Floating solar photovoltaic (hereinafter PV) power generation is emerging as a proper alternative to overcome various environmental limitations of existing offshore PV generation. However, more government-led policy design and technical and institutional development are still required. Based on the policy agenda setting theory and technological innovation theory, this study contains the research questions concerning the co-evolution of technology and the floating solar PV policy. This study primarily evaluates the technological and institutional development level of floating solar PV policy through a survey of domestic floating solar PV experts. Secondly, we also analyze the kind of policy agenda that should be set a priori. Analyzing the priorities to be considered, the first environmental enhancement needs to be considered from both the technical and institutional aspects. The second candidate task for the policy agenda is residents' conflict and improvement of regulations. Both candidate tasks need to be actively considered in the policy agenda from the institutional point of view. The third is publicity, profit sharing, follow-up monitoring, and cost. Among them, public relations and profit sharing are tasks that need to be considered in the policy agenda from the institutional point of view. On the other hand, the cost of follow-up monitoring should be considered as a policy agenda in terms of technology, system, and common aspects. Finally, there are technical standards. Likewise, technical standards need to be considered in the policy agenda in terms of both technical and institutional commonality.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.13
no.3
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pp.1288-1295
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2012
Korea Ministry of Knowledge Economy has estimated that wind power (WP) will be occupied 37% in 2020 and 42% in 2030 of the new energy sources, and also green energies such as photovoltaic (PV) and WP are expected to be interconnected with the distribution system because of Renewable Portfolio Standard (RPS) starting from 2012. However, when a large scale wind power plant (over 3[MW]) is connected to the traditional distribution system, protective devices (mainly OCR and OCGR of re-closer) will be occurred mal-function problems due to changed fault currents it be caused by Wye-grounded/Delta winding of interconnection transformer and %impedance of WP's turbine. Therefore, when Double-Fed Induction Generator (DFIG) of typical WP's Generator is connected into distribution system, this paper deals with analysis three-phase short, line to line short and a single line ground faults current by using the symmetrical components of fault analysis and PSCAD/EMTDC modeling.
Korea Ministry of Knowledge Economy has estimated that wind power (WP) will be occupied 37% in 2020 and 42% in 2030 of the new energy sources, and also green energies such as photovoltaic (PV) and WP are expected to be interconnected with the distribution system because of Renewable Portfolio Standard (RPS) starting from 2012. However, when a large scale wind power plant (over 3[MW]) is connected to the traditional distribution system, protective devices (mainly OCR and OCGR of re-closer) will be occurred mal-function problems due to changed fault currents it be caused by Wye-grounded/Delta winding of interconnection transformer and %impedance of WP's turbine. Therefore, when Double-Fed Induction Generator (DFIG) of typical WP's Generator is connected into distribution system, this paper deals with analysis three-phase short, line to line short and a single line ground faults current by using the symmetrical components of fault analysis and PSCAD/EMTDC modeling.
Pham, Hong Nhung;Jang, Yoon Hee;Park, Bo-In;Lee, Seung Yong;Lee, Doh-Kwon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.426.2-426.2
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2016
Numerous of researches are being conducted to improve the efficiency of $Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe)-based photovoltaic devices, which is one of the most promising candidates for low cost and environment-friendly solar cells. In this work, we concentrate on the back contact of the devices. A proper thickness of $MoSe_2$ in back contact structure is believed to enhance adhesion and ohmic contact between Mo back contact and absorber layer. Nevertheless, too thick $MoSe_2$ layers that are grown during high-temperature selenization process can impede the current collection, thus resulting in low cell performance. By applying molybdenum nitride as a barrier in back contact structure, we were able to control the thickness of $MoSe_2$ layer, which resulted in lower series resistance and higher fill factor of CZTSe devices. The phase transformation of Mo-N binary system was systematically studied by changing $N_2$ concentration during the sputtering process. With a proper phase of Mo-N fabricated by using an adequate partial pressure of $N_2$, the efficiency of CZTSe solar cells as high as 8.31% was achieved while the average efficiency was improved by about 2% with respect to that of the referent cells where no barrier layer was employed.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.6
no.6
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pp.498-505
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2001
This paper shows how to design a global control of water pumping system using PV array, and tracked maximum power point of PV array only the inverter using the vector control of BLDC motor, and finding the relationships among the DC magnitudes and AC ones in order to omit the DC/DC converter. Conventional MPPT controller was unstable of reason of the ripple-current of DC link in three-phase invertor. Thus, in this paper the control algorithm of BLDC motor using $i_qs$ current is composed to improve the insecurity of conventional MPPT controller To prove the excellence of the proposed method, the contents of this paper is analyzed by means of simulation and testing for the results applying the method that J. A Domfnguez had applied to asynchronous motor to BLDC motor and that of the proposed method in this paper.
In high-efficiency crystalline silicon solar cells, If high-efficiency solar cells are to be commercialized. It is need to develop superior contact formation method and material that can be inexpensive and simple without degradation of the solar cells ability. For reason of plated metallic contact is not only high metallic purity but also inexpensive manufacture. It is available to apply mass production. Especially, Nickel, Copper and Silver are applied widely in various electronic manufactures as easily formation is available by plating. The metallic contact system of silicon solar cell must have several properties, such as low contact resistance, easy application and good adhesion. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide(NiSi) has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivity, lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposite the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 14.68 % on $0.2{\sim}0.6{\Omega}{\cdot}cm,\;20{\times}20mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
Lee, K.O.;Jung, Y.S.;So, J.H.;Yu, B.G.;Yu, G.J.;Choi, J.Y.;Choy, I.
Proceedings of the KIEE Conference
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2006.07b
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pp.1159-1160
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2006
As the grid-connected photovoltaic power conditioning systems (PVPCS) are installed in many residential areas, this has raised potential problems of network protection on electrical power system. One of the numerous problems is an Island phenomenon. There has been an argument that because the probability of islanding is extremely low it may be a non-issue in practice. However, there are three counter-arguments: First, the low probability of islanding is based on the assumption of 100% power matching between the PVPCS and the islanded local loads. In fact, an island can be easily formed even without 100% power matching (the power mismatch could be up to 30% if only traditional protections are used, e.g. under/over voltage/frequency). The 30% power-mismatch condition will drastically increase the islanding probability. Second, even with a larger power mismatch, the time for voltage or frequency to deviate sufficient to cause a trip, plus the time required to execute the trip (particularly if conventional switchgear is required to operate), can easily be greater than the typical re-close time on the distribution circuit. And, third, the low-probability argument is based on the study of PVPCS. Especially, if the output power of PVPCS equals to power consumption of local loads, it is very difficult for the PVPCS to sustain the voltage and frequency in an island. Unintentional islanding of PVPCS may result in power-quality issues, interference to grid-protection devices, equipment damage, and even personnel safety hazards. So the verification of anti-islanding performance is strongly needed. In this paper, the authors propose the improved RPV method through considering power quality and anti-islanding capacity of grid-connected three-phase PVPCS in IEEE Std 1547 ("Standard for Interconnecting Distributed Resources to Electric Power Systems"). And the simulation and experimental results are verified.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.7
no.6
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pp.1429-1435
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2012
DC-DC converter commonly used in photovoltaic systems, fuel cell systems and electric vehicles is a boost converter. The interleaved boost converter, connected in parallel by several boost converters and operated by the phase difference to reduce the input and output current ripple, has been widely used in recent years. Because of small input and output current ripples, the circuit can reduce the size of the input and output capacitors. Thus, instead of conventional electrolytic capacitor, the film capacitor with high reliability can be used and this is the life and reliability of the entire system can be improved. In this paper, the output current ripple formulas of the multi-stage interleaved boost converter are derived, and the characteristics in accordance with duty are found out. In order to verify the abovementioned contents, the derived results will make a comparison with the calculated values by using PSIM tool.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.6
no.6
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pp.865-871
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2011
DC-DC converter commonly used in photovoltaic systems or fuel cell systems is a boost converter. Among several types of boost converter, the interleaved boost converter with small input and output current ripples is widely used in recent years. Because of small input and output current ripples, the circuit can reduce the size of the input and output capacitors. Thus, instead of conventional electrolytic capacitor, the film capacitor with high reliability can be used and this is the life and reliability of the entire system can be improved. In this paper, the input/output current ripple formulas of the multi-stage interleaved boost converter are derived, and the characteristics in accordance with duty are found out. In order to verify the above mentioned contents, the derived results will make a comparison with the calculated values by using PSIM tool.
Silicon (Si) wafer was grown by using direct growth from Si melt and contaminations of wafer during the process were investigated. In our process, BN was coated inside of all graphite parts including crucible in system to prevent carbon contamination. In addition, coated BN layer enhance the wettability, which ensures the favorable shape of grown wafer by proper flow of Si melt in casting mold. As a result, polycrystalline silicon wafer with dimension of $156{\times}156$ mm and thickness of $300{\pm}20$ um was successively obtained. There were, however, severe contaminations such as BN and SiC on surface of the as-grown wafer. While BN powders were easily removed by brushing surface, SiC could not be eliminated. As a result of BN analysis, C source for SiC was from binder contained in BN slurry. Therefore, to eliminate those C sources, additional flushing process was carried out before Si was melted. By adding 3-times flushing processes, SiC was not detected on the surface of as-grown Si wafer. Polycrystalline Si wafer directly grown from Si melt in this study can be applied for the cost-effective Si solar cells.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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