N type single crystal CdTe is grown by doping Gallium as 0.01 percent, by using zone melting method. And also p type CdTe is grown by doping Ag, Sb, and Te as 0.01%. Resistivity and Concentration of the n.p type single crystal are measured. And then Li ions are implanted on the n type CdTe by high voltage accellerator with different amount of impurity. Indium is evaporated on the p type in high vacuum condition. These sample are heated so as to make P-N Junction in Argon gas flow. Electrical properties for solar cell are investigated. Photovoltage and current are found to be varyed according to following factor: 1) amount of impurity 2) diffusion thickness 3) temperature and time for making P-N junction. Efficiency of the P-N Junction evaporated Indium is 6.5 when it is heated at 380.deg. C for 15 minutie.
We have applied front contact metallization of plated nickel and copper for high efficiency passivated emitter rear contact(PERC) solar cell. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. The plating technique is a preferred method for commercial solar cell fabrication because it is a room temperature process with high growth rates and good morphology. In this system, the electroless plated Ni is utilized as the contact to silicon and the plated Cu serves as the primary conductor layer instead of traditional solution that are based on Ti/Pd/Ag contact system. Experimental results are shown for over 20 % PERC cells with the Plated Ni/Cu contact system for good performance at low cost.
Recently, a demand in sustainable green technologies is requiring the lead free bonding for high power module packaging due to the environmental pollution. The Transient-liquid phase (TLP) bonding can be a good alternative to a high Pb-bearing soldering. Basically, TLP bonding is known as the combination of soldering and diffusion bonding. Since the low melting temperature material is fully consumed after TLP bonding, the remelting temperature of joint layer becomes higher than the operating temperature of the power module. Also, TLP bonding is cost-effective process than metal nanopaste bonding such as Ag. In this paper, various TLP bonding techniques for power semiconductor were described.
본 연구에서는 7종의 약용식물(송절, 지구목, 측백, 대풍자, 유백피, 은행잎, 참오동나무)을 사용하여 잔디의 주요 병원균 6종(R. solani AG 2-2(IV), R. solani AG-1 IB, Pythium sp., S. homoeocarpa, R. cerealis, C. graminicola)을 대상으로 항진균 활성을 실험하였다. 디스크 확산법으로 항진균 활성이 있는 약용식물 추출물을 선발하였고, 선발된 추출물을 사용하여 균사생육 억제 효과를 검정하였다. 디스크 확산법으로 실험 한 결과 7종의 약용식물 중 송절, 측백, 유백피 등 3종의 추출물에서 항진균 활성이 있는 것으로 나타났다. 송절 추출물 1,000배 처리에서 Pythium sp.에 대하여 100%, C. graminicola에 대하여 84.3%의 균사생육 억제율을 나타내었으며, 특히 Pythium sp.에 대해서는 5,000배 처리에서도 89.5%의 균사생육 억제율을 나타내었다.
본 연구에서는 환경오염을 발생시키는 주요한 중금속 물질의 하나인 구리를 상대적으로 쉽게 검출하기 위해, CNT 전극 및 벗김전압전류법을 이용하여 구리 금속의 감도 향상을 위한 최적조건 및 민감도를 평가하였다. 또한 구리의 벗김반응이 발생될 때의 반응 메카니즘에 대한 연구도 수행하였다. 이를 위해, 네모파 벗김전압전류법 및 선형주사 전압 전류법등의 전기화학적 분석법이 이용되었다. 평가 결과, 네모파 벗김전압전류법의 최적조건으로, 15 mV의 네모파증폭율, 60 Hz의 주파수, -1.0V vs. Ag/AgCl의 석출전위 및 200초의 석출시간이 결정되었다. 구리 금속의 민감도를 측정한 결과 $1.824{\mu}A/{\mu}M$의 민감도를 얻을 수 있었다. 선형주사 전압전류법을 이용하여 구리의 벗김반응에 영향을 끼치는 인자를 평가하였을 때, 확산반응 보다는 표면반응이 구리의 벗김반응 성능에 영향을 끼치는 것으로 측정되었다. 이러한 전기화학적 분석 결과가 다른 참고문헌들과 비교되어졌고, 구리금속의 민감도 측면에서 본 연구에서 제안한 CNT 전극의 우수함이 입증되었다.
잔디에 발생하는 주요 병해로 한지형 잔디에서 갈색잎마름병(Rhizoctonia solani AG1-1), 동전마름병(S. homoeocarpa), 피시움마름병(Pythium. spp.), 탄저병(C. graminicola)과 난지형 잔디에서 누른잎마름병(R. cerealis), 라이족토니아마름병 (R. solani AG2-2)이다. 본 연구에서는 이들 잔디 주요 병원균 6종에 대한 한약재 23종의 항진균 활성을 알아보았다. 디스크 확산법으로 항진균 활성이 있는 한약재를 선발하였고, 선발된 한약재를 대상으로 균사생육억제 효과를 실험하여 검정하였다. 항진균 활성 시험 결과, 한약재 23종 중고삼 외 11종의 시료에서 항진균 활성이 있었으며, 균사생육 억제효과를 통한 검정에서는 10 mg/10 ml(1000배) 추출물 첨가 배지에서 잔디 병원균 6종 중 1종이라도 균사 억제율이 80% 이상인 추출물은 고삼, 울금, 대황, 황련, 족두리풀로 나타났다. 특히 고삼 추출물은 실험 대상인 잔디 병원균 6종에 대해 모두 항진균 활성이 나타났고, 울금 추출물 10 mg/10 ml(1000배), 5 mg/10 ml(2000배), 2 mg/10 ml(5000배) 첨가 배지에서 S. homoeocarpa 에 대해 100% 균사 생육 억제 효과를 나타내었다. 그리고 Pythium spp. 균사 억제효과가 100%인 것은 고삼, 대황, 황련으로 나타났다.
전류밀도는 전기도급법에서 생산성과 직접적인 연관이 있고, 생산성의 증가를 위해선 고전류밀도가 필요하다. 회전전극(RDE)의 회전 속도를 증가시키면 고유속을 얻을 수 있다. 유속 조절을 위해 회전전극과 원통형 회전 전극을 사용하였고, 전압과 전류의 관계를 알아보기 위해 정전류, 정전압 실험과 linear sweep voltammetry 실시하였다. 회전 전극의 회전 속도가 400 rpm이상 조건에서, 수소가 발생하지 않고 1000 A/$m^2$이상의 최대전류멸도가 가능하였다. $25^{\circ}C$와 $62^{\circ}C$ 조건에서 구리의 확산계수는 각각 $5.5{\times}10^6\;cm^2\;s^{-1}$와 $10.5{\times}10^6\;cm^2\;s^{-1}$로 계산되었다. 수소가 발생하지 않으면서 안정적으로 구리를 전착할 수 있는 조건은 -0.05 V (vs Ag/AgCl)이었다. 첨가제인 glue와 thiourea-를 넣음으로써 구리의 침상성장을 막을 수 있었다. 표면 거칠기는 UV-Vis Spectrophotometer를 아용하여 분석되었다. 600 nm 영역에서 반사도는 측정 되었고 표면 거철기가 개선될수록 표면 반사도가 증가하였다.
용액-확산 메커니즘에 의해 결정되는 기존의 고분자에서와는 달리, 촉진수송은 투과도와 선택도를 동시에 향상시킬 수 있는 기술이다. 본 연구에서는 은 나노입자, 폴리비닐피롤리돈, 7,7,8,8-테트라시야노퀴노디메탄으로 구성된 촉진수송 올레핀 분리막에 있어서, 메조기공 티타늄산화물($m-TiO_2$)에 대한 영향을 연구하였다. 특히 메조기공 티타늄산화물은 폴리비닐클로라이드-g-폴리옥시에틸렌 메타크릴레이트 가지형 공중합체를 템플레이트로 하여 쉽고 대량 생산이 가능한 방법으로 제조하였다. 엑스레이 회절분석에 따르면, 제조된 메조기공 티타늄산화물은 아나타제와 루타일 상의 혼합으로 구성되어 있으며, 결정의 크기가 약 16 nm 정도 되었다. 메조기공 티타늄산화물을 첨가하였을 때, 분리막의 확산도가 증가하여 혼합기체 투과도가 1.6에서 16 GPU로 증가하였고 선택도는 45에서 37로 약간 감소하였다. 메조기공 티타늄산화물이 첨가되지 않은 분리막은 장시간 성능이 유지되었으나, 메조기공 티타늄산화물이 첨가된 분리막의 경우 시간이 지남에 따라 투과도와 선택도가 감소하였다. 이는 티타늄산화물과 은 사이의 화학적 상호작용으로 은 나노입자의 올레핀 운반체로써의 활성을 감소시키기 때문으로 사료된다.
자동차 시장의 확대에 따라 자동차 모터의 필수 소재로 희토류금속인 Nd에 대한 수요가 급증하고 있다. Nd를 제조하기 위하여 Nd2O3와 Ca계 합금의 열 환원반응에 관한 연구가 활발히 진행되어 왔다. 본 연구에서는 Nd2O3의 환원제로 사용되는 Ca계 합금인 Ca-Cu를 CaCl2 용융염에서 전기분해반응을 통해 제조하였다. 전기분해반응의 작업 전극과 상대전극으로는 Cu 와이어와 흑연을 각각 사용하였다. 기준전극은 AgCl:CaCl2=1:99 mol%로 혼합한 혼합물에 Ag 와이어를 넣어 제작하였다. 순환전압 전류법 결과에 의하면 -1.8 V의 전위부터 작업전극의 표면에 Ca2+의 증착이 관찰되었으며, CaCl2 염의 온도가 증가할수록 Ca2+의 환원전위가 감소하였다. 시간대전류법 실험을 통해 계산된 Ca2+의 확산계수는 5.4(±6.8)×10-6 cm2/s으로 나타났다. 또한, Cu 전극에 일정한 전위를 가해 Ca-Cu 액상합금을 제조하였으며 제조된 합금은 EDS line scan을 통해 인가 전위의 증가에 따라 Ca의 전기화학적 삽입이 증가함을 확인하였다. -2.0 V보다 음의 전위를 인가하여 제조한 Ca-Cu 합금의 조성비는 Ca:Cu=1:4임을 확인하였다.
비전도성 필름(non-conductive film, NCF)의 적용이 Cu/Ni/Sn-2.5Ag 미세범프의 금속간화합물(intermetallic compound, IMC) 성장 거동에 미치는 영향을 분석하기 위해 110, 130, 150℃의 온도 조건과 1.3×105 A/cm2의 전류밀도 조건에서 실시간 열처리 및 electromigration(EM) 실험을 진행하였다. 그 결과, NCF 적용 유무와 열처리 및 EM 실험과 관계없이 Ni3Sn4 IMC 성장에 필요한 활성화에너지는 약 0.52 eV로 큰 차이는 보이지 않았다. 이는 Ni-Sn IMC의 성장속도가 Cu-Sn IMC 성장 속도보다 매우 느리며, 또한 Ni-Sn IMC의 성장 거동은 시간의 제곱근에 선형적으로 증가하므로 확산이 지배하는 동일한 반응기구를 가지며 NCF 적용에 따른 역응력(back stress)의 EM 억제 효과가 크지 않기 때문에 Ni3Sn4 IMC 성장에 필요한 활성화에너지는 차이가 나지 않는 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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