• 한국가축번식학회지
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• 제23권2호
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• pp.113-118
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• 1999

본 연구는 고가의 저정자증 또는 불임증을 나타내는 소형 개에 있어서 수태율 증진과 불임해결에 적용할 목적하에 일차적으로, 돼지 정자의 농도별, 활력별로 IVF및 ICSI에 의해 수정시켰을 때 수정율과 체외발생율을 조사하였다. 1. 돼지 난자의 수정시 정자를 1.0, 2.0, 3.0, 5.0($\times$$10^{6}$$m\ell$)의 농도별로 IVF및 ICSI법으로 수정시켰을 때 수정율과 체외발생율은 각각 IVF시에 46.7%~75.0%와 10.6%~25.0%이고, ICSI시에는 60.0%~85.7%와 20.0%~64.3%였다. 2. 돼지 난자의 수정시 정자를 20, 40, 60, 80%의 활력별로 IVF 및 ICSI법으로 수정시켰을 때 수정율과 체외발생율은 각각 IVF시에 46.4%~71.4%와 7.1%~21.4%이고, ICSI시에는 67.9%~85.7%와 28.6%~60.7%였다. 3. 돼지 난자의 체외수정과 체외성숙 난자에 ICSI법에 의해 수정시켰을 때 각각 수정율과 체외발생율은 IVF시에 55.6%~60.0%와 17.8%~24.0%이고, ICSI시에는 77.8%~80.0%와 42.2%~56.0%로서 ICSI법에서 수정율이 크게 향상되었다.

• 한국산림과학회지
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• 제74권1호
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• pp.56-60
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• 1986

GD 기본(基本) 배지(培地)에 서로 다른 생장조절물질(生長調節物質)을 첨가(添加)한 4 가지 배지(培地)에 잣나무 배(胚)에서 유래(由來)한 Callus를 1년(年) 6개월간(個月間) 배양(培養)시켜 염색체수(梁色體數) 변이(雙異)를 조사(調査)하였다. 그 결과(結果) $0.1mg/{\ell}$와 NAA $0.1mg/{\ell}$에 2, 4-D $0.1mg/{\ell}$를 첨가(添加)한 배지(培地) 즉(卽) Auun 단독(單獨) 및 배합(培合) 처리(處理)한 배지(培地)에서는 2n 비율(比率)이 각각(各各) 29%와 17%로 낮게 나타났다. 그러나 Auxin 과 Cytokinin 을 종합(複合) 처리(處理)한 배지(培地) 즉(卽) 2, 4-D $0.1mg/{\ell}$와 BAP $0.1mg/{\ell}$에서는 52 %, 2, 4-D $0.1mg/{\ell}$와 Kinetin $0.1mg/{\ell}$에서는 36 %로써 비교적(比較的) 높은 빈도(頻度)로 2n 세포(細胞)가 나타났다. 2n 세포(細胞)의 빈도(頻度)는 기관분화(器官分化)와 상관(相關)이 높은 것으로 생각 할 수 있었다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2005년도 가을 학술발표논문집 Vol.32 No.2 (1)
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• pp.211-213
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• 2005

Mobile IPv4/Mobile IPv6 프로토콜은 각각 IPv4 네트워크와 IPv6네트워크에서 모바일 노드의 이동성을 지원한다. 현재 IPv4와 IPv6의 변환 메커니즘들이 제안되어 두 프로토콜간 통신이 가능하게 되었다. 하지만 모바일 환경을 위한 프로토콜인 Mobile IPv4와 Mobile IPv6 프로토콜간 변환 메커니즘이 없어 두 프로토콜 간에 효율적인 통신을 지원하지 못한다. 따라서 본 논문에서는 Mobile IPv4와 Mobile IPv6 프로토콜의 특성을 살펴보고 두 프로토콜간 Mobility 해더 변환 알고리즘을 통한 Mobile IPv4 네트워크의 모바일 노드와 IPv6 네트워크의 호스트간 통신 방안을 제안하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.244-244
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• 1999

Liquid Crystal Displays(LCDs) 투명성 전도막으로 사용하는 Indium Tin Oxide (ITO)의 고밀도 식각특성을 조사하였다. 특히 ITO식각의 경우, pixel electrode 전극에서 사용되는 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 최적의 선택비를 얻는데 중점을 두고 있다. 따라서 본 실험에서는 Inductively Coupled Plasma(ICP)를 이용하여 source power, gas combination, bias voltage, pressure 및 기판온도에 따른 ITO의 식각 특성과 이의 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 선택비를 조사하였다. Ar과 CH4를 주된 식각가스로서 사용하였으며 첨가가스로는 O2와 HBr를 사용하였다. ITO의 식각특성을 이해하기 위하여 Quadruple Mass Spectrometry(QMS), Optical emission spectroscopy(OES) 이용하였으며, 식각된 sample의 잔류물을 조사하기 위하여 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 분석하였다. Ar gas에 적정량의 CH4 혼합이 순수한 Ar 가스로 식각한 경우에 비하여 ITO와 SiO2, Si3N4의 선택비가 높았으며, 더 높은 식각 선택비를 얻기 위하여 Ar/CH 분위기에서 첨가가스 O2, HBr을 사용하였다. Source power 및 bias 증가에 따라 ITO의 식각률은 증가하나, underlayer와의 선택비는 감소함을 보였다. 본 실험에서 측정된 ITO의 high 식각률은 약 1500$\AA$/min이며, SiO2, Si3N4와의 high selectivity는 각각 7:1, 12:1로 나타났다. ITO의 etchrate 및 선택비는 source power, bias, pressure, CH 가스첨가에 의존하였지만 기판온도에는 큰 변화가 없음을 관찰하였다. 또한 적정량의 가스조합으로 식각된 시편의 잔류물을 줄일 수 있었다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2006년도 가을 학술발표논문집 Vol.33 No.2 (D)
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• pp.334-337
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• 2006

현재 전 세계는 IPv4 주소 자원의 고갈에 대비한 IPv6의 도입을 위해 국가 차원의 전략적인 노력을 기울이고 있으며, 이에 따라 IPv4망에서 IPv6망으로의 안정적인 전이를 위한 상호 운영기술이 지속적으로 개발되고 있다. 이러한 기술을 적용하기 위한 다양한 응용 프로그램의 운영을 위해서 IPv6 기반의 DNS 기술은 그 핵심적인 요소라 할 수 있다. 그러나 현재 IPv4로 이루어져 있는 환경에서 바로 IPv6 환경으로의 변경이 어렵기 때문에 IPv6 네트워크 환경으로의 전이 과정에서 발생되는 IPv4와 IPv6의 네트워크의 공존 환경에서 트래픽을 안정적으로 전달하기 위한 기술이 필요하게 되었다. 이런 IPv4와 IPv6 상호 운용 기술을 이용하여 본 논문에서는 IPv4와 IPv6가 혼재한 망에서 안정적인 IPv6 Recursive DNS을 구성하기 위하여 상호 운용 기술 중 터널링 기술을 이용한 IPv6 Recursive DNS 구성 방안을 제시하여 혼재한 IPv4 와 IPv6 DNS를 운영하기 위한 구성모델을 제안한다.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제28권4호
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• pp.417-423
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• 2015

본 연구에서는 와이어로프의 국부손상 검색을 위해 누설자속기법을 적용하였다. 와이어로프 구조물에 적용하기 위해 리프트오프의 발생을 최소화한 4채널 누설자속 센서헤드를 제작하였고, 이를 사용하여 와이어로프의 국부손상 검색실험을 수행하였다. 국부손상 검색실험을 위해 와이어로프를 준비하였고, 다양한 원주방향을 가지는 부분 단선 손상들을 발생시켰다. 제작된 자속누설 센서헤드를 이용하여 와이어로프 시편의 자속신호를 스캔하였고, 노이즈의 영향을 최소화하고 자속신호의 해상도를 향상시키고자 자속 신호를 미분하여 순간변화량을 손상 검색에 활용하였다. 객관적인 손상 판단을 위해 각 채널에서 계측된 자속신호를 GEV분포를 이용해 설정된 임계값과 비교하였다. 최종적으로 임계값을 초과한 부분의 길이방향 및 원주 방향 위치를 실제 손상과 비교함으로써 본 기법의 국부손상 검색 가능성을 살펴보았다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1995년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.414-419
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• 1995

The wire displacement of wire electric discharge machine has been measured using He-Ne laser. A measurement system consisted of He-Ne laser, A/D converter, 4 divided photodiode, amplifier, sensor process instrument, and personal computer. The processing parameters were varid with feed rate, wire tension, wire speed and voltage. The laser beam intensity transmitted on a 4 divided photodiode was varied by processing wire electric descharge machine with various process parameters. The 4 divided photodiode and amplifier were used to change the detected beam intensity into voltage. Variation of wire displacement was between 11 and 125 .mu. m. The wire tension was dominant on the variation of wire displacement among many parameters.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.35.2-35.2
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• 2011

나노와이어를 제작하는 많은 방법들 중에서 실리콘 기판을 무전해식각하여 실리콘 나노와이어를 제작하는 방법은 쉽고 간단하기 때문에 최근 많은 연구가 진행되고 있다. 무전해식각법을 이용한 실리콘 나노와이어 합성은 단결정 실리콘 나노와이어를 합성할 수 있고, p 또는 n형의 도핑 정도에 따라 원하는 전기적 특성의 기판을 선택하여 제작할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 하지만 n형으로 도핑된 기판으로 나노와이어를 제작하였을 경우 식각으로 인한 나노와이어 표면의 거칠기로 인하여, 실제로는 n형 반도체 특성을 나타내지 않는 문제점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 무전해식각법으로 합성한 n형 나노와이어의 거칠기를 조절하고 filed-effect transistor (FET) 소자를 제작하여 나노와이어의 전기적 특성변화를 확인하였다. n형 나노와이어의 거칠기를 조절하기 위하여 열처리를 통해 표면을 산화시켰고, 열처리 시간에 따른 나노와이어 FET 소자를 제작하여 I-V 특성을 관찰하였다. 이때 절연막과 나노와이어 계면 사이의 결함을 최소화 하기 위하여 나노와이어를 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 부분 삽입시켰다. 나노와이어 표면의 거칠기는 high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM)을 통하여 확인하였으며, 전기적 특성은 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage 값 등을 평가하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.30.2-30.2
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• 2009

본 연구에서는 stamping법을이용하여 절연막에 실리콘 나노와이어를 embed시킨 field-effect transistor(FET) 소자의 전기적 특성에 대하여 분석하였다. Stamping법은 나노와이어를 이용한 소자를 제작하는데 있어 쉽고 경제적인 방법으로 최근 많이 사용되고 있는데, 이 방법을 이용하여 나노와이어를 절연막에 embed 시켰다. 이때, 사용한 실리콘 나노와이어는 무전해 식각법을 통하여 합성하였다. 식각 시간을 조절하여 나노와이어의 길이가 $100{\mu}m$ 정도가 되도록 하였고, 나노와이어의 지름은 정제를 통하여 20 ~ 200nm내로 조절하였다. FET 소자의 게이트 절연막은가장 일반적으로 사용되는 SiO2 (200nm)와 고분자 절연막으로 잘 알려진 poly-4-vinylphenol(PVP)를 사용하였다. 실리콘 나노와이어의 전기적 특성을 각각 SiO2무기 절연막에서의 non-embedded상태, PVP 유기 절연막에서의 embedded 상태에서 비교분석 하였다. 전기적 특성은 I-V 측정을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage값을 평가하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.79.1-79.1
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• 2012

Si 기판을 무전해 식각하여 나노와이어 형태로 합성하는 방법은 쉽고 간단하기 때문에 이를 이용한 소자 특성 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만 이러한 방법으로 제작된 Si 나노와이어의 경우 식각에 의하여 나노와이어 표면이 매우 거칠어지기 때문에 고유의 특성을 나타내기 어려워 표면 특성을 제어 할 수 있는 연구의 필요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법을 이용하여 p와 n형 나노와이어를 각각 합성하고 그 특성을 구현하기 위하여 표면조절을 진행하였다. 특히 n형 나노와이어의 경우 표면의 OH- 이온으로 인하여 n채널 특성이 제대로 나타나지 않기 때문에 열처리를 이용하여 표면을 보다 평평한 형태로 조절하여 향상된 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 여기에 나노와이어와 절연막 사이의 계면 결함을 최소화 하기 위하여 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 나노와이어를 삽입시켜 나노와이어의 문턱전압 값을 조절하였다. 이를 바탕으로 complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) 구조의 인버터 소자를 제작하였으며 p형 나노와이어가 절연막에 삽입된 정도에 따라 인버터의 midpoint voltage 값을 조절 할 수 있었다.