• Title/Summary/Keyword: Ag 전극

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The Manufacture of Conductive paste for OTFT source & drain contacts Fabricated by Direct printing method (Direct Printing법에 의해 제작된 OTFT용 source & drain 전극용 전도성 페이스트 제조)

  • Lee, Mi-Young;Nam, Su-Yong;Kim, Seong-Hyun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.11a
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    • pp.384-385
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    • 2006
  • We studied about conductive pastes of the source-drain contacts for OTFTs(organic thin-film transistors) fabricated by direct printing(screen printing) method. We used Ag and conductive carbon black powder as the conductive fillers of pastes. The conductive pastes were manufactured by various dispersing agents and dispersing conditions and source-drain contacts with $100{\mu}m$ of channel length were fabricated. We could obtain the OTFTs which exhibited different field-effect behaviors over a range of source-dram and gate voltages depending on a kind of conductive fillers used conductive pastes.

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Ni/Cu Metallization for High Efficiency Silicon Solar Cells (Ni/Cu 전극을 적용한 고효율 실리콘 태양전지의 제작 및 특성 평가)

  • Lee, Eun-Joo;Lee, Soo-Hong
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.17 no.12
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    • pp.1352-1355
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    • 2004
  • We have applied front contact metallization of plated nickel and copper for high efficiency passivated emitter rear contact(PERC) solar cell. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. The plating technique is a preferred method for commercial solar cell fabrication because it is a room temperature process with high growth rates and good morphology. In this system, the electroless plated Ni is utilized as the contact to silicon and the plated Cu serves as the primary conductor layer instead of traditional solution that are based on Ti/Pd/Ag contact system. Experimental results are shown for over 20 % PERC cells with the Plated Ni/Cu contact system for good performance at low cost.

Nano-scale Observation of Nanomaterials and Nano-devices

  • An, Chi-Won
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.86.1-86.1
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    • 2012
  • 나노재료와 나노기술의 연구개발 지원을 위하여 국가나노인프라인 나노종합팹센터에서 개발되고 있는 나노재료/나노현상의 실시간 관찰을 위한 SiN membrane chip 기술 및 나노그래핀 기반구축에 대한 최근 결과와 향후계획을 소개하고자 한다. 나노재료의 합성, 배열, 구조 등의 실시간 관찰을 가능하게 하기 위하여 제작된SiN membrane chip은 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM)에서 투명한 기판으로, 그 위에 나노재료를 합성, 배열하고 원하는 모양의 전극을 형성하여 나노재료 및 나노소자의 온도변화 및 전기적 특성 측정 등이 가능하다. 이러한 기술은 Ag, Sn, Cu 등 nano-cluster의 percolation 소자, SiN 및 Graphene 나노기공 소자, SiGe, BiTe, Si, ZnO 나노선 및 CNT의 내부구조변화, 상변화 등 다양한 나노재료/나노소자의 나노현상 관찰 및 해석에 적용되었다.

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Flexible ZnO Nanogenerator의 내구성 개선을 통한 효율 향상 연구

  • Gang, Mul-Gyeol;Kim, Seong-Hyeon;Kim, Seon-Min;Jo, Jin-U;Lee, Cheol-Seung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.606-606
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    • 2013
  • ZnO nanowire를 기반으로 하는 nanogenerator는 미세한 움직임을 전기 에너지로 변환 시키는 압전 에너지 하베스팅 기술로 기존 에너지 하베스터와 비교하여 사용환경의 제약이 적고, 소형화가 가능한 장점으로 주목을 받고 있다. 특히 혈류, 심장박동, 호흡 등 인체 활동 에너지를 이용한 발전 소자 등의 활용이 가능하여 활발한 연구가 진행되고 있다. 하지만, 최근 발표된 film like generator나 lateral 구조의 nanogenerator는 nanowire의 구조 취약성으로 인해 내구성이 좋지 못한 단점이 있다. 본 연구에서는 nanogenerator의 내구성을 향상시키기 위해 capping layer로 실리콘 계 유무기 하이브리드를 적용하고자 하였다. 또한 상부 전극을 CNT-Ag소재로 대체하여 유연기판에 대응코자 하였다. 코팅 물질 및 코팅 방법을 최적화하고, 내구성 테스트를 실시하였고, 소자의 발전 특성은 PVDF generator와 비교분석하였다.

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Study on Organic Thin-Film Transistors(OTFTs) Devices with Gold and Nickel/Silver electrodes (전극에 따른 유기박막트랜지스터 소자의 전기적 특성 연구)

  • Hwang, Seon-Wook;Hyung, Gun-Woo;Park, Il-Houng;Choi, Hak-Bum;Kim, Young-Kwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.271-272
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    • 2008
  • We fabricated a pentacene thin-film transistor with Ni/Ag source/drain electrodes. Also, we obtained similar electrical characteristics as compared with source/drain electrode with Au. This device was found to have a field-effect mobility of about 0.021 $cm^2$/Vs, a threshold voltage of -5, -7 V, an subthreshold slope of 2.0, 4.5 V/decade, and an on!off current ratio of $3.6\times10^5$, $2.0\times10^6$.

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플렉서블 디스플레이용 투명전극 제조를 위한 ITO 대체소재 연구동향

  • Kim, Seon-Ok;Choe, Su-Bin;Kim, Jong-Ung
    • Ceramist
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    • v.21 no.1
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    • pp.12-23
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    • 2018
  • As the flexible displays have been considered as a breakthrough to make a new electronics category, transparent electrodes have also confronted with an emerging issue, i.e., they also need to be mechanically flexible. For this to be made possible, a transparent electrode capable of withstanding large amounts of strain must be developed. Indium tin oxide (ITO) has been one of the most widely adopted transparent electrodes for displays and other transparent electronics, mainly supported by its high electrical conductivity and optical transparency. However, its brittle nature has forced the display industry to search for other alternatives. Recently, advances in nano-material researches have opened the door for various transparent conductive materials, which include carbon nanotube, graphene, Ag and Cu nanowire, and printable metal grids. Here we reviewed recently-published research works introducing flexible displays, all of which are employing the novel candidates for a conducting material.

(Fabrication and Electrical Characterization of Pentacene - based Schottky diodes) (Pentanene을 이용한 Schottky diode의 제작 및 전기적 특성)

  • 김대식;이용수;박재훈;최종선;강도열
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.53-53
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    • 2000
  • 반도체 산업에서 유기물질의 응용에 많은 관심을 나타내고있으며, 그 응용의 예로는 발광 다이오드(light emitting diode)와 박막트랜지스터(thinfilm transistor)가 주를 이루고 있다. 이러한 유기 물질을 이용하면 소자의 제작 공정의 단순화와 제작 가격을 낮출 수 있는 이점을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 pentcence 다이오드를 제작하였다. 유리 기판 위에 silicon dioxide를 PECVD으로 성막하였다. 전극으로는 Ohmic contact를 이루기 위해 금(Au)을 사용하였으며 schottky contact을 이루기 위해서 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au)을 각각 사용하였다. 소자의 활성 층으로는 pentcene을 가장 단순한 열 증착법으로 성막하였고, 진공도는 10-8Torr를 유지하였으며 성막 속도는 0.3 $\AA$/sec로 성막하였다. 제작된 소자들은 $\alpha$-step, I-V, C-V, AFM, IR등을 이용하여 측정, 분석하였다.

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O2 plasma를 이용한 Flexible ZnO nanogenerator 특성 향상 연구

  • Gang, Mul-Gyeol;Park, Seong-Hwak;Ju, Byeong-Gwon;Lee, Cheol-Seung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.283.1-283.1
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    • 2013
  • ZnO nanowire를 기반으로 하는 nanogenerator는 미세한 움직임을 전기 에너지로 변환 시키는 압전 에너지 하베스팅 기술로 기존 에너지 하베스터와 비교하여 사용환경의 제약이 적고, 소형화가 가능한 장점으로 주목을 받고 있다. 특히 혈류, 심장박동, 호흡 등 인체 활동 에너지를 이용한 발전 소자 등의 활용이 가능하여 활발한 연구가 진행되고 있다. 하지만, 최근 발표된 film like Vertical 구조의 nanogenerator는 nanowire의 구조 취약성으로 인해 내구성이 좋지 못한 단점이 있다. 또한 ZnO nanowire의 내부 O2 결함 및 표면 OH-기의 흡착에 의한 특성 저하가 나타난다. 본 연구에서는 nanogenerator의 내구성을 향상시키기 위해 capping layer로 실리콘 계 유무기 하이브리드를 적용하여 코팅 물질 및 코팅 방법을 최적화 하였으며 상부 전극을 CNT-Ag nanowire 소재로 대체하여 유연기판에 대응코자 하였다. 또한 APP(Atmosphere Pressure Plasma)와 ICP(Inductively Coupled Plasma)장비를 사용하여 ZnO nanowire를 표면처리하였고, 각각의 플라즈마 표면처리의 영향에 대해 조사하였다. XPS를 통하여 OH-기의 제거 유무를 확인하였으며, 소자의 발전 특성의 향상을 확인 하였다.

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Technical trend of stretchable electrodes (차세대 스트레처블 전극의 기술 개발동향)

  • Lee, Sang-Mok;Lim, Ji-Eun;Kim, Han-Ki
    • Vacuum Magazine
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    • v.4 no.2
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    • pp.15-23
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    • 2017
  • This article reviews technical trend in research of stretchable electrodes for wearable devices, bio-integrated devices, and stretchable electronics. Stretchable electronics is new emerging class of electronics following flexible electronics. One of the most difficult challenges in the development of stretchable electronic is to realize high performance stretchable electrodes with a low resistivity and high strain failure and stretchability against severe strain of the substrate. For this reason, there are many reports on the promising stretchable electrodes including CNT, graphene, Ag nanowire, and composite materials. We outline the recent research for stretchable substrate and stretchable electrode materials to realize highly stretchable electrodes.

Fabrication of Hydrogel and Gas Permeable Membranes for FET Type Dissolved $CO_{2}$ Sensor by Photolithographic Method (사진식각법을 이용한 FET형 용존 $CO_{2}$ 센서의 수화젤막 및 가스 투과막 제작)

  • Park, Lee-Soon;Kim, Sang-Tae;Koh, Kwang-Nak
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.6 no.3
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    • pp.207-213
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    • 1997
  • A field effect transistor(FET) type dissolved carbon dioxide($pCO_{2}$) sensor with a double layer structure of hydrogel membrane and $CO_{2}$ gas permeable membrane was fabricated by utilizing a $H^{+}$ ion selective field effect transistor(pH-ISFET) with Ag/AgCl reference electrode as a base chip. Formation of hydrogel membrane with photo-crosslinkable PVA-SbQ or PVP-PVAc/photosensitizer system was not suitable with the photolithographic process. Furthermore, hydrogel membrane on pH-ISFET base chip could be fabricated by photolithographic method with the aid of N,N,N',N'-tetramethyl othylenediarnine(TED) as $O_{2}$ quencher without using polyester film as a $O_{2}$ blanket during UV irradiation process. Photosensitive urethane acrylate type oligomer was used as gas permeable membrane on top of hydrogel layer. The FET type $pCO_{2}$ sensor fabricated by photolithographic method showed good linearity (linear calibration curve) in the range of $10^{-3}{\sim}10^{0}\;mol/{\ell}$ of dissolved $CO_{2}$ in aqueous solution with high sensitivity.

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