• 한국결정성장학회지
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• 제13권3호
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• pp.111-116
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• 2003

FED용 적색형광체인 $(Y,Gd)_2O_2$S : Eu 분말의 합성과 부활성제로서의 $Gd^{3+}$ 의 영향과 이에 따른 미세조직의 변화및 저전압 발광특성등이 다양한 소결온도에서 조사되었다. 311 nm의 여기파장을 이용시 발광은 627nm에서 $^{5}D_0 \$\longrightarrow$ $$^7F_2$ 천이에 의해 일어남이 관찰되었고 $Gd^{3+}$ 5 mole%, $950^{\circ}C$ 소결에서 가장 높은 발광휘도를 나타냈으며 $Gd^{3+}$ 5 mole% 이상에서는 농도소광현상이 일어났다. 소결 후의 평균입자크기는 약 1 $\mu$m이었으며 $(Y,Gd)_2O_2$S : Eu의 발광효율이 $Y_2O_2$S : Eu 보다우수한 것으로 나타났다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제7권1호
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• pp.51-55
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• 2007

This paper investigates the subthreshold behavior of Fin Field Effect Transistor (FinFET). The FinFET is considered to be an alternate MOSFET structure for the deep sub-micron regime, having excellent device characteristics. As the channel length decreases, the study of subthreshold behavior of the device becomes critically important for successful design and implementation of digital circuits. An accurate analysis of subthreshold behavior of FinFET was done by simulating the device in a 3D process and device simulator, Taurus. The subthreshold behavior of FinFET, was measured using a parameter called S-factor which was obtained from the $In(I_{DS})\;-\;V_{GS}$ characteristics. The value of S-factor of devices of various fin dimensions with channel length $L_g$ in the range of 20 nm - 50 nm and with the fin width $T_{fin}$ in the range of 10 nm - 40 nm was calculated. It was observed that for devices with longer channel lengths, the value of S-factor was close to the ideal value of 60 m V/dec. The S-factor increases exponentially for channel lengths, $L_g\;<\;1.5\;T_{fin}$. Further, for a constant $L_g$, the S factor was observed to increase with $T_{fin}$. An empirical relationship between S, $L_g$ and $T_{fin}$ was developed based on the simulation results, which could be used as a rule of thumb for determining the S-factor of devices.

• 센서학회지
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• 제6권4호
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• pp.252-257
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• 1997

ITO(indium-tin-oxide)/PPV(poly(p-phenylenevihylene))/음극 전극의 단층구조와 ITO /PVK(poly(N-vinylcarbazole))/PPV/음극전극의 이층구조를 가진 유기 EL(electroluminescence) 소자를 제작하였으며, 전기-광학적 특성을 측정하였다. 실험 결과, 단층구조에서는 PPV막의 열변환 온도를 $140^{\circ}C$에서 $260^{\circ}C$로 증가할수록 최대 휘도가 $118.8\;cd/m^{2}$(20V)에서 $21.14\;cd/m^{2}$(28V)으로 감소하였고, EL 스펙트럼의 최대 피크가 500nm에서 580nm로 이동하였다. 또한, 음극전극의 일함수가 낮을수록 소자의 발광휘도와 주입 전류는 증가되었다. 이층구조에서는 PVK막의 농도가 감소함에 따라 발광휘도가 $70.71\;cd/m^{2}$(32V)에서 $152.7\;cd/m^{2}$(26V)으로 증가하였다.

• 대한금속재료학회지
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• 제46권4호
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• pp.249-256
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• 2008

0.5 wt% Al doped ZnO thin films (AZO) were prepared on glass substrates using RF magnetron sputtering method. Thin films were grown at substrate temperature of $250^{\circ}C$, RF power of 75W, working pressure of 10 mTorr, by changing the $O_2/Ar$ pressure ratio from 0% to 16.7%. The effects of oxygen partial pressure during the deposition process on structural and optical properties of the films were investigated using XRD, SEM, AFM, EPMA and UV-visible spectroscopy. All the AZO thin films were grown as hexagonal wurtzite phase with the c-axis preferred out-of-plane orientation. The surface roughness and grain size of AZO films decreased with increasing oxygen ratio from 10.6 nm to 3.2 nm and 94.9 nm to 30.9 nm, respectively. On the other hand, the transmittance and band gap energy of the AZO films increased from 84.7% to 92.6% and 3.24 eV to 3.28 eV, respectively with increasing the $O_2/Ar$ pressure ratio.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.583-590
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• 2002

In this paper, a new Silicon on Insulator (SOI)-based photodetector was proposed, and its basic operation principle was explained. Fabrication steps of the detector are compatible with those of conventional SOI CMOS technology. With the proposed structure, RGB (Read, Green, Blue) which are three primary colors of light can be realized without using any organic color filters. It was shown that the characteristics of the SOI-based detector are better than those of bulk-based detector. To see the response characteristics to the green (G) among RGB, SOI and bulk NMOSFETS were fabricated using $1.5\mu m$ CMOS technology and characterized. We obtained optimum optical response characteristics at $V_{GS}=0.35 V$ in NMOSFET with threshold voltage of 0.72 V. Drain bias should be less than about 1.5 V to avoid any problem from floating body effect, since the body of the SOI NMOSFET was floated. The SOI and the bulk NMOSFETS shown maximum drain currents at the wavelengths of incident light around 550 nm and 750 nm, respectively. Therefore the SOI detector is more suitable for the G color detector.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제52권4호
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• pp.436-442
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• 2014

염화코발트 용액을 사용하여 전자기파와 진동에 영향을 받지 않는 원거리 실시간 광섬유 온도 감지 센서를 개발하였다. 염화코발트 용액을 제조하기 위하여, 물과 에탄올은 부피 비율로 10%와 90%로 고정하고, 용해되는 염화코발트의 양을 다양하게 변화시켰다. 제조된 염화코발트 용액은 자외-가시선 분광 광도계를 사용하여, 온도 변화에 따른 655 nm 파장의 투과도를 측정하였다. 또한 제조된 30.8 mM 염화코발트 수화물 용액에 polyvinyl butyral을 용해시켜 겔화한 후, 온도 변화에 따른 655 nm 파장의 투과도 측정 및 센서 적용 후 광 파워 분석을 실시하였다. 투과도와 광 파워 측정 결과, $25^{\circ}C$에서 66.8%와 149.5 nW, $70^{\circ}C$에서는 7.1%와 48 nW로 각각 나타나, 온도가 증가함에 따라 투과도와 광 파워 모두 감소하는 경향을 보였다. 본 실험에서 제조된 겔화 염화코발트/polyvinyl butyral은 온도 변화에 따라 655 nm 파장에 대한 광 투과도와 광 파워가 변하는 점을 이용하여 온도 변화를 감지하기 위한 광섬유 센서로 사용 가능함을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권7호
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• pp.1505-1515
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• 2009

A new method to semicontinuously determine $PM_{2.5}$ ionic species with a short time resolution is described in detail. In this system, a particle collection section (mixing part, particle collection chamber, and air/liquid separator) was developed. A Y-type connector was used to mix steam and an air sample. The particle collection chamber was constructed in the form of a helix coil and was cooled by a water circulation system. Particle size growth occurred due to the high relative humidity and water absorbed particles were efficiently collected in it. Liquid samples were drained out with a short residence time (0.08-0.1 s). The air/liquid separator was also newly designed to operate efficiently when the flow rate of the air sample was 16.7 L $min^{-1}$. For better performance, the system was optimized for particle collection efficiency with various types of test aerosols such as ($NH_4)_2SO_4,\;NaCl,\;NH_4HSO_4,\;and\;NH_4NO_3$. The particle collection efficiencies were almost 100% at different concentration levels in the range over 500 nm in diameter but 50-90% in the range of 50-500 nm under the following experimental conditions: 15 coil turns, a water flow rate for steam generation of 0.65 mL $min^{-1}$, and an air sample flow rate of 16.7 L $min^{-1}$. Finally, for atmospheric applications, chemical compositions of $PM_{2.5}$ were determined with a time resolution of 20 min on January 11-24, 2006 in Seoul, Korea, and the chemical characteristics of $PM_{2.5}$ ions were investigated.

• 분석과학
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• 제25권6호
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• pp.483-491
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• 2012

본 연구는 재조합 단백질 A를 생산하기 위한 정제공정 즉, 생산공정은 양이온교환칼럼(SP)과 음이온교환칼럼(Q)을 통하여 정제한 후 최종 재조합 단백질 A를 생산하게 되는데, 공정단계별로 생산된 시료를 바로 다음단계 공정으로 가지 못하는 경우 보관을 하는데 있어 안정성 확보 문제를 가지고 있다. 이에 본 연구에서 생산공정에서 생산된 시료를 보관 했을때 적정 보관조건과 시간을 알아보고자 하는데 목적이 있다. 즉, 공정시료의 저장방법 및 저장기간 설정과 경시변화에 따른 품질의 안정성의 평가를 목적으로 한다. 실험항목은 엔도톡신, SDS PAGE, HPLC 순도 그리고 농도이다. 실험결과 양이온교환칼럼 통과 후 냉장($4^{\circ}C$), 실온보관에서 SDS PAGE는 major band, 엔도톡신은 5.0 Eu/mg이하, 농도에서는 평균 8.21~8.24 mg/mL, RSD% 0.10~0.62%, 그리고 HPLC 순도 214 nm에서 평균 99.24~99.37%, RSD% 0.22~0.29%, 280 nm에서 평균 89.72~89.80%, RSD% 0.62~1.26%로서 다소 안정된 결과를 나타내었다. 음이온칼럼통과 후 냉장($4^{\circ}C$), 실온보관에서 SDS PAGE major band, 엔도톡신 0.5 Eu/mg이하, 농도는 평균 5.59 mg/mL, RSD% 0.03~0.10% 그리고 HPLC 순도 214 nm에서 평균 99.74%, RSD% 0.10~0.11%, 280 nm에서 평균 96.16~96.85%, RSD% 0.72~1.13%의 결과를 보였다. 상기의 실험결과로 재조합 단백질 A 제조공정시료의 실온과 $4^{\circ}C$에서 7~8 일 그리고 20~21 일 보관은 물질분해 특성이 없이 안정성이 확보 되었다는 결론을 얻을 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제22권2호
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• pp.103-109
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• 2012

Red-emitting $Eu^{3+}$-activated $(Y_{0.95-x}Al_x)VO_4$ (0 < x $\leq$ 0.12) nanophosphors with the particle size of ~30 nm and the high crystallinity have been successfully synthesized by a hydrothermal reaction. In the synthetic process, deionized water as a solvent and ethylene glycol as a capping agent were used. The crystalline phase, particle morphology, and the photoluminescence properties of the excitation spectrum, emission intensity, color coordinates and decay time, of the prepared $(Y_{0.95-x}Al_x)VO_4:Eu^{3+}$ nanophosphors were compared with those of the $YVO_4:Eu^{3+}$. Under 147 nm excitation, $(Y_{0.95-x}Al_x)VO_4$ nanophosphors showed strong red luminescence due to the $^5D_0-^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$ at 619 nm. The luminescence intensity of $YVO_4:Eu^{3+}$ enhanced with partial substitution of $Al^{3+}$ for $Y^{3+}$ and the maximum emission intensity was accomplished at the $Al^{3+}$ content of 10 mol%. By the addition of $Al^{3+}$, decay time of the $(Y,Al)VO_4:Eu^{3+}$ nanophosphor was decreased in comparison with that of the $YVO_4:Eu^{3+}$ nanophosphor. Also, the substitution of $Al^{3+}$ for $Y^{3+}$ invited the improvement of color coordinates due to the increase of R/O ratio in emission intensity. For the formation of transparent layer, the red nanophosphors were fabricated to the paste with ethyl celluloses, anhydrous terpineol, ethanol and deionized water. By screen printing method, a transparent red phosphor layer was formed onto a glass substrate from the paste. The transparent red phosphor layer exhibited the red emission at 619 nm under 147 nm excitation and the transmittance of ~80% at 600 nm.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권6호
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• pp.272-279
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• 2015

$Y_2O_3:Eu^{3+}$는 우수한 적색 발광 특성을 가지고 있는 형광체로 최근 고화질 디스플레이에 대한 수요가 증가함에 따라 관련 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 RF 열플라즈마 합성법과 고상법을 이용하여 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 형광체를 합성하였으며, 합성 방법에 따른 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 형광체의 결정 구조, 미세 구조, 발광 특성의 차이를 XRD, TEM, PL 분석을 통해 비교하였다. 고상법으로 합성된 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 형광체의 입자는 약 $10{\sim}20{\mu}m$ 크기를 가지는 반면, RF 열플라즈마 합성법을 통해 합성된 적색 형광체는 반응부는 약 100 nm, 필터부는 약 30 nm의 크기를 갖는 나노 형광체로 확인되었다. 합성된 모든 분말들은 PL 측정결과 611 nm($^5D_0{\rightarrow}^7F_2$)에서 발광하는 것을 확인하였으며, 결정 크기와 입도가 증가할수록 PL intensity가 증가하였다. 또한, 추가 열처리 공정이 필요 없는 one-step 공정의 RF 열플라즈마 공정을 통해 합성된 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 나노 형광체는 고상법으로 합성된 적색 형광체와 비슷한 발광 특성을 보이는 것을 확인할 수 있었다.