• 제목/요약/키워드: 3D interconnection

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펄스-역펄스 전착법을 이용한 SiP용 via의 구리 충진에 관한 연구 (Electroplating of Copper Using Pulse-Reverse Electroplating Method for SiP Via Filling)

  • 배진수;장근호;이재호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.129-134
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    • 2005
  • SiP의 3D패키지에 있어서 구리도금은 매우 중요한 역할을 한다 이러한 구리 도금의 조건을 알아보기 위하여 조건이 다른 전해질에서 전기화학적 I-V특성을 분석하였다. 첨가제로 억제제와 촉진제의 특성을 분석하였다. 3D 패키지에 있어서 직경 50, 75, $100{\mu}m$의 via를 사용하였다. Via의 높이는 $100{\mu}m$로 동일하였다. Via의 내부는 확산방지층으로 Ta을 전도성 씨앗층으로 Cu를 magnetron 스퍼터링 방법으로 도포하였다. 직류, 펄스, 펄스-역펄스 등 전류의 파형을 변화시키면서 구리 도금을 하였다. 직류만 사용하였을 경우에는 결함 없이 via가 채워지지 않았으며 펄스도금을 한 경우 구리 충진이 개선을 되었으나 결함이 발생하였다. 펄스-역펄스를 사용한 경우 결함 없는 구리 충진층을 얻을 수 있었다.

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NCP 적용 COB 플립칩 패키지의 신뢰성 연구 (Study on the Reliability of COB Flip Chip Package using NCP)

  • 이소정;유세훈;이창우;이지환;김준기
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.25-29
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    • 2009
  • COB(chip-on-board) 플립칩 패키지에 있어서 NCP(non-conductive paste)의 적용성을 확보하기 위해 자체 포뮬레이션한 NCP와 상용 NCP에 대하여 보드레벨 플립칩 패키지를 제작하고 고온고습 및 열충격 신뢰성을 평가하였다. 실험결과 보다 작은 입도의 용융 실리카를 첨가한 NCP 시제품들이 고온고습 신뢰성에 유리한 것을 알 수 있었다. 또한, NCP 접속부에 있어서 열응력에 의한 피로보다 흡습에 의한 에폭시의 팽창이 접속부 파손에 보다큰 영향을 미치는 것으로 나타났으며, NCP의 접착강도가 높을수록 NCP 플립칩 패키지의 열충격 신뢰성이 향상되는 것을 알 수 있었다.

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Radio Frequency 회로 모듈 BGA 패키지 (Electrical Characterization of BGA interconnection for RF packaging)

  • 김동영;우상현;최순신;지용
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.96-99
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    • 2000
  • We presents a BGA(Ball Grid Array) package for RF circuit modules and extracted its electrical parameters. We constructed a BGA package of ITS(Intelligent Transportation System) RF module and examined electrical parameters with a HP5475A TDR(Time Domain Reflectometry) equipment and compared its electrical parasitic parameters with PCB RF circuits. With a BGA substrate of 3 $\times$ 3 input and output terminals, we have found that self capacitance of BGA solder ball is 68.6fF, self inductance 146pH, mutual capacitance 10.9fF and mutual inductance 16.9pH. S parameter measurement with a HP4396B Network Analyzer showed the resonance frequency of 1.55㎓ and the loss of 0.26dB. Thus, we may improve electrical performance when we use BGA package structures in the design of RF circuit modules.

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시간 영역 유한 차분법을 이용한 고속 패키지 접속 선로의 누화 해석 (An analysis of crosstalk in hihg-speed packaging interconnects using the finite difference time domain method)

  • 남상식;장상건;진연강
    • 한국통신학회논문지
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    • 제22권9호
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    • pp.1975-1984
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    • 1997
  • 본 논문에서는 3 차원 시간 영역 유한 차분법 (FDTD)을 이용하여 고속 패키지 접속 선로 구조들 중에서 인접 선로와 교차된 선로 구조에 대한 주파수 특성과 누화를 해석하였다. 고속 디지털 신호 전송에서의 실질적인 누화해석을 위하여 입력 여기 신호로서 시간 영역 유한 차분법에서 주로 사용되는 가우스 펄스 대신 빠른 상승 시간을 갖는 계단 펄스를 사용하였다. 해석 결과와 각 접속 선로 구조를 비유전율이 2.33이고, 높이가 0.787[mm]인 Duroid 기판에 제작, 시간 영역 반사측정기(TDR : time domain reflectometry)로 측정한 결과가 잘 일치함을 보였다.

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GPS/DCS/WLAN 시스템에 적용 가능한 삼중대역 안테나 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Triple Band Antenna Applicable to GPS/DCS/WLAN System)

  • 김민재;박상욱;윤중한
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제14권3호
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    • pp.475-482
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    • 2019
  • 본 논문에서는 GPS/DCS/WLAN에 시스템에 활용 가능하도록 삼중대역 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 두 개의 스트립 선로와 접지면에 세 개의 슬릿을 삽입하여 요구하는 주파수 대역과 반사손실 특성을 얻었다. 제안된 안테나는 $31mm(W1){\times}50mm(L1)$의 크기와 두께(h) 1.6 mm, 그리고 비유전율이 4.4인 FR-4 기판 위에 $22mm(W7+W12+W8){\times}43mm(L4+L3)$의 크기로 설계되었다. 제작 및 측정결과로부터, -10dB 기준으로 340 MHz (1.465~1.805 GHz), 480 MHz (2.155~2.635 GHz), 1950 MHz (4.975~6.925 GHz)의 대역폭을 얻었다. 또한 요구되는 주파수 삼중대역에서 이득과 방사패턴 특성을 측정하여 나타내었다.

DGS를 적용한 4중대역 안테나의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Quadruple Band Antenna with DGS)

  • 김민재;최태일;최영규;윤중한
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제15권1호
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    • pp.31-38
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    • 2020
  • 본 논문에서는 GPS/WiMAX/WLAN에 적용가능한 사중대역 안테나를 제안하였다. 4개의 마이크로스트립 선로를 가지며 접지면에 DGS 구조를 삽입하여 사중대역의 특성을 얻었다. 기판의 크기는 20 mm (W1)⨯27 mm (L1)이며 1.0 mm(h)의 기판의 두께와 비유전율 4.4인 FR-4 기판위에 안테나를 설계 하였다. 안테나의 크기는 20 mm(W1)⨯27 mm(L1)이며 DGS 구조의 크기는 16.3 mm (W2)⨯23.6 mm(L8+L6+L10)이다. 제작된 안테나의 측정결과로부터 -10dB 기준으로 GPS 대역에서 60MHz (1.525~1.585 GHz)의 대역폭을 얻었고 WiMAX 대역에서는 825MHz (3.31~4.135 GHz), WLAN 대역에서는 480MHz (2.395~2.875 GHz), 그리고 385 MHz (5.10~5.485 GHz)의 대역폭을 얻었다.

10 GHz 단일 위상 분주 방식 주파수 분배기 설계 (10 GHz TSPC(True Single Phase Clocking) Divider Design)

  • 김지훈;최우열;권영우
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권8호
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    • pp.732-738
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    • 2006
  • 10 GHz까지 동작하는 주파수 1/2 분배기와 주파수 1/4 분배기를 설계하였다. 회로에 사용된 설계 방법은 단일 위상 분주 방식이다. 단일 위상 분주 방식 분배기는 단 하나의 클럭 신호만을 필요로 하고 회로를 구성하는 소자도 크기가 작은 능동 소자로 이루어져 구조가 매우 간단한 장점이 있다. 측정을 통하여 바이어스 전압이 높아질수록 free running 주파수와 동작 주파수 영역이 높아짐을 확인할 수 있었다. 주파수 1/2 분배기와 주파수 1/4 분배기 회로에 바이어스 전압 $3.0{\sim}4.0V$, 입력 파워 16 dBm, 오프셋 전압 $1.5{\sim}2.0V$, 10 GHz 입력 신호를 가했을 때 입력 주파수의 1/2, 1/4에 해당하는 5 GHz, 2.5 GHz의 출력 신호를 각각 얻을 수 있었다. 주파수 1/2 분배기의 레 이 아웃 크기는 $500{\times}500 um^2$이고 측정용 패드와 연결 부분을 제외한 순수한 레이아웃 크기는 $50{\times}40 um^2$이다.

WLP and New System Packaging Technologies

  • WAKABAYASHI Takeshi
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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    • pp.53-58
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    • 2003
  • The Wafer Level Packaging is one of the most important technologies in the semiconductor industry today. Its primary advantages are its small form factor and low cost potential for manufacturing including test procedure. The CASIO's WLP samples, application example and the structure are shown in Fig.1, 2&3. There are dielectric layer , under bump metal, re-distribution layer, copper post , encapsulation material and terminal solder .The key technologies are 'Electroplating thick copper process' and 'Unique wafer encapsulation process'. These are very effective in getting electrical and mechanical advantages of package. (Fig. 4). CASIO and CMK are developing a new System Packaging technology called the Embedded Wafer Level Package (EWLP) together. The active components (semiconductor chip) in the WLP structure are embedded into the Printed Wiring Board during their manufacturing process. This new technical approach has many advantages that can respond to requirements for future mobile products. The unique feature of this EWLP technology is that it doesn't contain any solder interconnection inside. In addition to improved electrical performance, EWLP can enable the improvement of module reliability. (Fig.5) The CASIO's WLP Technology will become the effective solution of 'KGD problem in System Packaging'. (Fig. 6) The EWLP sample shown in Fig.7 including three chips in the WLP form has almost same structure wi_th SoC's. Also, this module technology are suitable for RF and Analog system applications. (Fig. 8)

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멀티 플립칩 본딩용 비전도성 접착제(NCP)의 열전도도에 미치는 미세 알루미나 필러의 첨가 영향 (Effect of Fine Alumina Filler Addition on the Thermal Conductivity of Non-conductive Paste (NCP) for Multi Flip Chip Bonding)

  • 정다훈;임다은;이소정;고용호;김준기
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제24권2호
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    • pp.11-15
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    • 2017
  • 실리콘 칩을 적층하는 3D 멀티 플립칩 패키지의 경우 방열문제가 대두됨에 따라 접착 접합부의 열전도도 향상이 요구되고 있다. 본 연구에서는 플립칩 본딩용 비전도성 접착제(NCP)에 있어서 알루미나 필러의 첨가가 NCP의 물성 및 열전도도에 미치는 영향을 조사하였다. 알루미나 필러는 미세피치 플립칩 접속을 위해 평균입도 400 nm의 미세분말을 사용하였다. 알루미나 필러 함량이 0~60 wt%까지 증가함에 따라 60 wt% 첨가 시 0.654 W/mK에 도달하였다. 이는 동일 첨가량 실리카의 0.501 W/mK보다는 높은 열전도도이지만, 동일 함량의 조대한 알루미나 분말을 첨가한 경우에 비해서는 낮은 열전도도로, 미세 플립칩 본딩을 위해 입도가 미세한 분말을 첨가하는 것은 열전도도에 있어서는 불리한 효과로 작용함을 알 수 있었다. NCP의 점도는 40 wt% 이상에서 급격히 증가하는 현상을 나타내었는데, 이는 미세 입도에 따른 필러 간 상호작용의 증가에 기인하는 것으로, 미세피치 플립칩 본딩을 위해 열전도도가 우수한 미세 알루미나 분말을 사용하기 위해서는 낮은 점도를 유지하면서 필러 첨가량을 증가시킬 수 있는 분산방안이 필요한 것으로 판단되었다.

항공기 장착 유도탄의 KW급 전력변환장치 설계와 정류방식에 따른 연구 (A Study on the Design and Rectification Method of a KW class Power Converter Unit for an Aircraft Mounted Guided Missile)

  • 김형재;정재원;이동현;김길훈;문미연
    • 한국항행학회논문지
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    • 제26권2호
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    • pp.99-104
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    • 2022
  • 최근 국내에서도 항공기 플랫폼을 기반으로 한 무기체계 수요는 점진적으로 증가 추세이다. 특히 지상 요격 용도로 항공기에 장착되어 발사 후 수백 킬로미터를 순항한 뒤 표적에 침투하는 유도탄의 수요가 높지만 개발 초기단계이며 그에 따른 연구와 자료 역시 제한적이다. 본 논문은 항공기 플랫폼에 장착 할 공대지 유도탄의 전력변환장치(PCU)에 대한 연구이며 항공기와 유도탄 간 인터페이스인 MIL-STD-1760 기반, 배꼽 연결기의 특성과 구조 그리고 항공기와 전기적 연동 체계에 대해 확인한다. 또한 주요 기능인 유도탄 구성품에 전원을 공급해주는 전력변환장치 설계 사양을 언급하였고, 항공기 장착 상태에서 유도탄 전원 입력 조건이 되는 3상 교류 입력을 모의하여 PFC를 이용한 정류 방식과 브릿지 정류회로를 이용한 정류 방식 결과를 비교 하였다. 이는 추후 개발 될 항공기 장착 무기 체계의 전력변환장치 설계 기초 자료로 사용 될 수 있을 것이다.