Three different kinds of substrate used in this study : bare Cu, electroless Ni/Cu substrate with a Nilayer thickness of $5\mu\textrm{m}$, immersion Au/electroless Ni/Cu substrate with the Au and Ni layer of $0.15\mu\textrm{m}$ and $5\mu\textrm{m}$ thickness, respectively. The wettability and interfacial tension between various substrate and Sn-3.5Ag solder were examined as a function of soldering temperature, types of flux. The wettability of Sn-3.5Ag solder increased with soldering temperature and solid content of flux. The wettability of Sn-3.5Ag solder was affected by the substrate metal finish used, i.e., nickel, gold and copper. Intermetallic compound formation between liquid solder and substrate reduced the interfacial energy and decreased wettability.
Glasses of Na2O-Al2O3-SiO2 system were prepared and ion-exchange characteristics change of properties and bactericidal effects by Na+↔Ag+ ion exchange were studied. Parent glasses with three compositions of varying Na2O in the 20~30 wt% were ion-exchanged in the molten salt of 2 mol% AgNO3+98 mol% NaNO3 at 320~36$0^{\circ}C$ for 15~16min. Amount of ion exchange and penetration depth of Ag+ ion increased with Na2O content in the parent glass ion exchange temperature and time. After ion exchange densities and Vickers hardness of the glasses increased and the glasses showed yellow-brown color and as amount of ion exchange increased the color turned deep because partial reduction and agglomeration of Ag+ into Ag0 results in absorption of visible light. After ion exchange chemical durability of the glass to wter was enhanced compara-bly that weight loss and change of surface of the glass were not found for the leaching test in 5$0^{\circ}C$ K.I water for 240hrs. Bactericidal effect of ion exchanged glass on Staphylococcus aureus and E. coli was determined by microorganism test and bactericidal effect increased with amount of ion exchange and incubation time.
The purpose of this study is to investigate the effect of $V_2$$O_{5}$ addition on the Ag and Cu precipitation in the NiCuZn ferrite layers of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2$$O_{5}$ -doped ferrite pastes. With increasing the $V_2$$O_{5}$ content and sintering temperature, Ag and Cu oxide coprecipitated more and more at the polished surface of ferrite layers during re-annealing at $840^{\circ}C$. It was thought that during the sintering process, V dissolved in the NiCuZn ferrite lattice and the Ag-Cu liquid phase of low melting point was formed in the ferrite layers due to the Cu segregation from the ferrite lattice and Ag diffusion from the internal electrode. During re-annealing at $840^{\circ}C$, the Ag-Cu liquid phase came out the polished surface of ferrite layers, and was decomposed into the isolated Ag particles and the Cu oxide phase during the cooling process.
Kim, Hyung-Gun;Kim, Chang-Hyun;Choi, Sang-Hyun;Ihm, Suk-Young;Lee, Min-Soo;Chun, Boe-Gwun
The Korean Journal of Pharmacology
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v.28
no.2
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pp.115-128
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1992
The training of male wistar rats for active conditioned response (ACR) was performed by one daily training session of 30 consecutive trials for 10 successive days using a two-way shuttle box, and the rats that showed 10 or more ACRs on the last day were treated for further 10 days with electroconvulsive shock (ECS : 50 mA, 0.5 msec; 100 Hz; 1.5 sec) and the following compounds. On the 20th day, all the rats were tested for the ACR rention. The ECS regimens were one ECS per day for 10 days with one day interval $(5{\times}ECS)$, one ECS at 3 hrs (ECS-3h), and one ECS at 24 hrs (ECS-24h), respectively, before the ACR retention test. And CDP-choline (cc: 250 mg/kg), spermine (SM: 10 mg/kg), ${\alpha}-difluoromethylornithine$ (DO: 250 mg/kg), or aminoguanidine (AG: 100 mg/kg) was administered by one daily i.p. injection for 10 days. The ACR number $(13.7{\pm}1.0)$ obtained on the last training day was increased by 37.23% on the 20th day in the control rats. And the ACR increase was significantly suppressed by 5-ECS, ECS-3h, CC, or SM but was little affected by ECS-24h, DO, or AG. However, the 5-ECS induced impairment of ACR retention was significantly suppressed by AG, SM, and CC in the order of potency but was little affected by DFMO. And the ECS-3h induced impairment was moderately worsened by SM or AG. The acetylcholine (ACh) of the rat hypothalamus (HT), hippocampus (HC), and entorhinal cortex (EC) was markedly increased by CC and moderately increased by SM, but little affected by ECS-3h, ECS-24h, DO, or AG. But $5{\times}ECS$ slightly increased the ACh content. The brain putrescine (Pt) content was significantly increased by AG and little affected by CC, SM, or DO. But the $5{\times}ECS$ markedy decreased the brain Pt content, and the decrease was significantly suppressed by CC, SM, or AG. CC induced the marked increases of the spermidine (Sd) and spermine (Sm) contents of all the areas. SM increased the Sd contents of all the areas and the EC-Sm content. DO decreased the brain Sd and Sm contents. And AG increased the HT-Sd content and the Sm contents of all the brain areas. The $5{\times}ECS$ induced decrease of the HC-Sm content was suppressed by CC, SM and AG. These results suggest that the improving effect of aminoguanidine on the $5{\times}ECS$ induced impairment of ACR retention may be ascribed in part to its activity as a diamine oxidase inhibitor.
The long-term reliability of Sn-0.3wt%Ag-0.7wt%Cu solder joints was evaluated and compared with Sn-3.0wt%Ag-0.5wt%Cu under thermal shock conditions. Test vehicles were prepared to use Sn-0.3Ag-0.7Cu and Sn-3.0Ag-0.5Cu solder alloys. To compare the shear strength of the solder joints, 0603, 1005, 1608, 2012, 3216 and 4232 multi-layer ceramic chip capacitors were used. A reflow soldering process was utilized in the preparation of the test vehicles involving a FR-4 material-based printed circuit board (PCB). To compare the shear strength degradation following the thermal shock cycles, a thermal shock test was conducted up to 2,000 cycles at temperatures ranging from $-40^{\circ}C$ to $85^{\circ}C$, with a dwell time of 30 min at each temperature. The shear strength of the solder joints of the chip capacitors was measured at every 500 cycles in each case. The intermetallic compounds (IMCs) of the solder joint interfaces werealso analyzed by scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The results showed that the reliability of Sn-0.3Ag-0.7Cu solder joints was very close to that of Sn-3.0Ag-0.5Cu. Consequently, it was confirmed that Sn-0.3Ag-0.7Cu solder alloy with a low silver content can be replaced with Sn-3.0Ag-0.5Cu.
Joining of AIN ceramics to W and Cu by active-metal brazing method was tried with use of (Ag-Cu)-Ti alloy as insert-metal. Joints were produced under various conditions of temperature, holding time and Ti-content in (Ag-Cu) alloy Reaction and microstructural development in bonded interface were investigated through observation and analysis by SEM/EDS, EPMA and XRD. Joint strengths were measured by shear test. Bonded interface consists of two layers: an insert-metal layer of eutectic Ag- and Cu-rich phases and a reaction layer of TiN. Thickness of reaction layer increases with bonding temperature, holding time and Ti-content of insert-metal. It was confirmed that the growth of reaction layer is a diffusion-controlled process. Activation energy for this process was 260 KJ/mol which is lower than that for N diffusion in TiN. Maximum shear strength of 108 MPa and 72 MPa were obtained for AIN/W and AIN/Cu joints, respectively. Relationship between processing variables, joint strength and thickness of reaction layer was also explained.
Ku, Dae-Young;Kim, Won-Mok;Cho, Sang-Moo;Hwang, Man-Soo;Lee, In-Kyu;Cheong, Byung-Ki;Lee, Taek-Sung;Lee, Kyeong-Seok;Cho, Sung-Hun
Korean Journal of Materials Research
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v.12
no.8
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pp.661-668
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2002
A study was made to examine the electrical, compositional, structural and morphological properties of Ag thin films deposited by DC magnetron sputtering in $O_2$ atmosphere with deposition temperature from room temperature to 15$0^{\circ}C$ using in-line sputter system. The Ag films deposited at temperature above $100^{\circ}C$ in oxygen atmosphere gave a similar specific resistivity to and even lower oxygen content than those deposited using pure Ar sputter gas The Ag films deposited with pure Ar gas was mainly composed of crystallites with [111] preferred orientation, while, for those deposited in oxygen atmosphere, more than 50% of the volume was composed of crystallites with [100] orientation. The difference in the micro structure did not cause any difference in the specific resistivity of Ag films. The results showed that the transparent conducting oxide films and the Ag films could be processed sequentially in the same deposition chamber with careful control of deposition temperature, which might result in a cost reduction for constructing the large scale in-line deposition system.
Recently as environmental pollution caused by Pb has posed a serious threat to the global environment, the trend to regulate the usage of Pb in electronic industry is one the rise. Currently, the solder alloy with high Pb content, Sn-37%Pb, is utilized in the electronic assembly therefore, the objective of this study is to develop an alternative solder alloy for the existing Sn-37%Pb solder alloy. First thing, this work choosed Sn-5%Pb-1.5%Ag, Sn-5%Pb-1.5%Ag-x%Bi(x=1~5%) for candidate solder alloys, and examined their properties such as melting range, wettability, microhardness, tensile property, oxidation behavior and microstructure. Wettability was on the same level of Sn-37%Pb. Dissolution of Pb ion in Sn-5%Pb solder was 0.46ppm. This solder alloy revealed cellular dendrite microstructure $\beta$-Sn matrix, Pb-rich phase, Ag/Sn, and Cu/Sn Intermetallic compounds. The range of solidification temperature was within 3$0^{\circ}C$. Also these alloy displayed higher tensile strength and lower elongation than Sn-37%Pb. The resistance of oxidation in Sn-5%Pb-1.5%Ag solder alloy was superior to that of Sn-37%Pb solder alloy. But that of Sn-5%Pb-1.5%Ag-5%Bi solder alloy was equal to that of Sn-37%Pb solder alloy.
The purpose of this study is to investigate the characteristics of Pb-Free Sn-2%Ag-Bi solder alloys. The solder alloys used in this study is Sn-2%Ag-(3,5,7,9%) Bi It is examined that their properties such as melting range, wettability, microstructure, microhardness, and tensile property. The addition of Bi(3,5,7,9%) lowered the melting point of the solder and the melting range was 196~203$^{\circ}C$. The wettability of the solder as equal to that of Sn-37% Pb solder. The morphology of structure did not change largely by addition of Bi. But the structure of cellular dendrite of linear type displayed. The tensile strength of the solder was superior to that of Sn-37%Pb solder. But the elongation was inferior to that of Sn-37%Pb solder. The hardness of Sn-2%Ag solder was tow times and that of Sn-2%Ag-Bi solder was three times of that in Sn-37%Pb solder. But the effect of increment of Bi content did not change largely.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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