• Journal of Biosystems Engineering
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• 제43권3호
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• pp.202-210
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• 2018

Purpose: Due to the growing demand for vegetables all year round, the use of vegetable transplanters has become widespread in agricultural production. However, the type of planting device used for the transplanter affects its overall efficiency. Problems such as inaccurate planting angles and inefficiently wide transplanting hole diameters of the planting device has limited the efficient use of some vegetable transplanters. Our goal in this study was to improve the efficiency of the transplanter by analyzing and modifying the linkages of the planting device of a vegetable transplanter. Methods: Because of its widespread usage in Korea, a linkage-type planting device was used for the experiment, which was divided into three parts. In the first part, the physical trajectory of the tranplanter was extracted using a CCD (charge-coupled device) camera and analyzed. In the second part, a simulated trajectory was developed using Recurdyn 3D software. The simulated and actual trajectories were then compared and analyzed. In the third part, based on the results of the comparison, improvements were made on the linkages of the transplanter and a demonstrative exercise was conducted. Finally, in experiment B, the performance was evaluated through an exercise using both the existing and improved planting devices. Results: The results demonstrated that the average planting angle was improved by 4.96 mm, the soil intrusion diameter was improved by 11.30 mm, and the planting depth was improved by 0.68 mm. Conclusion: It was concluded that the efficiency of a vegetable transplanter can be improved by modifying the linkages through simulations and field demonstrations.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제44권5호
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• pp.35-44
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• 2007

넓은 시야각을 갖는 전방향(omnidirectional) 카메라 시스템은 적은 수의 영상으로도 주변 장면에 대해 많은 정보를 취득할 수 있는 장점으로 카메라 교정(calibration), 공간의 3차원 재구성(reconstruction) 등에 널리 응용되고 있다. 실 세계에 존재하는 직선 성분들은 전방향 카메라 모델에 의해 컨투어로 사영(projection)되기 때문에, 영상간에 대응되는 컨투어 성분은 카메라의 회전 및 이동 등의 추정에 효과적으로 활용될 수 있다. 본 논문에서는 전방향 카메라의 변환 파라미터를 추정하기 위한 2단계 최소화 알고리즘이 제안된다. 제안된 알고리즘은 컨투어를 이루는 대응점에 대한 에피폴라(epipolar) 평면과 3차원 벡터간의 각도 오차함수 및 사영된 컨투어의 거리 오차를 단계별로 최소화하는 카메라 파라미터를 계산한다. 등거리(equidistance) 사영된 합성영상과 어안렌즈(fisheye lens)로 취득한 실제 영상을 대상으로 제안된 알고리즘이 카메라의 위치 정보를 정확하게 추정함을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.323-333
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• 2007

본 논문에서는 구형 빔 패턴을 효율적으로 형성하기 위한 새로운 MDAS-DR 안테나 구조를 제안하였다. 안테나 구조는 크게 스택 마이크로스트립 패치 여기 소자, 다층 원형 도체 배열 소자들과 그 주위를 에워싸고 있는 유전체 링으로 구성된다. 다층 원형 도체 배열 구조는 스택 마이크로스트립 패치 여기 소자에 의해 방사 전력을 공급 받아 그 주변의 유전체 링과의 전기적 상호 결합 작용에 의해 원거리에서 구형 빔 방사 패턴을 형성할 수 있다. 유전체 링 구조의 설계 변수는 다층 원형 도체 배열 구조의 설계 변수와 더불어 구형 빔 패턴 형성에 중요한 설계 변수들로서 구형 빔 안테나를 위해 12개의 다층 원형 도체 배열과 유전율이 2.05인 테프론 유전체가 사용되었다. 제안된 안테나 구조의 유효성을 검증하기 위하여 10 GHz 대역$(9.6\sim10.4\;GHz)$에서 동작하는 안테 나를 설계하였으며, 시뮬레이션에는 삼차원 안테나 구조 해석에 적합한 상용 CST Microwave $Studio^{TM}$ 시뮬레이터가 사용되었다. 또한, 안테나 시제품을 제작한 후 무반사실 안테나 챔버에서 전기적 특성들을 측정하였다. 구형 빔 패턴 형성을 갖는 안테나 시제품의 측정 결과들은 시뮬레이션 결과들과 잘 일치하였으며, 측정 결과들로부터 MDAS-DR 안테나의 10 GHz에서의 측정 이득은 11.18 dBi이었으며, 최소한 8.0 % 대역 폭 내에서 약 $40^{\circ}$의 양호한 구형 빔 패턴을 형성함을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.296-296
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• 2014

We investigate experimentally and theoretically the splitting of surface plasmon (SP) resonance peaks under TE- and TM-polarized illumination. The SP structure at infrared wavelength is fabricated with a 2-dimensional square periodic array of circular holes penetrating through Au (gold) film. In brief, the processing steps to fabricate the SP structure are as follows. (i) A standard optical lithography was performed to produce to a periodic array of photoresist (PR) circular cylinders. (ii) After the PR pattern, e-beam evaporation was used to deposit a 50-nm thick layer of Au. (iii) A lift-off processing with acetone to remove the PR layer, leading to final structure (pitch, $p=2.2{\mu}m$; aperture size, $d=1.1{\mu}m$) as shown in Fig. 1(a). The transmission is measured using a Nicolet Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR) at the incident angle from $0^{\circ}$ to $36^{\circ}$ with a step of $4^{\circ}$ both in TE and TM polarization. Measured first and second order SP resonances at interface between Au and GaAs exhibit the splitting into two branches under TM-polarized light as shown in Fig. 1(b). However, as the incidence angle under TE polarization is increased, the $1^{st}$ order SP resonance peak blue-shifts slightly while the splitting of $2^{nd}$ order SP resonance peak tends to be larger (not shown here). For the purpose of understanding our experimental results qualitatively, SP resonance peak wavelengths can be calculated from momentum matching condition (black circle depicted in Fig. 2(b)), $k_{sp}=k_{\parallel}{\pm}iG_x{\pm}jG_y$, where $k_{sp}$ is the SP wavevector, $k_{\parallel}$ is the in-plane component of incident light wavevector, i and j are SP coupling order, and G is the grating momentum wavevector. Moreover, for better understanding we performed 3D full field electromagnetic simulations of SP structure using a finite integration technique (CST Microwave Studio). Fig. 1(b) shows an excellent agreement between the experimental, calculated and CST-simulated splitting of SP resonance peaks with various incidence angles under TM-polarized illumination (TE results are not shown here). The simulated z-component electric field (Ez) distribution at incident angle, $4^{\circ}$ and $16^{\circ}$ under TM polarization and at the corresponding SP resonance wavelength is shown in Fig. 1(c). The analysis and comparison of theoretical results with experiment indicates a good agreement of the splitting behavior of the surface plasmon resonance modes at oblique incidence both in TE and TM polarization.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.133-133
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• 2008

Recently, as the down-scailing of field-effect transistor devices continues, Schottky-barrier field-effect transistors (SB-FETs) have attracted much attention as an alternative to conventional MOSFETs. SB-FETs have advantages over conventional devices, such as low parasitic source/drain resistance due to their metallic characteristics, low temperature processing for source/drain formation and physical scalability to the sub-10nm regime. The good scalability of SB-FETs is due to their metallic characteristics of source/drain, which leads to the low resistance and the atomically abrupt junctions at metal (silicide)-silicon interface. Nevertheless, some reports show that SB-FETs suffer from short channel effect (SCE) that would cause severe problems in the sub 20nm regime.[Ouyang et al. IEEE Trans. Electron Devices 53, 8, 1732 (2007)] Because source/drain barriers induce a depletion region, it is possible that the barriers are overlapped in short channel SB-FETs. In order to analyze the SCE of SB-FETs, we carried out systematic studies on the Schottky barrier overlapping in short channel SB-FETs using a SILVACO ATLAS numerical simulator. We have investigated the variation of surface channel band profiles depending on the doping, barrier height and the effective channel length using 2D simulation. Because the source/drain depletion regions start to be overlapped each other in the condition of the $L_{ch}$~80nm with $N_D{\sim}1\times10^{18}cm^{-3}$ and $\phi_{Bn}$ $\approx$ 0.6eV, the band profile varies as the decrease of effective channel length $L_{ch}$. With the $L_{ch}$~80nm as a starting point, the built-in potential of source/drain schottky contacts gradually decreases as the decrease of $L_{ch}$, then the conduction and valence band edges are consequently flattened at $L_{ch}$~5nm. These results may allow us to understand the performance related interdependent parameters in nanoscale SB-FETs such as channel length, the barrier height and channel doping.

• Geomechanics and Engineering
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• 제23권2호
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• pp.93-102
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• 2020

The excavation broken zones (EBZ) of gateways is a significant factor in determining the stability of man-made opening. The EBZ of 55 gateways with variety geological conditions were measured using Ground Penetrating Radar (GPR). The results found that the greatly depth of EBZ, the smallest is 1.5 m and the deepest is 3.5 m. Experimental investigations were carried out in the laboratory and in the coal mine fields for applying the combined arch support theory to large EBZ. The studies found that resin bolts with high tensile strength and good bond force could provide high pretension force with bolt extensible anchorage method in the field. Furthermore, the recently invented torque amplifier could greatly improve the bolt pretension force in poor lithology. The FLAC3D numerical simulation found that the main diffusion sphere of pretension force was only in the free segment zone of the surrounding rock. Further analysis found that the initial load-bearing zone thickness of the combined arch structure in large EBZ could be expressed by the free segment length of bolt. The using of high mechanical property bolts and steel with high pretension force will clearly putting forward the bolt length selection rule based on the combined arch support theory.

• 정보통신설비학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.52-62
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• 2003

본 논문에서는 그라운드 판에 주기적으로 에칭된 원으로 구성된 Photonic Bandgap(PBG) 여파기가 광대역 하모닉 성분을 제거할 수 있음을 보인다. FDTD법과 제작, 실험을 통해 얻은 결과를 이용하여 PBG 구조의 특성을 분석해 보았고, FDTD법은 다양한 3차원 구조를 시뮬레이션을 할 수 있고 광대역의 주파수 응답을 볼 수 있다. 분석 결과는 에칭된 원들을 2차원으로 배열한 경우와 일렬로 배열한 경우 모두 똑같은 결과가 나오는 것을 나타냈다. 그리고 에칭된 원과 원 사이의 공진기의 특성을 필드패턴을 통해서 알아 보았고, 에칭된 원들의 수 n, 에칭된 원의 반지름 r과 주기 a의 변화에 따른 주파수의 특성을 보았다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.2473-2478
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• 2009

최근 디지털 아트는 이미지, 사운드, 시뮬레이션, 3차원 홀로그래피 등의 다양한 디지털 미디어를 활용하여 새로운 분야의 예술로 시도되고 있다. 이런 수많은 디지털 아트는 전시관이라는 제한된 장소와 제한된 기간에만 관객들과 접하고 있는 상황이다. 하지만 디지털 아트는 디지털 형태의 미디어를 이용할 수 있는 공간이면 실내외 어디든 활용 가능성이 있다. 디지털 아트를 활용하기 위하여 먼저 디지털 아트의 특징을 분석하였다. 디지털 아트의 상호작용성은 관객의 참여를 유발시킬 뿐 아니라 인간과 예술과의 의사소통을 가능하게 하며, 인간과 공간을 연결하는 연결고리 역할을 한다. 인간과 공간의 상호작용과 디지털 아트의 상호작용성에 중점을 두고 인간과 공간, 공간과 디지털 아트, 디지털 아트와 인간의 관계성을 연구하였다. 본 논문에서는 디지털 아트를 활용하여 실내공간디자인에 하기 위하여 필요한 상호작용성에 대해 분석하고, 인터렉티브 기반의 실내디자인에 관한 표현을 연구했다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.208-215
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• 2020

본 연구에서는 LVDC 배전용 출력 380V DC-DC 컨버터를 3가지 유형으로 설계하였고, 시뮬레이션을 통해 3가지 유형의 DC-DC 컨버터의 전압과 전류 특성을 비교 분석하였다. 전력용 MOSFET와 2개의 전류억제용 IGBT를 병렬구조로 적용하여 컨버터를 구성한 경우, 출력 전압이 DC 380V로 안정화 된 시간이 9ms로 비교적 짧았으며, 출력 측 전류 변화 폭도 44.8~50.2A로 IGBT를 적용하지 않았을 경우(68~83A) 보다 훨씬 변화 폭도 작고 전류억제 효과도 더 뛰어남을 알 수 있었다. 이러한 결과는 제안한 LVDC 배전용 DC-DC 컨버터가 스마트 그리드 구축에 적용 가능성이 있음을 시사한다.

• 환경영향평가
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• 제21권1호
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• pp.25-39
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• 2012

This study was aimed to assess the effects of additional installation of two different types of weirs, one is a curtain-type weir and another is a submerged-type weir, on the control of algal growth in Daechung Reservoir. A two-dimensional(2D) coupled hydrodynamic and eutrophication model that can accommodate vertical movement of the curtain weir following the water surface variations was verified using field data obtained in two distinctive hydrological years; dry(2008) and wet(2010). The model adequately simulated the temporal and spatial variations of water temperature, nutrients and algal(Chl-a) concentrations during the periods. The effectiveness of curtain weir on the control of algal bloom was evaluated by applying the model to 2001(dry year) and 2010 assuming 6 different scenarios according to installation locations. The curtain weirs that already installed at 3, 5, 7 sites(scenario C-2) showed significant effect on the control of algal growth in the reservoir; the reduction rates of algal concentration were placed in the range of 7.5~31.5% and 9.1~44.9% for 2001 and 2010, respectively. However the simulation results revealed that additional installation of curtain weirs(scenario C-3~C-6) in the bay area (choosori) have marginal effect. The effectiveness of submerged weir was evaluated against 2010 assuming 7 different scenarios according to installation locations, but all scenarios(S-1~S-7) showed neglectable or negative effect on the control of algal growth.