• 한국세라믹학회지
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• 제52권1호
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• pp.19-22
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• 2015

The joining behavior of YSZ ceramics to the glasses used in the $9Al_2O_3-24ZrO_2-51SiO_2-16R_2O$ and $9Al_2O_3-24ZrO_2-51SiO_2-7La_2O_3-9R_2O$ (wt%) glass systems was investigated. The glass transition and softening temperatures were determined to be $430^{\circ}C$ and $760^{\circ}C$, respectively. The behavior of the contact angle was inversely proportional to an increase in the temperature. The Zr element in YSZ acted as a nucleation agent and contributed to the bonding behavior at the interface.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권12호
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• pp.1187-1191
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• 2000

정방정형 지르코니아를 상온에서 안정화시키는 이트리아와, 지르코니아의 저온 열화을 억제하고 파괴강도의 증가에 기여하는 알루미나를 YAG(5Al$_2$O$_3$.3Y$_2$O$_3$) 졸의 형태로 m-ZrO$_2$와 알루미나의 혼합 slurry에 첨가하여, m-ZrO$_2$를 yttria 안정화 지르코니아로의 in situ 변환과 동시에 알루미나의 분산도를 향상시키고자 하였다. 20wt% 알루미나-지르코니아(YSZ)의 복합체 (20ATZ)를 1450$^{\circ}$~150$0^{\circ}C$에서 상압소결하여 0.5$mu extrm{m}$ 이하의 균일한 미세구조로 얻었다. 이 복합체는 정방정형 지르코니아와 $\alpha$-알루미나 상으로만 이루어지었고, 소결밀도 >99% TD이었다. 제조된 복합체의 파괴강도는 810 MPa로, 고상법으로 $Al_2$O$_3$와 3Y-ZrO$_2$분말로부터 제조된 시편의 682 MPa 보다 약 20% 향상되었고, 파괴인성은 5.52 MPa.m$^{1}$2/로 고상법으로 제조된 시편의 5.39 MPa.m$^{1}$2/과 비슷하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권1호
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• pp.11-17
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• 2003

Ni-Mn 산화물 NTC 서미스터의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 Zr $O_2$ 첨가의 효과를 연구하였다. Zr $O_2$를 포함하는 Ni-Mn-Zr 산화물 소결체의 주요 상은 입방정 스피넬 구조를 가지는 NiO-Mn$_3$ $O_4$-Zr $O_2$의 고용체와 정방정 결정구조를 가지는 Zr $O_2$ 상이였다. Zr $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 Ni-Mn-Zr산화물의 고용체를 형성하지 못하고 생성된 Zr $O_2$의 양이 증가하였다. NiO-Mn$_3$ $O_4$-Zr $O_2$ NTC 서미스터에 있어서 절대온도 역수(l/T)에 대한 로그 비저항(log $ho$)은 직선적인 관계가 있었고, 비저항, B$_{140}$320/정수 및 활성화 에너지는 Zr $O_2$ 함량이 증가함에 따라 크게 증가하였다.

• 전기학회논문지
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• 제60권2호
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• pp.349-351
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• 2011

The formation of oxide superconducting phase fabrication of superconducting wire materials and fabrication of precise superconducting material were studied for developing superconductor application technique. The $ZrO_2$ addition reduced the particle size $BaZrO_3$ trapped in the matrix after the sintering growth. The added $ZrO_2$ was converted to fine particles of $BaZrO_3$ which is the conventional sintering temperature for YBaCuO, $Y_2Ba_1Cu_1O_5$ and CuO are formed as by products of the reaction between $ZrO_2$ and YBaCuO phase. The formation of highly $BaZrO_3$ particle appears to be responsible for the refinement of $BaZrO_3$ phase after the citric acid sintering process.

• 한국세라믹학회지
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• 제25권4호
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• pp.373-379
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• 1988

$\alpha$-Al2O3-15m/o ZrO2 powder was prepared by a sol-gel method from boehmite and zirconium acetate. The transformation temperature of boehmite to $\alpha$-Al2O3 in the system Al2O3-ZrO2 was increased due to the coupled crystallization. On the other hand, the transformation temperature from boehmite to $\alpha$-Al2O3-15m/o ZrO2 could be prepared at 110$0^{\circ}C$ for 100min. The specific surface area of the product of $\alpha$-Al2O3-15m/o ZrO2 was 13.2$m^2$/g.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.439-444
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• 2005

We investigated the structural and electrical properties of BLT films grown on Si covered with $ZrO_{2}$ buffer layer. The BLT thin film and $ZrO_{2}$ buffer layer were fabricated using a metalorganic decomposition method. The electrical properties of the MFIS structure were investigated by varying thickness of the $ZrO_{2}$ layer. AES and TEM show no interdiffusion and reaction that suppressed using the $ZrO_{2}$ film as a buffer layer The width of the memory window in the C-V curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the $ZrO_{2}$ layer. It is considered that the memory window width of MFIS is not affected by remanent polarization. Leakage current density decreased by about four orders of magnitude after using $ZrO_{2}$ buffer layer. The results show that the $ZrO_{2}$ buffer layers are prospective candidates for applications in MFIS-FET memory devices.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권8호
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• pp.635-642
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• 1993

To obtain a higher dielectric constant material, we investigated Ca substitution for Pb in PbZrO3. In this study, the four mixtures of (Pb0.68Ca0.32)ZrO3, (Pb0.65Ca0.37)ZrO3, (Pb0.63Ca0.37)ZrO3, and (Pb0.60Ca0.40)ZrO3 were prepared by coprecipitation reaction of Pb(NO3)2, ZrOCl2, and CaCl2 with (NH4)2CO3 and NH4OH in aqueous solution. The (Pb1-xCax)ZrO3 with different x mole fractions (x=0.35, 0.37) showed not only high dielectric constant, but also high Q values and low temperature coefficient of the capacitance.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권9호
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• pp.909-915
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• 2003

알루미늄 전해캐패시터에서 양극산화막은 유전체로서 중요한 역할을 하는데 높은 캐패시턴스를 얻기 위하여 알루미늄 위에 ZrO$_2$ 막을 졸-겔법으로 코팅하고 양극산화시킨 후 이들이 특성을 연구하였다. 코팅과 건조를 4～10회 반복하여 제조된 막들을 300～$600^{\circ}C$에서 열처리하였으며 ZrO$_2$/Al 막을 양극산화 시킨 후 ZrO$_2$/Al-ZrO$_{x}$ /Al$_2$O$_3$의 세층이 알루미늄 기판 위에 형성되었고, $Al_2$O$_3$ 층의 두께는 열처리 온도가 증가함에 따라 ZrO$_2$ 막의 치밀화로 인해 감소하였다. ZrO$_2$ 막은 30$0^{\circ}C$에서도 미세한 결정질 구조를 가지고 성장하였으며, 열처리와 양극산화 후 나타나는 알루미늄박의 캐패시턴스는 저온에서 열처리한 박이 큰 값을 보이는데 이는 ZrO$_2$ 막 자체의 캐패시턴스가 큰 것이 기인한다. 400V로 양극산화한 후 ZrO 막을 코팅한 알루미늄박의 캐패시턴스는 코팅하지 않은 경우 보다 약 3배 정도의 큰 값을 보여 복합산화물층을 갖는 알루미늄박은 알루미늄 전해캐패시터에의 적용가능성을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제2권3호
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• pp.172-179
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• 1992

$Al_2O_3/ZrO_2$복합분말에 상릉분말을 침가하여 상압소결법으로 $Al_2O_3/ZrO_2$복합체를 제조한 후, 밀도, 강도, 경도 및 파괴인성등의 물성을 측정하였으며 미세구조 및 파괴단면도 관찰하였다. 상용분말의 침가량이 중량비로 50%이하인 경우에는 평균 꺽임 강도가 640 MPa정도로 거의 변화가 없었으며, 50%이상 첨가된 경우에는 강도가 저하되었는데, 이는 미세조직과 관계가 있는 것으로 생각된다. 또한 파괴인성(4.3-5.3 $Mpam^{1/2}$)값은 상용분말 첨가량에 비례하여 증가하였다. 파괴단면 관찰결과 파괴원인으로는 가공에서 생기는 표면 결함, $ZrO_2$ agglomeration에 의한 crack-like void 및 $Al_2O_3/ZrO_2$ nano복합체 분말과 상용분말간의 소결성 차이에서 생기는 계면 분리등이 관찰되었는데, nano 복합 분말만을 사용한 소결체에서는 가공에 의한 표면 결함만이 파괴원으로 작용하였다. 또한, 파괴형태는 주로 transgranular fracture이었다

• 한국결정성장학회지
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• 제11권4호
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• pp.170-175
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• 2001

It was possible to grow the $Al_{2}O_{3}$ based $Y_{3}A_{5}O_{12}(YAG),ZrO_{2}$ binary and ternary eutectic fibers using micro-pulling down method with a growing rate of 0.1~15 mm/min. While $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ showed cellular-lamellar structure, $Al_{2}O_{3}$/YAG and $Al_{2}O_{3}$/YAG/$ZrO_{2}$ternary eutectic fibers showed homogeneous Chinese script lamellar structures. The microstructures of $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ binary eutectic fibers changed with solidification rate from lamellar pattern to cellular structure. The interlamellar spacing agreed with the inverse-square-root dependance on pulling rate according to $\lambda$=$kv_p\;{-1/2}$. $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ binary eutectic fibers recorded the highest tensile strength of about 1560MPa at room temperature. $Al_2O_3/YAG/ZrO_2$ternary eutectic fiber showed excellent thermal stability to $1200^{\circ}C$ without significant decrease. The maximum strength of ternary eutectic fibers recorded were 1100MPa at $25^{\circ}C$ and 970MPa at $1200^{\circ}C$, respectively.