압전 페인트는 얇은 막의 형태로 선박이나 항공기 등에 도포되어 광범위한 면적에 발생되는 진동이나 충격을 검출하는 데 유용하게 사용될 수 있다. 본 논문은 압전 페인트가 코팅된 구조물에 충격이 가해졌을 경우 충격이 가해진 위치를 검출할 수 있는지 평가해 보고, 다양한 경계 조건에 대해 충격 위치 검출에 차이는 없는지 살펴보았다. 실험에 사용된 압전 페인트 센서는 네 영역으로 알루미늄 시편 위에 코팅되었고 분극 과정을 거친 후 한 영역에 충격이 가해졌을 경우 전압의 변화를 실시간 모니터링하였다. 실험 결과, 충격이 가해진 부분 외 나머지 영역에서는 충격신호의 크기가 매우 작아 충격 신호가 거의 검출되지 않았으며, 경계 조건과 무관하게 모든 조건에서 충격이 가해진 부분에서만 큰 충격 신호가 검출되었다.
The memories with nano-particles are very attractive because they are promising candidates for low operating voltage, long retention time and fast program/erase speed. In recent, various nano-floating gate memories with metal-oxide nanocrystals embedded in organic and inorganic layers have been reported. Because of the carrier generation in semiconductor, induced photon pulse enhanced the program/erase speed of memory device. We studied photo-induced electrical properties of these metal-oxide nanocrystal memory devices. At first, 2~10-nm-thick Sn and In metals were deposited by using thermal evaporation onto Si wafer including a channel with $n^+$ poly-Si source/drain in which the length and width are 10 ${\mu}m$ each. Then, a poly-amic-acid (PAA) was spin coated on the deposited Sn film. The PAA precursor used in this study was prepared by dissolving biphenyl-tetracarboxylic dianhydride-phenylene diamine (BPDA-PDA) commercial polyamic acid in N-methyl-2-pyrrolidon (NMP). Then the samples were cured at 400$^{\circ}C$ for 1 hour in N atmosphere after drying at 135$^{\circ}C$ for 30 min through rapid thermal annealing. The deposition of aluminum layer with thickness of 200 nm was followed by using a thermal evaporator, and then the gate electrode was defined by photolithography and etching. The electrical properties were measured at room temperature using an HP4156a precision semiconductor parameter analyzer and an Agilent 81101A pulse generator. Also, the optical pulse for the study on photo-induced electrical properties was applied by Xeon lamp light source and a monochromator system.
Electroluminescent(EL) devices based on organic thin films have attracted lots of interests in large-area light-emitting display. One of the problems of such device is a lifetime, where a degradation of the cell is possibly due to an organic layers thickness, morphology and interface with electrode. In this study, light-omitting organic electroluminescent devices were fabricated using Alq$_3$(8-hydroxyquinolinate aluminum) and TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl(1-1\`-biphenyl]-4,4'-diamine). Where Alq$_3$ is an electron-transport and emissive layer, TPD is a hole-transport layer. The cell structure is ITO/TPD/Alq$_3$/Al and the cell is fabricated by vacuum evaporation method. In a measurement of current-voltage characteristics, we obtained a turn-on voltage at about 9 V. We also investigated stability of the devices using buffer layer with blend of PEI (Poly ether imide) and TPD by varying mot ratios between ITO and Alq$_3$. In current-voltage characteristics measurement, we obtained the turn-on voltage at about 6 V and observed an anomalous behavior at 3∼4 V. And we used other buffer layer of PEDT(3,4-pyrazino-3',4'-ethylenedithio-2,2',5,5'-tetrathiafulvalenium) with ITO/PEDT/TPD/Alq$_3$Al structure. We observed a surface morphology by AFM(Atomic Force Microscopy), UV/visible absorption spectrum, and PL(Photoluminescence) spectrum. We obtained the UV/visible absorption peak at 358nm in TPD and at 359nm in Alq$_3$, and the PL peaks at 410nm in TPD and at 510nm in Alq$_3$. We also studied EL spectrum in the cell structure of ITO/(TPD+PEI)/Alq$_3$/Al.
반사기 형태에 따른 경사진 빗살무늬 변환기 SAW 필터 특성을 비교하기 위해 모의실험을 통해 Langasite 기판위에 전극을 형성시켰으며, 전극재료로는 Al-Cu를 사용하였다. 모의실험을 바탕으로 입력단에는 IDT를 직렬형태로 연결시킨 block 형태로 하중을 가하는 전극 방법을 쓰고 출력단은 withdrawal 형태로 하중을 가하는 방법을 써서 제작하였다. 이를 바탕으로 광대역의 SAW 필터 전극 설계 방식에 대한 적절한 위상조건도 얻고자 시도하였다. Langasite 기판위에 형성시킨 입 출력빗살무늬 변환기 전극수는 50쌍, 두께는$5000{\AA}$으로 하였으며, 반사기 폭과 간격은 각각 $3.6{\mu}m$ 및 $2.0{\mu}m$으로 하였다. 제작한필터의 주파수 특성은 중심주파수가 대략 190MHz정도, 대역폭은 8.0MHz 정도로 측정되었으며, matching 후 return-loss는 -16dB 이하이고, 리플 특성은 4dB 정도이며, 반사에 의한 잔향은 -20dB 이하로 측정되었다.
Direct current(d.c.)leakage current voltage characteristics of radio-frequencymagnetron sputtered BaTa\sub 2\O\sub 6\ film capacitors with aluminum(A1) top and indium tin oxide (ITO) bottom electrodes have been investigatedas a function of applied field and temperature. In order to study surfacetreatment effect on the electrical characteristics of as-deposited film weperformed exposure of oxygen plasma on $BaTa_2O_6$ surface. d. c.current-voltage (I-V), bipolar pulse charge-voltage (Q-V), d. c. current-time (I-t) andcapacitance-frequency (C-f) analysis were performed on films. All ofthe films exhibita low leakage current, a high breakdown field strength (3MV/cm-4.5MV/cm), and high dielectric constant (20-30). From the temperature dependence of leakage current,we can conclude that the dominant conduction mechanism is ascribed toSchottky emission at high electric field (>1MV/cm) and hopping conduction at lowelectric field (<1MV/cm). According to our results, the oxide plasma surfacetreatmenton as-deposited $BaTa_2O_6$ resulted in lowering interfacebarrier height and thus, leakage current when a negative voltage applied to the A1 electrode. This can be explained by reduction of surface contamination via etching surface and filling defects such as oxygen vacancies.
We have studied a lifetime in organic light-emitting diodes depending on buffer layer. A transparent electrode of indium-tin-oxide(ITO) was used as an anode. And the cathode for electron injection was LiAl. Phthalocyanine Copper(CuPc), Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly (PEDOT:PSS), or poly (9-vinylcarbazole)(PVK) material was used as a buffer layer. A thermal evaporation was performed to make a thickness of 40nm of TPD layer at a rate of $0.5{\sim}1\;{\AA}/s$ at a base pressure of $5{\times}10^{-6}\;torr$. A material of tris(8-hydroxyquinolinate) Aluminum($Alq_3$) was used as an electron transport and emissive layer. A thermal evaporation of $Alq_3$ was done at a deposition rate of $0.7{\sim}0.8[{\AA}/s]$ at a base pressure of $5{\times}10^{-6}\;torr$. By varying the buffer material, hole injection at the interface could be controlled because of the change in work function. Devices with CuPc and PEDOT:PSS buffer layer are superior to the other PVK buffer layer.
양극산화피막에 철이온 및 코발트-철혼합이온 등을 전해석출하여 얻어지는 자성막의 입자는, 입자의 크기 Dp에 따라 모양이 크게 달라진다. Dp가 $300\AA$ 이상일때 나무가지모양의 초기석출부가 반드시 생성된다. 이것은 초기석출부의 형상만을 고려할때 자성막의 국부적충진율을 증가시킴으로, 철석출막의 경우와 같이 항자력 Hc 및 수직자 기이방성 Ku의 감소효과를 가져온다. 코발트-철합금 석출막의 경우, 일부조성에서 초기석출부의 형상효과보다는 여기에 석출한 FeC의 결정배향이 더 크게 작용하여, Hc의 감소와 -Ku를 나타내었다. 이러한 초기석출부의 영향이 규명됨에 따라 코발트-철합금 자성막의 제작시 초기석출부의 FeC석출을 억제시키는 방법을 사용, 임의의 조성에서 수직자기이방성을 갖게하는 것이 가능하였다.
A means of enhancing the performance of triboelectric nanogenerators (TENGs) is increasing the differences in work functions between contacting materials. Hexagonal boron nitride (h-BN) exhibits excellent mechanical properties and high chemical stability as well as a high work function. As a result, engineers in the field of energy harvesting have envisioned using h-BN in the electrification layer in TENGs. For the industrial application of h-BN in TENGs, large-scale production is necessary, and h-BN is generally exfoliated and dispersed in various solvents. In this study, we evaluate the performance of a TENG with h-BN nanoflakes in the polyimide (PI) layer. To synthesize a PI composite containing h-BN nanoflakes, h-BN powders are exfoliated and dispersed in poly(amic acid) (PAA), which is the precursor of PI. Then, h-BN dispersion is spin-coated onto the PI film and cured for 2 h under 300℃. This composite material can then be used for the electrification layer in TENGs. Below the electrification layer, an aluminum foil is placed and used as an electrode. When the contact and separation processes with polyethylene terephthalate are repeated, the fabricated TENG shows a maximum power density of 190.8 W/m2. This study shows that h-BN is a promising material for enhancing the performance of the electrification layer in TENGs.
조선소에서 선체 블록과 용접 피더의 위치를 알면 작업자의 위치 정보를 쉽게 얻을 수 있다. 이 데이터는 작업장 안전 모니터링 시스템 구축에 매우 유용하다. 그러나 선체 구조와 용접 공정의 특수성 때문에 작업장에 고정 통신망을 적용하기 어렵다. 본 연구에서는 전용 통신선을 대신할 수 있는 유도 전력선 통신을 선체블록과 같은 금속매체에 적용하는 기술을 검토하였다. 용접기의 전원 케이블에 설치할 유도 결합기로 페라이트 코어를 사용하였고, 금속 블록의 지지대에 체결할 결합기로 나노 결정질 코어를 적용하였다. 제안된 커플러는 COMSOL AC/DC 모듈로 3차원 모델링 하였고 동작 원리를 시각화하기 위하여 유한 요소 해석을 수행하였다. 알루미늄 프로파일을 사용한 금속블록 통신 성능 테스트에서 용접 전극의 블록 접촉으로 통신 채널이 형성되었을 때 대역폭은 6 Mbps 이상 유지되었다.
본 논문에서는 신경망 모델을 적용한 몰드변압기의 보이드 결함 크기 판별에 관한 연구를 수행하였다. PCB 기반의 로고우스키 코일형 부분방전 센서를 제작하여 부분방전 신호를 측정하였고, 보이드에 의한 부분방전 결함을 모의하기 위한 PD 전극계를 제작하였다. 또한 보이드는 원통형 모양의 알루미늄 틀을 제작하여 에폭시가 경화되는 과정에서 실린지를 삽입하고 공기를 주입하여 서로다른 직경을 가지는 4개의 시편을 제작하였다. 보이드 결함 크기 판별을 위해 부분방전 전하량, 방전 펄스 수, 위상 분포의 부분방전 특성 파라미터를 추출하여 Labview 기반의 VI (Virtual Instrument)로 역전파 알고리즘을 설계하였다. 실험 결과로부터 제작된 알고리즘은 90%이상의 판별률로 결함의 직경크기를 구분할 수 있었다. 본 연구의 결과는 현장에서 PD 측정 시 몰드변압기의 유지보수 및 절연물 교체의 근거 자료로 활용될 수 있을 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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