• 제목/요약/키워드: Al.P

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금속-치환 $AlPO_4-5$ 분자체에서 가교 $T_1-OH-T_2(T_1$=Al,B 그리고 $T_2$= P, Si)에 대한 성질 : MNDO (Properties of $T_1-OH-T_2$(T1 = Al, B and T2 = P, Si) Bridges on Metal-Substituted $AlPO_4-5$ Molecular Sieves : MNDO Calculations)

  • 손만식;백우현
    • 대한화학회지
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    • 제38권1호
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    • pp.1-7
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    • 1994
  • 알루미노인산염 족($AlPO_4-5$, BAPO-5, 그리고 SAPO-5)분자체의 구조 골격인 가교 $$T_1-OH-T_2$(T_1$ = Al, B 그리고 $T_2=$ P, Si) 안정성 및 가교 OH 그룹 이온성을 연구하기 위하여 반경험적 MNDO 계산 방법으로 연구하였다. 이러한 계산은 Al-OH-P, B-OH-P 그리고 Al-OH-Si덩어리 모델로써 실행하였다. Al-OH-P가교 모델에서 Al대신에 B원자를 치환할 때 B-OH-Si가교에서는 변형이 우선적으로 일어났으나, P 대신에 Si원자를 치환한 Al-OH-Si가교에서는 회전이 우선적으로 일어났다. 이러한 모델 덩어리에서 OH그룹 이온성 및 가교 안정성은 B-OH-P < Al-OH-P < Al-OH-Si 가교 순서로 증가하였다.

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$AlPO_4-5$ 분자체에서 가교 OH 그룹의 성질에 대한 구조 특성 효과 : MNDO 계산 (The Effects of the Structural Characteristics on Properties of Their Bridging OH Groups for $AlPO_4-5$ Molecular Sieve : MNDO Calculations)

  • 손만식;이종광;백우현
    • 대한화학회지
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    • 제37권9호
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    • pp.787-792
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    • 1993
  • $AlPO_4-5$ 분자체의 가교 OH 그룹에 대한 성질을 $AlPO_4-5$ 분자체의 구조 특성인 Al-O(P-O) 결합길이와 Al-O-P 결합각에 대한 관계를 알아보기 위하여 가교 $(OH)_3AlOP(OH)_3$$(OH)_3AlOHP(OH)_3^+$ 덩어리를 이용하여 반경험적 MNDO 계산 방법으로 연구하였다. 가교 OH 그룹의 O-H 결합해리에너지는 Al-O(P-O) 결합길이가 증가할수록, Al-O-P 결합각이 감소할수록 알 수 있었고, 가교 OH 그룹 생성은 Al-O(P-O) 결합길이가 길고, Al-O-P 결합각이 작은 가교 산소원자에서 형성된다는 것을 알았다. 또한 Al-O-P 결합각이 증가할수록 가교 산소원자의 음의 알짜전하는 증가하나 가교 수소원자의 양의 알짜전하는 감소함을 알았다.

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InGaP/InAlGaP 이종 접합구조 태양전지 시뮬레이션 연구 (Simulation Study on Heterojunction InGaP/InAlGaP Solar Cell)

  • 김정환
    • 한국진공학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.162-167
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    • 2013
  • 이종 p-InGaP/N-InAlGaP 접합 화합물 반도체 태양전지의 에피 구조를 제안하였다. 제안된 이종접합구조와 p-InGaP/p-GaAs/N-InAlGaP와 동종 p-InGaP/n-InGaP 접합구조 태양전지의 전류-전압 특성곡선을 시뮬레이션하고 결과를 비교분석하였다. 이종 p-InGaP/N-InAlGaP 접합구조에서 가장 높은 최대출력과 곡선인자(fill factor)를 나타내는 시뮬레이션 결과를 얻었으며 이를 바탕으로 제안된 이종접합 에피구조를 최적화하였다.

변형효과를 고려한 격자 부정합 다중양자우물의 전자적 성질

  • 김동훈;유주태;유건호;김태환
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.444-444
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    • 2013
  • 변형 다중양자우물은 전자 소자와 광전자 소자에 응용할 수 있는 가능성 때문에 연구가 많이 진행되고 있다. 합성 물질들의 초격자를 연속적으로 증착, 성장하는 디지털 합금은 다중양자우물을 활용한 광전자 소자에서 응용가치가 상당히 높다. 현재 디지털 합금을 이용한 다중양자우물의 성장과 관련한 연구가 활발히 진행되고 있고, 특히 InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물은 광전자 소자로서의 응용가치가 부각되고 있다. 그러나 InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물의 성장 및 광학적 성질에 대한 연구는 많이 진행되었으나, InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물에서의 변형효과를 고려한 전자적 성질에 대한 연구는 미흡하다. InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물에 대한 전자적 성질의 연구는 광소자의 성능 향상을 위해 매우 필요하다. 본 연구에서는 디지털 합금 성장 방법으로 형성한 InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물의 부띠 사이 천이와 전자 분포를 고찰하였다. 온도에 따른 광루미네센스의 측정을 통해 InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물에서 나타나는 부띠 사이의 천이를 관찰하였다. 가변 메시 유한 차분법을 이용한 이산적 모델을 통해 변형효과가 다중양자우물 구조에서 부띠에 주는 영향을 조사하였다. 격자의 불일치로 인한 변형 효과와 8-band envelope function approximation을 고려한 슈뢰딩거 방정식을 사용하여 InzGaxAl1-z-xP/InAlP 다중양자우물에서의 전자 부띠 에너지와 에너지 파동 함수를 계산하였다. 계산한 부띠 사이 천이 에너지와 광루미네센스 측정에서 보인 엑시톤 천이 에너지를 비교하였을 때, 작은 차이 값이 나타났다. 증착과정에서의 이종접합사이에서 발생하는 불확실성을 고려한다면 이 차이 값은 오차범위 안에 포함되며, 계산 값과 실험 값이 잘 일치하는 것으로 볼 수 있다.

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광전음극 소자용 GaAs/AlGaAs 구조의 LPE 성장 (Growth of GaAs/AlGaAs structure for photoelectric cathode)

  • 배숭근;전인준;김경화
    • 한국결정성장학회지
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    • 제27권6호
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    • pp.282-288
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    • 2017
  • 본 논문에서는 광전 음극 이미지 센서로 사용될 수 있는 광소자용 재료로 III-V 족 화합물 반도체인 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 LPE(Liquid Phase Epitaxy) 방법에 의해 성장하였다. n형 GaAs 기판 위에 수십 nm의 GaAs 완충층을 형성 한 후 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 에칭 정지 층(etching stop layer)과 Zn가 도핑된 p-GaAs 층 그리고 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 층을 성장하였다. 성장된 시료의 특성을 조사하기 위하여 주사전자현미경(SEM)과 이차이온질량분석기(SIMS) 그리고 홀(Hall) 측정 장치 등을 이용하여 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 분석하였다. 그 결과 $1.25mm{\times}25mm$의 성장 기판에서 거울면(mirror surface)을 가지는 p-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs 다층 구조를 확인할 수 있었으며, Al 조성은 80 %로 측정 되었다. 또한 p-GaAs층의 캐리어 농도는 $8{\times}10^{18}/cm^2$ 범위까지 조절할 수 있음을 확인하였다. 이 결과로부터 LPE 방법에 의해 성장된 p-AlGaAs/p-GaAs/AlGaAs 다층 구조는 광전 음극 이미지 센서의 소자로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.

무가압함침법에 의한 $Al_2O_{3p}$/AC8A 복합재료의 제조 및 특성 (Fabrication and Characteristics of $Al_2O_{3p}$/AC8A Composites by Pressureless Infiltration Process)

  • 김재동;고성위;정해용
    • Composites Research
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    • 제13권6호
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    • pp.1-8
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    • 2000
  • 무가압함침법에 의한 $Al_2O_{3p}$/AC8A 복합재료의 제조와, 제조법과 관련하여 부가적인 Mg의 첨가와 강화상의 부피분율이 $Al_2O_{3p}$/AC8A복합재료의 기계적 성질과 마모저항에 미치는 영향을 조사하였다. 강화상 입자와 기지재료의 일부를 분말로 조합한 혼합분말 속으로 기지금속을 자발적으로 침투시켜 부피분율이 20~40%인 $Al_2O_{3p}$/AC8A 복합재료를 제조할 수 있었다. 그러나 강화상의 부피분율이 40%인 복합재료의 경우 기공율의 상승으로 복합재료의 강도는 저하하였다. Mg의 첨가량이 5~7wt% 일 때 가장 높은 강도를 나타냈으며, 경도는 Mg 첨가량의 증가에 따라 점진적으로 상승하였다. $Al_2O_{3p}$/AC8A복합재료는 저속에서 기지재료에 비해 내마모성이 저하하였으나, 고속에서는 AC8A합금에 비해 약 5.5배의 우수한 내마모성을 나타냈다. 마모기구의 관찰에 의해 부피분율 20% $Al_2O_{3p}$/AC8A복합재료의 경우 연삭마모가 주된 마모기구임을 알 수 있었으며, 부피분율 40% $Al_2O_{3p}$/AC8A복합재료는 높은 기공율로 인한 마모 가중으로 저속에서도 경미한 응착마모가 관찰됐고 마찰 속도가 증가함에 따라 격심한 마모로 진행되었다.

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경작지(耕作地) 전토양(田土壤)의 인산특성(燐酸特性)에 관(關)한 연구(硏究) -IV. 토양특성별(土壤特性別) 분획인(分劃燐)의 분포(分布) (Studies on the Characteristics of Phosphorus in the Upland Soil -IV. Distribution Percentage of Inorganic Phosphorus on Different Levels of Soil Chemical Properties)

  • 신철우;김정제;류인수
    • 한국토양비료학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.15-20
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    • 1990
  • 다량(多量)의 비료(肥料)가 인용(連用)되어온 원예작물(園藝作物) 재배지(栽培地) 13개지역(個地域)에서 149개 토양(土壤)을 채취분석(採取取析分)하여 토양의 화학적(化學的) 특성(特性)에 따른 무기태인(無機態燐)의 형태별(形態別) 조성(組成)을 검토(檢討)한 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 토양(土壤) pH의 상승에 따라 총인(總燐)에 대한 Ca-P와 Saloid-P의 분포비율(分布比率)은 높아지고 상대적으로 Al-P와 Fe-P의 분포비율(分布比率)은 낮아졌으나, Fe-P 분포비율(分布比率)은 pH5.0~6.0 범위에 이를때까지 증가되다가 그 이상의 pH에서는 급격히 감소되는 경향이었다. 2. pH에 따른 A-P와 Fe-P 분포비(分布比)의 감소경향은 유효인산함량(有效燐酸含量)이 500ppm 이하로 낮은 토양에서는 완만하였으나 그 이상인 토양(土壤)에서는 더욱 뚜렷하였다. 3. 유효인산(有效燐酸) 500ppm 이하의 토양(土壤)에서는 분획인(分劃燐)의 분포비율(分布比率)이 Fe-P>Al-P>Ca-P>Saloid-P의 순이었으나 이보다 인산함량(燐酸含量)이 높아짐에 따라서 점차 Fe-P와 Al-P의 분포비율(分布比率)이 바뀌어 유효인산(有效燐酸) 1,000 ppm 이상의 토양(土壤)에서는 Al-P>Fe-P>Ca-P>Saloid-P 순으로 전환되었다. 4. Al-P와 Fe-P의 분포비(分布比)는 토양중(土壤中) 활성(活性) Al 함량(含量)이 증가함에 따라서 증가되었고, Fe-P의 분포비(分布比)는 토양중(土壤中) 활성(活性) Fe와 PS의 증가로 증가되나 Saloid-P, Al-P, Ca-P의 분포비(分布比)는 감소되었다.

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AlGaP2 반도체내와 표면의 Mn에 대한 제일원리 해석 (A First Principles Study of Mn on AlGaP2 Semiconductor Surface)

  • 강병섭
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제20권1호
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    • pp.12-17
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    • 2021
  • The electronic and magnetic properties for Mn-adsorbed on the chalcopyrite (CH) AlGaP2 semiconductor are investigated by using first-principles FPLMTO method. The clean CH-AlGaP2 without adsorbed Mn is a p-type semiconductor with a direct band-gap. The Mn-adsorbed CH-AlGaP2 exhibits the ferromagnetic state. It is more energetically stable than the other magnetic ones. The interstitial site on P-terminated surface is more energetically favorable one than the Al/Ga-terminated surface, or the other adsorbing sites. In the case of Mn-adsorbed Al/Ga-terminated surface, it is induced a strong coupling between Mn-3d and neighboring P-3p electrons. The holes of partially unoccupied minority Mn-3d state and majority (or minority) Al-3p or P-3p state are induced. Thus a high magnetic moment of Mn is sustained by holes-mediated double-exchange coupling. It is noticeable that the semiconducting and half-metallic characteristics of CH-AlGaP2:Mn thin film is disappeared.

Al 함량이 다른 PAC를 이용한 응집 조건 별 인 제거효율 평가 (Evaluation of Phosphorus Removal Efficiency at Various Coagulation Conditions Using Polyaluminum Chloride with Different Al Contents)

  • 최정학;윤건곤;이창한
    • 한국환경과학회지
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    • 제32권10호
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    • pp.731-739
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    • 2023
  • In this study, lab-scale phosphorus coagulation/precipitation experiments were performed using three types of polyaluminum chloride (PAC) with different Al contents (10%, 12%, and 17%). The PO4-P removal efficiencies at various operating conditions, such as initial PO4-P concentration, initial pH, and Al/P molar ratio, were evaluated, and correlations among the operating factors affecting phosphorus coagulation/precipitation with PAC were derived to optimize the process efficiency. When the initial PO4-P concentration was 0.065 and 0.161 mmol P/L under an initial pH of 8-10, the optimal PAC dose was 0.126-0.378 and 0.189-0.667 mmol Al/L, respectively. Under these conditions, the Al/P molar ratio was 2.16-6.18 and 1.28-4.30, respectively, and the PO4-P removal efficiency was in the range of 40.2-92.5%. When the Al/P molar ratio was 2 or less under an initial pH condition of 6-8, the PO4-P removal efficiency was approximately ≤40% owing to insufficient Al3+ ions. However, when the Al/P molar ratio is 3-5, the PO4-P removal efficiency improved to approximately 80-90%. Thus, the optimal Al/P molar ratio to achieve a PO4-P removal efficiency of over 90% was determined to be approximately 4 in the PO4-P coagulation/precipitation process using PAC.

$FeAl/SiC_p$ 복합재료의 공정변수에 따른 플라즈마 질화 특성 (Effect of Process Parameters on Plasma Nitriding Properties of $FeAl/SiC_p$ Composites)

  • 박지환;김수방;박윤우
    • 한국분말재료학회지
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    • 제6권4호
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    • pp.286-293
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    • 1999
  • This study was to analyse the relationship between process parameters of the sintered composite and plasma nitriding properties with pulsed DC plasma. Fe-40at%$SiC_p$ composites of full density were fabricated by hot pressing at 1100~$1150^{\circ}C$. Sintered Fe-40at%Al and Fe-40at%$Al/SiC_p$ alloys were nitrided under pulsed DC plasma. Excellent surface hardness in the FeAl alloys could be obtained by plasma nitriding. ($H_v$ :100gf, diffusion layer : 1100~$1450kg/mm^2$, matrix : 330~$360kg/mm^2$) The wear resistance of $FeAl/SiC_p$ composites were improved about by 4~6times than FeAl and nitrided $FeAl/SiC_p$ were improved about 2 times than $FeAl/SiC_p$ matrix.

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