈설계점 분석을 수행하였다. 탈설계점에서 내부 유동의 특성을 분석하기 위하여 유량계수와 단열계수를 비교하였다. 터빈 부하 증가에 따라 시스템 내부 냉각 공기의 체적 유량이 증가하였고, 단열계수 또한 20% 터빈 부하와 비교하여 100% 터빈 부하에서 30.46% 상승하였다. 외기 온도가 증가할수록 질량 유량과 냉각 공기의 밀도는 감소하였지만 체적 유량은 상승하였으며, 결과적으로 프리스월 시스템 내부의 냉각 성능은 향상되었다. 프리스월 시스템 출구에서 -20℃ 외기 온도와 비교하여 55℃ 외기 온도의 단열계수는 14.82% 향상되었다.
We have investigated the effect of ambient gases on the structural, electrical, and optical characteristics of IZO thin films intended for use as anode contacts in the organic light emitting diodes (OLED) devices. These IZO thin films were deposited on the PES film by radio frequency (RF) magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar + O2, and Ar + H2) at room temperature. In order to investigate the influences of the ambient gases, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon has been changed from 0.1 sccm to 0.5 sccm, respectively. All the IZO thin film has an (222) preferential orientation regardless of ambient gases. The electrical resistivity of the IZO film increased with increasing O2 flow rate, whereas the electrical resistivity decreased sharply under an Ar + H2 atmosphere and was nearly similar regardless of the H2 flow rate. The change of electrical resistivity with changes in the ambient gas composition was mainly interpreted in terms of the charge carrier concentration rather than the charge carrier mobility. All the films showed the average transmittance over 85% in the visible range. The OLED device was fabricated with different IZO substrates made with the configuration of IZO/α-NPD/DPVB/Alq3/LiF/Al in order to elucidate the performance of the IZO substrate. The current density and the luminance of OLED devices with IZO thin films deposited in 0.5 sccm H2 ambient gas are the highest amongst all other films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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