Thin films of ZrO$_2$ and TiO$_2$ were deposited on Si(100) substrates using RF magnetron sputtering technique. To study an influence of the sputtering parameters, systematic experiments were carried out in this work. XRD data show that the $ZrO_2$ films were mainly grown in the [111] orientation at the annealing temperature between 800 and $1000^{\circ}C$ while the crystal growth direction was changed to be [012] at above $1000^{\circ}C$. FT-IR spectra show that the oxygen stretching peaks become strong due to $SiO_2$ layer formation between film layers and silicon surface after annealing, and proved that a diffusion caused by either oxygen atoms of $ZrO_2$ layers or air into the interface during annealing. Different crystal growth directions were observed with the various deposition parameters such as annealing temperature, RF power magnitude, and added $O_2$ amounts. The growth rate of $TiO_2$ thin films was increased with RF power magnitude up to 150 watt, and was then decreased due to a sputtering effect. The maximum growth rate observed at 150 watt was 1500 nm/hr. Highly oriented, crack-free, stoichiometric polycrystalline $TiO_2$<110> thin film with Rutile phase was obtained after annealing at $1000^{\circ}C$ for 1 hour.
Tin oxide thin films were fabricated on glass substrates by the successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method at room temperature and ambient pressure. Before measuring their properties, all samples were annealed at $500^{\circ}C$ for 2 h in air. Film thickness increased with the number of cycles; X-ray diffraction patterns for the annealed $SnO_2$ thin films indicated a $SnO_2$ single phase. Thickness of the $SnO_2$ films increased from 12 to 50 nm as the number of cycles increased from 20 to 60. Although the optical transmittance decreased with thickness, 50 nm $SnO_2$ thin films exhibited a high value of more than 85%. Regarding electronic properties, sheet resistance of the films decreased as thickness increased; however, the measured resistivity of the thin film was nearly constant with thickness ($3{\times}10^{-4}ohm/cm$). From Hall measurements, the 50 nm thickness $SnO_2$ thin film had the highest mobility of the samples ($8.6cm^2/(V{\cdot}s)$). In conclusion, optical and electronic properties of $SnO_2$ thin films could be controlled by adjusting the number of SILAR cycles.
Memon(1995) pointed out that the groundwater recharge from the precipitation is affected by various factors such as the occurrence, intensity, duration, and seasonal distribution of rainfall; air temperature, humidity, and wind velocity; the character and thickness of the soil layer above the water table; vegetated cover, soil moisture content, depth to the water table, topography; and land use. To reflect above factors, groundwater recharge in Chungju basin is computed by using the SWAT-K which is a longterm continuous watershed hydrologic model. Frequency analysis is adopted to evaluate the existing values of potential amount of groundwater development which is made by the 10 year drought frequency rainfall multiplied by recharge coefficient. In this work, the recharge rates of 10 year drought frequency in subbains were computed and compared with the existing values of potential amount of groundwater development. This process could point out the problems of existing precesses used for computing potential amount of groundwater development.
Park, Sungwoo;Seo, Baeseck;You, Jaehoon;Kim, Namyee;Shin, Hosang;Han, Wansoo;Kim, Ilkwang
Analytical Science and Technology
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v.10
no.1
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pp.1-8
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1997
We identified nicotine, cotinine and toluene in high school volunteer's urine by using GC/NPD, GC/FID and GC/MS. To analyze of nicotine and cotinine, urine samples were extracted with diethylether and centrifuged on a benchtop centrifuge for 5 min. The upper organic layer was injected into a GC. The distributions of nicotine and cotinine were $4{\sim}630{\mu}g/L$ and $63{\sim}1,602{\mu}g/L$ in smoking-group, respectively. To analyze of toluene, head space vial was filled with 2mL sodium citrate solution and 1mL of urine. The vial was warmed in a water bath at $55^{\circ}C$ for 20min, and then $250{\mu}L$ of head space air was injected into a GC. The result show that toluene was not detected in all of the volunteers' samples. However, the range of toluene was 0.1~28.0mg/L in glue sniffer's urine samples(NISI data).
Ni-SiC composite coating layers were prepared by electroplating method and their deposition rate, codeposition of SiC, morphology, surface roughness, hardness, wear and friction properties were investigated. It was found that the deposition rate and the codeposition of SiC in the composite coating layer increased with increasing concentration of SiC in the solution only at the early stage. Both of them reached certain maxima and then decreased with increasing concentration of SiC. Rough surface was obtained with increasing codeposition of SiC, which is probably due to the agglomeration of the SiC particle in the vicinity of surface. Vickers hardness increased with increasing codeposition of SiC and heat treatment at $300^{\circ}C$ in air for 1 hour. Wear volume decreased with increasing codeposition of SiC and friction coefficient increased with increasing codeposition of SiC at the early stage, and it became almost constant. Such wear and friction behaviors are desirable for the practical application.
Frozen ground in cold region consists of an upper active layer and lower permafrost which is permanently frozen land. During the summer season, the air temperature is high enough to make the frozen ground melt, which causes the reduction of soil strength and thaw settlement. These phenomena result in structural instability, so it is necessary to apply frozen ground stability techniques. Thermosyphon is a closed natural two-phase convection device to maintain the ground temperature below $0^{\circ}C$ by extracting heat from the ground and discharges it into the atmosphere. Experimental and numerical investigation has been performed to estimate the effect of the refrigerant filling ratio in thermosyphon using R-134a refrigerant and the thermal conductance of the thermosyphon.
Kim, Eunho;Jung, Woo Hyun;Park, Jin Ho;Park, Hyun Sun;Moriyama, Kiyofumi
Nuclear Engineering and Technology
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v.48
no.2
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pp.457-469
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2016
During the late phase of severe accidents of light water reactors, a porous debris bed is expected to develop on the bottom of the flooded reactor cavity after breakup of the melt in water. The geometrical configuration, i.e., internal and external characteristics, of the debris bed is significant for the adequate assessment of the coolability of the relocated corium. The internal structure of a debris bed was investigated experimentally using the DAVINCI (Debris bed research Apparatus for Validation of the bubble-Induced Natural Convection effect Issue) test facility. Particle sedimentation under the influence of a two-phase natural convection flow due to the decay heat in the debris bed was simulated by dropping various sizes of particles into a water vessel with air bubble injection from the bottom. Settled particles were collected and sieved to obtain the particle mass, size distribution in the radial and axial positions, and the bed porosity and permeability. The experimental results showed that the center part of the particle bed tended to have larger particles than the peripheral area. For the axial distribution, the lower layer had a higher fraction of larger particles. As the sedimentation progressed, the size distribution in the upper layers can shift to larger sizes because of the higher vapor generation rate and stronger flow intensity.
Purpose: With an increase in the population of immunocompromised patients, the incidence of maxillary sinus aspergillus infection has also escalated. Maxillary sinus aspergillosis is generally extended to the sinus antrum, base or thin orbital wall and ethmoid air cell region. We experienced a case of maxillary sinus aspergillosis which was extended directly to the soft tissue of the cheek. Methods: A 46-year-old man with acute myelogenous leukemia was consulted for the defect of the anterior wall of the maxillary sinus, and cheek. Radiologic and histologic findings were consistent with invasive maxillary sinus aspergillosis. The otolaryngology department performed debridement via endoscopic sinus surgery first. Coverage of the resulting defect in the anterior wall of the maxillary sinus and its inner layer was undergone by the plastic and reconstructive surgery department, using a pedicled superficial temporal fascia flap and a split thickness skin graft. The remaining skin defect of the cheek was covered with a local skin flap. Results: The patient went through an uneventful recovery. There was no recurrence during 6 months of follow-up. Conclusion: Maxillary sinus aspergillosis usually involves the orbit or the gingiva but in some cases it may directly invade soft tissues of the cheek. Such an atypical infection extending into the cheek may lead to a large soft tissue defect requiring coverage. Thus, any undiagnosed soft tissue defect involving the cheek or maxillofacial area, especially in immunocompromised patients, should be evaluated for aspergillosis. We present this rare case, with a review of the related literature.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.171-171
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2010
GaN 기반 Light emitting diodes(LEDs)의 p-type doping layer는 일반적으로 hole을 발생시키는 acceptor로 Mg이 사용하되고 있다. 보통 Mg이 도핑된 p-type GaN은 >$1\;{\Omega}{\cdot}cm$의 저항이 존재하는데 그 이유는 Mg의 열적 이온화를 위한 activation 에너지가 높아서 상온에서 valence band의 hole concentration는 전체 억셉터 농도의 1%가 되지 않기 ��문이다. 본 논문에서는 높은 hole 농도를 얻기 위해서 metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD)를 장비를 사용하여 사파이어 기판의 misorientation-angle에 따른 p-type a-plane(11-20) GaN 특성을 분석하였다. misorientation-angle은 c축 방향으로 $+0.15^{\circ}$, $-0.15^{\circ}$, $-0.2^{\circ}$, $-0.4^{\circ}$ off된 r-plane(1-102) 사파이어 기판 을 사용하였다. p-type 도핑물질로 bis-magnesium (Cp2Mg) 소스를 사용하였고 성장 과정중 발생하는 hydrogen passivation으로 인한 Mg-H complexes현상을 해결하기위해 conventional furnace annealing (CFA)와 rapid thermal annealing (RTA)를 이용하여 열처리 공정을 진행하였다. 열처리 공정은 Air와 N2 분위기에서 $650^{\circ}C$에서 $900^{\circ}C$ 사이의 다양한 온도에서 수행하였고 Hall 측정을 위해 Ni을 전극 물질로 사용하였다. 상온에서 Accent HL5500IU Hall system을 사용하여 hole concentration, mobility, specific resistance을 측정하였다. 열처리 공정 후 Hall측정 결과 $+0.15^{\circ}$, $-0.15^{\circ}$, $-0.2^{\circ}$, $-0.4^{\circ}$ off된 각 샘플들은 온도, 시간, 분위기에 따라 hole concentration ($7.4{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}6{\times}10^{17}cm^{-3}$), mobility(${\mu}h=\;1.72\;cm^2/V-s\;{\sim}15.2\;cm^2/V-s$), specific resistance(4.971 ohm-cm ~8.924 ohm-cm) 가 변화됨을 확인 할 수 있었다. 또한 광학적 특성을 분석하기 위해 Photoluminescence (PL)을 측정하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.453-453
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2010
In this study, zinc germanate ($Zn_2GeO_4$) thin films has been synthesized by using radio frequency magnetron sputtering and the divalent manganese-activated luminescence was characterized. X-ray diffraction patterns of the as-deposited $Zn_2GeO_4$:Mn films showed only a broad feature, indicative of an amorphous structure. Scanning electron microscopy images revealed that the as-deposited $Zn_2GeO_4$:Mn has a smooth surface morphology. The $Zn_2GeO_4$:Mn films were found to be crystallized by annealing in air ambient at temperatures as low as $700^{\circ}C$. The annealed $Zn_2GeO_4$:Mn possessed a rhombohedral polycrystalline structure. The broad-band photoluminescent emission spectrum from 470 to 650nm was obtained at room temperature from the $Zn_2GeO_4$:Mn films. The emission peak was centered at around 535nm in the green range, which originates from the intrashell transition of manganese $3d^5$ electrons from $^4T_1$ excited-state level to the $^6A_1$ ground state. The PL emission spectrum had an asymmetric line shape, which results from the $^3d_5$ electron transitions of divalent manganese ions located at different sites of the zinc germanate host crystal lattice. Electroluminescent devices were fabricated using $Zn_2GeO_4$:Mn as an emission layer. The fabricated devices showed a green EL emission similar to the PL emission. The CIE chromaticity color coordinates of the EL emission were determined to be x=0.308 and y=0.657.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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