To improve free-cutting property, fine Pb, Bi particles is necessary to be distributed evenly in Al-Cu alloy. The control of added element size and distribution are very difficult because of the physical properties of Pb, Bi. The effect of master alloy compositions on microstructure and particle distribution was investigated. The ribbon shape of Pb-50wt% Bi master alloy showed the best results. And Ti addition improved even distribution of Pb, Bi particles. Particles grown from $L_2$ phase were considered to be the Pb, Bi compound.
The evaporation characteristics of Ag, Al, Au, Cr. Cu, In, Mg, Mn, Pb, Pd, Si, SiO, Sn, Ti and Zn with the various resistive heating sources have been studied. The employed sources are refractory metal (Mo, Ta and W) boats, W-wire, ceramic (usually Al2O3)-coated and -barriered refractory metal boats, and special boats such as baffled boats and intermetallic boats (nitride compound and graphite). We investigated the melting mode, evaporation rate at a specific power, and lifetime of the sources. A special boat holder is also discussed which is needed to cool the sources at a large heat capacity.
A transmission electron microscope investigation has been performed on the morphology of dislocations in deformed ${\gamma}^{\prime}-Ni_3(Al,Ti)$ alloys containing fine dispersion of disordered ${\gamma}$ particles. Superlattice dislocations dissociate into fourfold Shockley partial dislocations in a uniform supersaturated solid solution of the ${\gamma}^{\prime}$ phase. Dislocations are attracted into the disordered ${\gamma}$ phase and dissociate further in the particles. At any stage of aging, dislocations cut through the particles and the Orowan bypassing process does not occur even in the over-aged stage of this alloy system. The work necessary to pull the dislocation away from the disordered particles into the ordered matrix should mainly contribute to increase the strength of the ${\gamma}^{\prime}$ phase containing fine dispersion of the disordered ${\gamma}$ phase.
Diosgenin (25 (R) - spirost-5-en-3$\beta$ -ol) was oxidized with 2,3-dichloro -5,6-dicyano-1,4-benzoquinone to form 25(R)-1,4,6-spirostatrien-3-one (1) as rigid cyclic $\alpha$,$\beta$-unsaturated carbonyl compound. This compound was reacted with $H_{2}O_{2}$, m-chloroperoxybenzoic acid (mCPBA), NaOCl in the presence with (R,R)- or (S,S)-Jacobsen catalyst, tert-butyl-hydroperoxide (TBHP) in Mo$(CO)_{6}$, and in VO $(acac)_{2}$ catalyst, respectively, 25(R) -1,4,6-spirostatrien -3-one (1) was reduced with $NaBH_{4}$ L-Selectride, $LiAIH_{4}$,$BH_{3}$$\cdot$$(CH_{3})_{2}S$, Superhydride, Red-Al, and lithium tri-tert-butoxyaluminium hydride. And 25(R)-4,6-spirostadien-3$\beta$-ol (4) was treated with $H_{2}O_{2}$, mCPBA, TBHP in D - (-) - and L-(+)-diisopropyltar-trate and $Ti(OiPr)_{4}$ condition (Sharpless asymmetric epoxidation), TBHP in $Mo(CO)_{6}$, and in $VO(acac)_{2}$ catalyst, respectively.
Various Semiconductor/Metal structured nanowires were synthesized from the simple thermal annealing of ball-milled compound powders and the thermal evaporation of metals. Their structural properties were investigated by Scanning Electron Microscopy(SEM) and Transmission Electron Microscopy(TEM), Energy Dispersive X-ray spectroscopy(EDX). Depending on the type of metals and the material of nanowires, uniform somiconductor/metal nanowires(GaN/Al, GaN/Ag) or isolated metal particles on semiconductor nanowires$(SnO_2/Ti,\;Si/Ti)$ were formed on the surface of nanowires.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제3C권3호
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pp.77-80
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2003
An innovative ozonizer has been developed using a high frequency, surface discharge and a high purity Ti-Si-AI ceramic catalyst as a dielectric component. Using a type of thin film, a thin cylindrical compound ceramic catalyst layer was adhered to the outside surface of its inner electrode. An alternating current (AC) exciting voltage with frequencies from 0.6 KHz to 1.0 KHz and peak-to-peak voltages of 4-6 ㎸ was applied between the electrodes to produce a stable high-frequency silent discharge. A substantial reduction of the exciting voltage was also enabled by means of a thin Ti-Si-Al ceramic catalyst tube. As a result, the ozonizer can effortlessly obtain the required ozone concentration (50-60 g/$m^2$ for oxygen) and high ozone efficiency consumption power (180 g/kWh for oxygen) with-out the assistance of any particular methods. For purposes of this experiment, oxygen gas temperature was set at 2$0^{\circ}C$, with an inner reactor pressure of 1.6 atm at 600 Hz and a flow rate of 2 l/min.
N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 시간을 60초로 연장할 경우 접촉 비저항이 $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$로 급격히 감소하였고, 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 또한 $450^{\circ}C$까지도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용가능하다.
N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 급속 열처리 조건에 따른 오믹 특성을 조사하였다. $450^{\circ}C$까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$, 20초의 급속 열처리 조건에서 최저 $3.9\times10^{-7}\Omega\textrm{cm}^2$ 의 접촉 비저항을 나타내었다. 이는 열처리에 의해 생성된 Pd-Si계 화합물의 형성 및 Si의 InGaAs 표면으로의 확산과 관련이 있었다. 그러나 $400^{\circ}C$에서 열처리 시간을 30초 이상으로 연장할 경우 접촉 비저항이 low-$10^{-6}\Omega \textrm{cm}^2$ 으로 약간 증가하였고, 열처리 조건을 425~$450^{\circ}C$/10초로 변화시킬 경우 high-$10^{-7}$~low-$10^{-6}\Omega \textrm{cm}^2$으로 약간 증가하였다. 이는 오믹 재료와 InGaAs의 반응에 의해 Pd-Ga계 화합물이 형성된 것과 관련이 있었다. 고온 열처리 후에도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하다고 판단된다.
한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.325-325
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2006
Cationic polymerization of isobutyl vinyl ether using various metal halides was examined in toluene in the presence of an added base at $0^{\circ}C$. In conjunction with an appropriate weak base such as ethyl acetate or 1,4-dioxane, all metal halides but $FeBr_{3}\;and\;GaCl_{3}$ led to living cationic polymerization. The polymerization rates varied as follows: $FeBr_{3},\;GaCl_{3}\;>\;FeCl_{3}\;>\;SnCl_{4}\;>\;InCl_{3}\;>\;ZnCl_{2}\;>>\;AlCl_{3},\;HfCl_{4},\;ZrCl_{4}\;>\;EtAlCl_{2},\;BiCl_{3},\;TiCl4\;>>\;SiCl_{4}\;>\;GeCl_{4}$. This order partially corresponds to that of the equilibrium constant in the formation of a carbocation from a chloroalkane in the presence of a carbonyl compound. With extremely active Lewis acids, such as $FeBr_{3}\;and\;GaCl_{3}$, the use of a stronger base, THF, was required to achieve living polymerization.
Catalytic wet oxidation of ethylene glycol as refractory compound was studied in a batch slurry reactor using lwt% $Pt/A1_2O_3$, lwt% $Pt/TiO_2,\;Mn/CeO_2$(1:1) and 5wt% $Mn/Al_2O_3$. Experiments were conducted to investigate theeffects of temperature, initial ethylene glycol concentration, catalyst dosage and PH on the ethylene glycol decomposition. When compared with the uncatalyzed reaction, the use of catalysts could increase the rate of ethylene glycol decomposition. The lwt% $Pt/A1_2O_3$ catalyst was preferable to the other catalysts for the destructive oxidation of ethylene glycol. The reaction rate was first order with respect to initial concentration of ethylene glycol. In acidic condition the removal efficiency of ethylene glycol was good, but there was a significant leaching of platinum. Small amount of acetic acid, oxalic acid, masonic acid and formic acid as intermediates were detected during catalytic wet air oxidation of ethylene glycol.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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