Plastic deformation was observed by TEM around the intragranular SiC particles in the $Al_2O_3$ matrix for $Al_2O_3/SiC$ nanocomposite system. The dislocations are generated at selected planes and there is a tendency for the dislocations to form a subgrain boundary structure with low-angel grain boundaries and networks. In this study, dislocation generated in the $Al_2O_3$ matrix during cooling down from sintering temperatures by the highly localized thermal stresses within and/or around SiC particles caused from the thermal expansion mismatch between $Al_2O_3$ matrix and SiC particle was observed. In monolithic $Al_2O_3$ and $Al_2O_3/SiC$ microcomposite system. These phenomena is closely related to the plastic relaxation of the elastic stress and strain energy associated with both thermal misfitting inclusions and creep behaviors. The plastic relaxation behavior was explained by combination of yield stress and internal stress.
A nitrogenation of coal ash in the presence of carbon was carried out to examine the effects of reaction temperature, reaction time and carbon composition on the formation of AlN, SiC and Si3N4. Decreasing the particle size increased the formation of AlN and its maximum composition in the product was obtaiend under 1450~150$0^{\circ}C$, 2 hours of reaction time and about 30% of carbon addition(on the basis of sample weight). Compositions of SiC and Si3N4 were distributed to the opposite so that SiC showed a higher composition compared with Si3N4 at a lower temperature, a shorter reaction time and a greater carbon addition.
Aluminum based metal matrix composite reinforced with SiC particles was fabricated by the powder-in sheath rolling method. A stainless steel tube with outer diameter of 12 mm and wall thickness of 1mm was used as a sheath. Mixture of aluminum powder and SiC particles of which volume content was varied from 5 to 20vol.% was filled in the tube by tap filling and then rolled to 75% reduction at ambient temperature. The rolled specimen was sintered at 56$0^{\circ}C$ for 0.5hr. The tensile strength of the (SiC)$_{p}$/Al composite increased with the volume content of SiC particles, and at 20vol.% it reached a maximum of 100㎫ which is 1.6 times higher than unreinforced material. The elongation decreased with the volume content of $Al_{2}$O$_{3}$ particles. The mechanical properties of the (SiC)$_{p}$/Al composite fabricated by the powder-in sheath rolling is compared with that of (Al$_{2}$O$_{3}$)$_{p}$/Al composite by the same process.ess.
The effects of modification processing on the refinement of primary Si and the wear behavior of hyper-eutectic Al-Si alloys have been mainly investigated. Refining effects of primary Si in Al-17%Si alloy was more efficient than that of B.390 alloy. Optimum condition of getting the finest primary Si microstructure was when AlCuP modifier is added into the melt at $750^{\circ}C$ and held it at $700^{\circ}C$ for 30 minutes. Wear loss in the specimens of as-cast condition decreases as the size of primary Si decreases, in the order of B.390 alloy, B.390 alloy with AlCuP addition, Al-17%Si alloy and Al-17%Si alloy with AlCuP addition. Wear loss in the aged condition of Al-17%Si alloy, B.390 alloy and B.390 alloy with AlCuP addition decreased due to the increase of compressive residual stress in the matrix by the aging treatment. While, wear loss increased in the aged specimens of Al-17%Si alloy with AlCuP addition and Hepworth addition in which compressive residual stress decreases by the aging treatment. Therefore, it is assumed that higher compressive residual stress in the matrix can reduce the wear loss in composite materials such as hyper-eutectic Al-Si alloys.
${\alpha}-Al_2O_3$와 비정질 SiO2부터 Mullite를 합성하기 위한 고체상태반응의 반응속도를 1450~$1480^{\circ}C$ 온도 범위에서 연구하였다. 반응속도는 $Al_2O_3$분말을 코팅한 28.16wt%의 $SiO_2$와 일정한 온도에서 여러 시간동안 가열하여 생성된 혼합물에 의하여 결정되었다. MgO안의 반응물과 미반응물의 양은 X-선 회절분석에 의하여 결정되었다. Mullite의 부피율과 peak intensity 비의 자료로부터 $Al_2O_3$와 $SiO_2$의 $3Al_2O_3\;{\cdot}\;2SiO_2$형태로의 반응은 $1450^{\circ}C$와 $1480^{\circ}C$ 사이에서 시작되었다. 고체상태반응 활성화 에너지는 Arrhenius 식에 의하여 결정되었다. 활성화 에너지는 31.9KJ/mol이다.
4H-SiC 기판 위의 Si 성장은 전력 반도체, 바이폴라 접합 트랜지스터 및 광전자 공학에서 매우 유용한 재료로서 광범위한 응용 분야를 가지고 있다. 그러나 Si와 4H-SiC 사이에 약 20 %의 격자 불일치로 인해 4H-SiC에서 매우 양질의 결정 Si를 성장시키는 것은 상당히 어렵다. 본 논문에서는 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법을 이용하여 4H-SiC 기판에서 성장한 Al 관련 나노 구조체 클러스터에 의한 육각형 Si 에피층의 성장을 보고한다. 4H-SiC 기판 위에 육각형 Si 에피층을 성장시키기 위해 먼저 Al 관련 나노 구조체 클러스터가 형성되고 Si 원자를 흡수하여 육각형 Si 에피층이 형성되는 과정을 관찰하였다. Al 관련 나노 구조체 클러스터와 육각형 Si 에피층에 대하여 FE-SEM 및 라만 스펙트럼 결과로부터 육각형 Si 에피층은 일반적인 입방정계 Si 구조와 다른 특성을 가지는 것으로 판단된다.
Plasma assisted molecular beam epitaxy(PAMBE)를 사용하여 Si 기판위에 성장시킨 AlN 박막에 대하여 성장온도 및 기판의 방향성에 따른 박막의 결정성 변화를 분석하였다. Reflection high energy electron diffraction(RHEED) 패턴을 이용하여 성장 중의 결정성을 관찰하였고, 성장 후에는 X-ray diffraction(XRD), double crystal X-ray diffraction(DCXD), transmission electron microscopy/diffraction(TEM/TED)분석을 하였다. $850^{\circ}C$이상의 온도에서 Si(100)위에 성장된 AlN박막은 육방정계의 c축 방향으로 우선 배향되어 있음을 확인하였으며 Si(111)위에 성장된 AlN박막의 경우 AlN(0001)/Si(111), AlN(1100)/Si(110), AlN(1120)/Si(112)의 결정방위를 가지고 성장하였음을 확인하였다. 또한 Si(111) 기판 위에서는 전위와 적층결함 등 많은 결정결함에 의해 DCD패턴의 반치폭이 2$\theta$=$36.2^{\circ}$에서 약 3000arcsec에 이르는 등 결정성은 좋지 않았으나 AlN박막이 단결정으로 성장된 것으로 나타났다.
An, Sang-Woo;Kim, Young-Jig;Park, Sang-Whan;Lee, Dong-Bok
The Korean Journal of Ceramics
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제5권1호
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pp.44-49
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1999
In order to improve the oxidation resistance of $Ti_3Al$, Ti-25at.%Al composites containing dispersed particles of 15wt.%SiC were prepared by a tubular mixing-spark plasma sintering method. The sintered composites had $Ti_3Al$, SiC, $Ti_5Si_3$ and TiC. The presence of $Ti_5Si_3$ and TiC indicates that some of SiC particles reacted with Ti to from more stable phases. From oxidation tests at 800, 900 and $1000^{\circ}C$ under 1 atm of pure oxygen, it was found that the oxidation rate of Ti3Al was effectively reduced by the addition of SiC. The scale was primarily composed of an outer $TiO_2$ layer having some $Al_2O_3 $islands, an intermediate relatively thick $Al_2O_3 $ layer, and an inner $TiO_2+Al_2O_3+SiO_2$ mixed layer. Beneath the scale, Kirkendall voids were seen.
Al2O3/metal composites were fabricated by oxidation and reaction of molten Al-alloy into two types of commercial Al2O3-SiO2 fibrous insulation board. The growth rate, composition and microstructure of these materials were described. An AlZnMg(7075) alloy was selected as a parent alloy. Mixed polycrystalline fiber and glass phase fiber were used as a filler. The growth surface of an alloy was covered with and without SiO2. SiO2 powder was employed as a surface dopant to aid initial oxidation of Al-alloy. Al-alloy, SiO2, fiber block and growth inhibitor CaSiO3 were packed sequentially in a alumina crucible and oxidized in air at temperature range 90$0^{\circ}C$ to 120$0^{\circ}C$. The growth rate of composite layer was calculated by measuring the mass increasement(g) per unit surface($\textrm{cm}^2$). XRD and optical microscope were used to investigate the composition and phase of composites. The composite grown at 120$0^{\circ}C$ and with SiO2 dopant showed rapid growth rate. The growth behavior differed a little depending on the types of fiber used. The composites consist of $\alpha$-Al2O3, Al, Si and pore. The composite grown at 100$0^{\circ}C$ exhibited better microstructure compared to that grown at 120$0^{\circ}C$.
SiC fibers were coated with Cu, Ag and Ni metallic thin films by magnetron sputtering in order to improve wetting properties between Al matrix and SiC fiber. The wetting behavior of metal coated SiC fiber by pure Al has been studied at $670^{\circ}C{\sim}900^{\circ}C$ range for $10{\sim}90min$. under vacuum atmosphere. Besides, the effect of coated film thickness on the wettability has been investigated. The wetting behavior and interfacial reaction between Al and SiC fibers were analysed with optical microscope and SEM (scanning electron microscope). The wetting behavior of the as-received SiC fiber with Al melt was not uniform, indicated by the contact angles from less than $90^{\circ} to more Al melt was appeared in the initial stage of reation. It was considered that the metallic thin film played an important role in reducing the interfacial free energy and breaking down the aluminum oxide film by eutectic reaction with Al melt. However the wettability of Ni coated SiC fiber was not improved as much as that of Cu or Ag coated SiC fiber. The improvement of wettability by coating thickness is clearly showed in $1{\mu}m$ coated SiC fiber compared with $0.25{\mu}m$ coated SiC.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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