• 에너지공학
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• 제10권3호
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• pp.278-285
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• 2001

본 연구에서는 경수로 사용후핵연료를 모사하는 모의 핵연료 제조 공정 중 소결체 특성에 미치는 변수들의 영향에 관하여 기술하였다. 주로 성형압, 소결 온도 및 시간이 소결체의 밀도에 미치는 영향에 관하여 분석하였다. 성형압은 1 ton/$\textrm{cm}^2$에서 4ton/$\textrm{cm}^2$, 소결 온도는 167$0^{\circ}C$, 173$0^{\circ}C$, 178$0^{\circ}C$, 소결 시간은 4시간, 8시간, 24시간으로 변화시키면서 실험을 수행하였다. 성형밀도는 성형압의 1/3승에 비례하며, 이론 밀도의 약 90.5%에서 99.6%까지의 소결 밀도를 갖는 모의 핵연료를 제조하였다. 결정립 성장지수와 활성화에너지는 각각 2.5와 287.97kJ/mo1 이었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.526-529
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• 2002

Various fluoride films on a glass substrate were prepared and characterized in order to determine the best seed layer for a microcrystalline silicon (${\mu}c$-Si) film growth. Among the various group-IIA-fluoride systems, the $CaF_2$films on glass substrates illustrated (220) preferential orientation and a lattice mismatch of less than 0.7% with Si. $CaF_2$ films exhibited a dielectric constant between $4.1{\sim}5.2$ and an interface trap density ($D_{it}$ as low as $1.8{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^1$. Using the $CaF_2$/glass structure, we were able to achieve an improved ${\mu}c$-Si film at a process temperature of 300 $^{\circ}C$. We have achieved the ${\mu}c$-Si films with a crystalline volume fraction of 65%, a grain size of 700 ${\AA}$, and an activation energy of 0.49 eV.

• 한국재료학회지
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• 제4권7호
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• pp.828-836
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• 1994

YBCO산화물초전도체의 고온변형 특성을 조사하기 위하여 $890^{\circ}C$ ~ $930^{\circ}C$의 온도범위에서 $1.0 x 10^{-5}s^{-1}\sim 1.0^{-4}s^{-1}$의초기변형속도로 압축시험을 수행하였다. 변형온도가 증가함에 따라 또한 초기변형속도가 감소함에 따라 flow stress는 감소하였다. 변형률속도 민감지수는 0.41-0.46이었다. 이는 초소성 변형이 일어났음을 보여준다. 초소성변형에 대한 활성화 에너지는 약 500 ~ 580KJ/mol이었으며 Ag첨가량이 증가할수록 활성화에너지는 감소하였다. 초소성변형된 시편들의 미세조직 관찰결과 변형중에 결정립 성장이 일어났으며 Ag양이 증가함에 따라 이러한 현상을 뚜렷하였다. 변형후 결정립 형태는 등축상을 유지하였다. 이러한 결과로 볼때, YBCO 초전도체의고온변형기구는 확산을 동반한 결정립계 미끄러짐으로써 그 비율은 전 변형량중 약 65%정도였다.

• 한국재료학회지
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• 제22권7호
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• pp.346-351
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• 2012

$Li_{1+x}Al_xTi_{2-x}(PO_4)_3$(LATP) is a promising solid electrolyte for all-solid-state Li ion batteries. In this study, LATP is prepared through a sol-gel method using relatively the inexpensive reagents $TiCl_4$. The thermal behavior, structural characteristics, fractured surface morphology, ion conductivity, and activation energy of the LATP sintered bodies are investigated by TG-DTA, X-ray diffraction, FE-SEM, and by an impedance method. A gelation powder was calcined at $500^{\circ}C$. A single crystalline phase of the $LiTi_2(PO_4)_3$(LTP) system was obtained at a calcination temperature above $650^{\circ}C$. The obtained powder was pelletized and sintered at $900^{\circ}C$ and $1000^{\circ}C$. The LTP sintered at $900{\sim}1000^{\circ}C$ for 6 h had a relatively low apparent density of 75~80%. The LATP(x = 0.3) pellet sintered at $900^{\circ}C$ for 6 h was denser than those sintered under other conditions and showed the highest ion conductivity of $4.50{\times}10^{-5}$ S/cm at room temperature. However, the ion conductivity of LATP (x = 0.3) sintered at $1000^{\circ}C$ decreased to $1.81{\times}10^{-5}$ S/cm, leading to Li volatilization and abnormal grain growth. For LATP sintered at $900^{\circ}C$ for 6 h, x = 0.3 shows the lowest activation energy of 0.42 eV in the temperature range of room temperature to $300^{\circ}C$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1514-1516
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• 1999

This paper covers our efforts to improve the low carrier mobility and light instability of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films with microcrystalline silicon $({\mu}c-Si)$ films. We successfully prepared ${\mu}c-Si$ films on $CaF_2$/glass substrate by decomposition of $SiH_4$ in RPCVD system. The $CaF_2$ films on glass served as a seed layer for ${\mu}c-Si$ film growth. The XRD analysis on $CaF_2$/glass illustrated a (111) preferred $CaF_2$ grains with the lattice mismatch less than 5 % of Si. We achieved ${\mu}c-Si$ films with a crystalline volume fraction of 61 %, (111) and (220) crystal orientations. grain size of $706\AA$, activation energy of 0.49 eV, and Photo/dark conductivity ratio of 124. By using a $CaF_2$/glass structure. we were able to achieve an improved ${\mu}c-Si$ films at a low substrate temperature of $300^{\circ}C$.

• 한국자기학회지
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• 제9권6호
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• pp.278-284
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• 1999

Mn-Zn ferrites에 TiO2가 첨가될 때 전력손실, 밀도, 초기투자율, 저항, 그리고 미세구조의 변화를 관찰하였다. 첨가량이 증가함에 따라 밀도는 증가했지만, 초기투자율은 감소하였다. TiO2의 첨가에 따라 electron hopping을 일으키는 활성화에너지와 전기저항이 증가하였다. 115$0^{\circ}C$에서 소결한 TiO2를 1.5 wt% 첨가한 시편은 1 MHz, 25 mT, 8$0^{\circ}C$에서 83 mW/㎤의 전력손실을 나타내었다. 그러나 120$0^{\circ}C$에서 소결할 때는 과대입성장이 발생하여 같은 측정 조건에서 1168 mW/㎤의 전략손실을 얻었다.

• 한국자기학회지
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• 제3권4호
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• pp.298-304
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• 1993

Pd/Co 다층박막을 동시열증착장치로 제작하여, 토오크 자력계, 홀 효과 측정장치 및 X-선 회절기를 이용하여 기판 온도, Pd하지층에 따른 구조적 자기적 및 열적 특성변화를 연구하였다. 기판 온도가 증가함에 따라 $150^{\circ}C$까지는 계면구조 및 각 층의 결정성이 향상되고, (111) 집합조직이 발달되었으며 따라서 계면자기이방성 및 수직자기 이방성에너지는 증가하였다. 그러나 보자력은 감소 하였는데 이는 입자의 성장으로 인한 자구벽 고착효과 감소에 기인된 것으로 보이며 Pd하지층이 두꺼 울 수록 다층박막의 입자크기는 컸다. $200^{\circ}C$ 이상에서는 계면에서 상호확산에 의하여 다층막의 구조의 열화는 촉진되었다. 열처리 초기에 주 피이크 강도의 변화는 컸으며 그 후부터는 작은 폭으로 감소하였다. 초기의 큰 강도 변화는 구조이완등의 현상에 기인된 것으로 추측되며 그 후는 확산에 의 해서이다. 다층박막의 상호확산에 필요한 활성화 에너지는 14.9 KCal/mole.K 였다.

• 한국재료학회지
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• 제2권4호
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• pp.270-278
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• 1992

W-0.4wt% Ni, W-0.8wt% Ni 활성 소결체의 Ni rich상의 양이 응력 파단 성질에 미치는 영향을 조사하기 위하여, direct load creep tester를 사용, 100$0^{\circ}C$~120$0^{\circ}C$, 수소 분위기에서 응력 파단시험을 하였다. 100시간 응력 파단 강도는 니켈 함량이 0.4wt%, 0.8wt%로 증가 함에 따라, W-0.2wt% Ni의 경우와 비교하여 100$0^{\circ}C$에서 43%, 90%, $1100^{\circ}C에서$ 35%, 60% 높았으며, 이는 초기 결정립 조대화, 비이론밀도의 상승과 시험 중 결정립 성장 때문으로 생각된다. W-0.4wt% Ni의 크리프변형 활성화 에너지는 81.3kca1/mol으로, 변형기구는 Ni rich 상을 통한 W 확산과 결정립 내부 변형이다. 응력 파단 시험 후, 파단면은 입계 파괴 양상을 나타내었다. 소결시 생성된 고립 기공이 결정입계에 있는 Ni rich상을 따라 전파하였기 때문이다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권12호
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• pp.3011-3015
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• 2009

Structural and thermo-analytical studies were carried out to understand the phase formation kinetics of the single phase $Bi_5Ti_3FeO_{15}$ (BTFO) nanocrystals in $Bi_2O_3-Fe_2O_3-TiO_2$, during the polymerized complex (PC) synthesis method. The crystallization of Aurivillius phase $Bi_5Ti_3FeO_{15}$ layered perovskite was found to be initiated and achieved under the temperature conditions in the range of ${\sim}$800 to 1050$^{\circ}C$. The activation energy for grain growth of $Bi_5Ti_3FeO_{15}$ nanocrystals (NCs) was very low in case of NCs formed by PC (2.61 kJ/mol) than that formed by the solid state reaction (SSR) method (10.9 kJ/mol). The energy involved in the phase transformation of Aurivillius phase $Bi_5Ti_3FeO_{15}$ from $Bi_2O_3-Fe_2O_3-TiO_2$ system was ${\sim}$ 69.8 kJ/mol. The formation kinetics study of $Bi_5Ti_3FeO_{15}$ synthesized by SSR and PC methods would not only render a large impact in the nanocrystalline material development but also in achieving highly efficient visible photocatalysts.

• 한국재료학회지
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• 제17권9호
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• pp.453-457
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• 2007

Interest in use of ink-jet printing for pattern-on-demand fabrication of metal interconnects without complicated and wasteful etching process has been on rapid increase. However, ink-jet printing is a wet process and needs an additional thermal treatment such as an annealing process. Since a metal ink is a suspension containing metal nanoparticles and organic capping molecules to prevent aggregation of them, the microstructure of an ink-jet printed metal interconnect 'as dried' can be characterized as a stack of loosely packed nanoparticles. Therefore, during being treated thermally, an inkjet-printed interconnect is likely to evolve a characteristic microstructure, different from that of the conventionally vacuum-deposited metal films. Microstructure characteristics can significantly affect the corresponding electrical and mechanical properties. The characteristics of change in microstructure and electrical resistivity of inkjet-printed silver (Ag) films when annealed isothermally at a temperature between 170 and $240^{\circ}C$ were analyzed. The change in electrical resistivity was described using the first-order exponential decay kinetics. The corresponding activation energy of 0.44 eV was explained in terms of a thermally-activated mechanism, i.e., migration of point defects such as vacancy-oxygen pairs, rather than microstructure evolution such as grain growth or change in porosity.