• 제목/요약/키워드: 545 nm

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Design and Control of Gain-Flattened Erbium-Doped Fiber Amplifier for WDM Applications

  • Kim, Hyang-Kyun;Park, Seo-Yeon;Lee, Dong-Ho;Park, Chang-Soo
    • ETRI Journal
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    • 제20권1호
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    • pp.28-36
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    • 1998
  • A simple experimental method to design gain-flattened erbium-doped fiber amplifier is proposed and demonstrated based on the two linear relations between the output power and the pump power, and between the gain and the length of the eribium-doped fiber at the gain flattened state. The spectral gain variation of the eribium-doped fiber amplifiber constructed by this method was less than 0.4 dB over 12 nm (1,545~1,557nm) wavelength region. The gain flatness is also controlled within 0.4 dB over the input power range of -30~-15dBm/ch through the feedback control utilizing the amplified spontaneous emission power in the 1,530 nm region.

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Low-Frequency Noise 측정을 통한 Bottom-Gated ZnO TFT의 문턱전압 불안정성 연구 (Analysis of the Threshold Voltage Instability of Bottom-Gated ZnO TFTs with Low-Frequency Noise Measurements)

  • 정광석;김영수;박정규;양승동;김유미;윤호진;한인식;이희덕;이가원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.545-549
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    • 2010
  • Low-frequency noise (1/f noise) has been measured in order to analyze the Vth instability of ZnO TFTs having two different active layer thicknesses of 40 nm and 80 nm. Under electrical stress, it was found that the TFTs with the active layer thickness of 80 nm shows smaller threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) than those with thickness of 40 nm. However the ${\Delta}V_{th}$ is completely relaxed after the removal of DC stress. In order to investigate the cause of this threshold voltage instability, we accomplished the 1/f noise measurement and found that ZnO TFTs exposed the mobility fluctuation properties, in which the noise level increases as the gate bias rises and the normalized drain current noise level($S_{ID}/{I_D}^2$) of the active layer of thickness 80 nm is smaller than that of active layer thickness of thickness 40 nm. This result means that the 80 nm thickness TFTs have a smaller density of traps. This result correlated with the physical characteristics analysis performmed using XRD, which indicated that the grain size increases when the active layer thickness is made thicker. Consequently, the number of preexisting traps in the device increases with decreasing thickness of the active layer and are related closely to the $V_{th}$ instability under electrical stress.

위성원격탐사에 의한 동중국해 재부상 부유사의 계절적 수평분포 특성 (Satellite Remote Sensing to Monitor Seasonal Horizontal Distribution of Resuspended Sediments in the East China Sea)

  • 이나경;서영상;김영섭
    • 한국지리정보학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.151-161
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    • 2003
  • 본 연구에서는 최근 해양, 대기, 육지환경을 동시에 관측할 수 있는 미국 첨단관측 위성 Terra/MODIS(moderate-resolution imaging spectroradiometer) 자료와 동중국해 북부해 역에의 현장 관측치를 이용하여 동중국해에서 탁한 해수의 수평 분포에 대한 동 하계 변동 규모를 정량화하고자 하였다. 국립수산과학원에서 2001년 6월부터 실시간 직접 수신한 MODIS 위성의 36개 채널 자료 중, 공간해상도가 250m인 채널 1(620~670nm) 및 공간해상도 500m인 채널 4(545~565nm)와 채널 3(459~479nm)을 합성한 RGB(red, green, blue) 디지털 영상자료를 이용하였다. 중국 연안측과 같이 수심이 얕은 동중국해역에서 발생되는 탁수의 수평 공간 분포 영역은 동계의 경우 강한 풍속과 수온약층의 소멸현상 등으로 수평면적이 평균 $232,000km^2$였다. 하계의 경우 비교적 약한 풍속과 강한 수온약층의 존재 등으로 수평면적이 평균 $71,000km^2$로 나타나, 동계 탁수의 수평적 분포 면적이 하계보다 약 3배 커지는 것으로 나타났다. 탁수의 수평면적 변동은 하계의 경우 10~20m 등수심선과, 동계의 경우 50m 등수심과 대략적으로 일치하는 분포를 보였다. 동계는 50m 이천까지의 수심에서 재부상한 부유물질이 표층에서 바람 또는 이류에 의해 50m 수심보다 깊은 해역의 표층으로 수평확산되어 탁수가 단지 표층에 국한되어 분포하는 것으로 추정되었다.

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다양한 활성제 이온이 도핑된 La2WO6 형광체의 제조와 발광 특성

  • 류현태;홍순기;임명환;이은경;신유희;조신호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.191.1-191.1
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    • 2015
  • 최근에 백색 발광다이오드를 개발하기 위한 고효율의 형광체 개발에 많은 연구가 집중되고 있다. 본 연구에서는 $La_2WO_6$ 모체 결정에 다양한 활성제 이온인 $Eu^{3+}$, $Dy^{3+}$, $Sm^{3+}$, $Tb^{3+}$를 각각 도핑하여 다양한 발광 파장을 갖는 고효율의 형광체를 제조하였다. 합성한 형광체 분말은 초기물질 $La_2O_3$, $WO_3$, 희토류 원소 ($Eu_2O_3$, $Dy_2O_3$, $Sm_2O_3$, $Tb_4O_7$)를 각각 화학양론적으로 준비하여 고상반응법으로 제조하였으며, 이때 하소 공정은 $400^{\circ}C$에서 3시간, 소결 공정은 $1050^{\circ}C$에서 5시간 유지하여 합성하였다. $La_2WO_6:Eu^{3+}$ 형광체 분말의 경우에 320, 395, 465 nm에서 강한 흡광 파장이 발생하였으며, 파장 320 nm로 여기 시켰을 때 최대 발광 세기는 618 nm에서 관측되었다. $Sm^{3+}$을 도핑한 형광체의 흡광 스펙트럼은 310, 375, 406, 475 nm에서 발생하였으며, 310 nm로 여기 시켰을 때 602 nm의 강한 주황색 발광 신호가 나타났다. $Dy^{3+}$가 도핑된 $La_2WO_6$ 형광체는 575 nm에 강한 발광 피크를 갖는 황색을 나타내었으며, 흡광 파장은 313 nm 이었다. $Tb^{3+}$를 도핑한 형광체의 주 흡광 스펙트럼은 316 nm에서 발생하였고, 발광 스펙트럼은 545 nm에 피크를 갖는 녹색 발광 신호가 나타났다. 활성제이온의 종류에 따른 형광체의 흡광과 발광, 결정 구조의 특성을 체계적으로 제시하고자 한다.

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화학적 방법에 의한 CdSe 나노입자의 제조 및 특성 (Preparation and characterization of CdSe nanoparticles through a chemical route)

  • 성명석;이윤복;김형국;김양도
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
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    • pp.164-167
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    • 2005
  • Diethnao lamine(DEA)을 함유한 수용액을 ultrasonic irradiation에 의하여 CdSe 반도체 양자점을 제조하였고 제조된 양자점의 광학적 성질을 조사하였다. CdSe 양자점 제조시 카드뮴을 제공하는 물질로는 $CdCl_2{\cdot}2.5H_2O$를, 셀레늄을 제공하는 물질로는 Se powders를 $Na_2SO_3$ 수용액에서 $90^{\circ}C$, 1시간 reflux 한 $Na_2SeSO_3$를 사용하였다. 상온에서 고출력의 초음파 조사 (20kHz, $60Wcm^{-2}$)에 의한 CdSe반도체 양자점을 얻기 위하여 초음파 시간을 각각 변화시켰고 XRD, UV-Vis, PL, TEM, XPS론 사용하여 CdSe 나노 입자의 특성을 분석하였다. CdSe흡수스펙트럼을 분석한 결과 450-640nm범위에서 양자점 형성에 의한 엑시톤 흡수 봉우리가 관찰되었음을 확인할 수 있었다. 또한 초음파 조사시간을 5분, 15분, 30분으로 증가시킴에 따라 505nm, 525nm, 545nm로서 엑시톤의 흡수 파장이 장파장 쪽으로 이동함을 확인함으로써 초음파 조사시간에 따라 CdSe 양자점의 크기를 변화시킬 수 있음을 알 수 있었다.

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반응제에 따른 $Y_3Al_5O_{12}$ : $Tb^{3+}$ 나노형광체의 발광 특성 (Photoluminescence Characteristics of $Y_3Al_5O_{12}$:$Tb^{3+}$ nano-Phosphors by various reagents)

  • 곽현호;김세준;차재혁;최형욱
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.440-441
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    • 2007
  • For this study, terbium-doped yttrium aluminum garnet (YAG:Tb) phosphor powders were prepared via the combustion process using the varous reagents. The characteristics of the synthesized nano powder were investigated by means of X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscope(SEM), and photoluminescence (PL). Single-phase cubic YAG:Tb crystalline powder was obtained at $1000^{\circ}C$ by directly crystallizing it from amorphous materials, as determined by XRD techniques. The SEM image showed that the resulting YAG:Tb powders had uniform sizes and good homogeneity. The photoluminescence spectra of the YAG:Tb nanoparticles were investigated to determinethe energy level of electron transition related to luminescence processes. There were three peaks in the excited spectrum, and the major one was a broad band of around 274 nm. Also, the YAG:Tb nanoparticles showed two emission peaks in the range of 450~500 nm and 525~560 nm, respectively, and had maximum intensity at 545 nm.

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Time-resolved PIV와 POD기법을 이용한 단일노즐 버블링 유동 특성에 관한 연구 (Characteristics of Bubble-driven Flow by Using Time-resolved PIV and POD Technique)

  • 이승재;김종욱;김현동;김경천
    • 한국가시화정보학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.41-46
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    • 2008
  • In this paper, the recirculation flow motion and mixing characteristics driven by air bubble stream in a rectangular water tank is studied. The time-resolved PIV technique is adopted for the quantitative visualization and analysis. 488 nm Ar-ion CW laser is used for illumination and orange fluorescent ($\lambda_{ex}=540nm,\;\lambda_{em}=560nm$) particle images are acquired by a PCO 10bit high-speed CCD camera (1280$\times$1024). To obtain clean particle images, 545 nm long pass optical filter and an image intensifier are employed and the flow rates of compressed air is 3 l/min at 0.5 MPa. The recirculation and mixing flow field is further investigated by time-resolved POD analysis technique. It is observed that the large scale recirculation resulting from the interaction between rising bubble stream and side wall is the most dominant flow structure and there are small scale vortex structures moving along with large scale recirculation flow. It is also verified that the sum of 20 modes of velocity field has about 67.4% of total turbulent energy.

연소배가스 처리기술 평가를 위한 설비구축 및 활용방안 (Establishment of Test Facility for Flue Gas Treatment Technologies and Utilization)

  • 박성열;한근희;현주수;민병무
    • 한국에너지공학회:학술대회논문집
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    • 한국에너지공학회 2003년도 춘계 학술발표회 논문집
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    • pp.545-550
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    • 2003
  • 한국에너지기술연구원에서는 국내에서 개발된 연소배가스 처리기술의 상용화를 위한 실증용 설비구축 사업이 2002년부터 2005년까지 4년 동안 정부의 지원으로 추진 중에 있다. 본 사업은 시간당 1.0톤의 석탄 연소가 가능한 순환 유동층 연소보일러 및 부대 장치를 이용하여, 10,000 Nm$^3$/hr의 연소 배가스를 공급할 수 있는 설비와 개방형 실험실을 구축함과 동시에 전문가 집단에 의한 기술지원체계를 확립하는 것이 최종 목표이다.(중략)

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Nafamostat mesilate promotes endothelium-dependent vasorelaxation via the Akt-eNOS dependent pathway

  • Choi, Sujeong;Kwon, Hyon-Jo;Song, Hee-Jung;Choi, Si Wan;Nagar, Harsha;Piao, Shuyu;Jung, Saet-byel;Jeon, Byeong Hwa;Kim, Dong Woon;Kim, Cuk-Seong
    • The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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    • 제20권5호
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    • pp.539-545
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    • 2016
  • Nafamostat mesilate (NM), a synthetic serine protease inhibitor, has anticoagulant and anti-inflammatory properties. The intracellular mediator and external anti-inflammatory external signal in the vascular wall have been reported to protect endothelial cells, in part due to nitric oxide (NO) production. This study was designed to examine whether NM exhibit endothelium dependent vascular relaxation through Akt/endothelial nitric oxide synthase (eNOS) activation and generation of NO. NM enhanced Akt/eNOS phosphorylation and NO production in a dose- and time-dependent manner in human umbilical vein endothelial cells (HUVECs) and aorta tissues obtained from rats treated with various concentrations of NM. NM concomitantly decreased arginase activity, which could increase the available arginine substrate for NO production. Moreover, we investigated whether NM increased NO bioavailability and decreased aortic relaxation response to an eNOS inhibitor in the aorta. These results suggest that NM increases NO generation via the Akt/eNOS signaling pathway, leading to endothelium-dependent vascular relaxation. Therefore, the vasorelaxing action of NM may contribute to the regulation of cardiovascular function.

고성능 루프내 필터를 위한 효율적인 SAO 하드웨어 설계 (Hardware Design of Efficient SAO for High Performance In-loop filters)

  • 박승용;류광기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2017년도 추계학술대회
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    • pp.543-545
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    • 2017
  • 본 논문에서는 고성능 루프내 필터를 위한 SAO 하드웨어 구조 설계에 대해 기술한다. SAO는 루프내 필터 내부 모듈이며, 블록 단위 영상 압축 및 양자화 등에서 발생하는 정보의 손실을 보상하는 기술이다. 하지만, HEVC의 SAO는 픽셀 단위 연산을 수행하기 때문에 높은 연산 시간을 요구한다. 따라서 본 논문에서 제안하는 SAO 하드웨어 구조는 고속연산을 위해 $4{\times}4$ 블록 연산과 2단 파이프라인 구조를 기반으로 한다. SAO 연산을 위한 정보생성 및 offset 연산구조는 병렬구조로 설계하여 연산시간을 최소화 하였다. 제안하는 하드웨어 구조는 Verilog HDL로 설계하였으며, TSMC 칩 공정 130nm 및 65nm 셀 라이브러리로 합성을 진행하였다. 130nm에서 최대 동작 주파수는 476MHz이고, 전체 게이트 수는 163k이다. 65nm에서 최대 동작 주파수는 312.5MHz이고, 전체 게이트 수는 193.6k이다.

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