• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제10권4호
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• pp.408-415
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• 2019

Electroplating is a widely used surface treatment method in the manufacturing process of electronic parts and uniformity of the electrodeposition thickness is very crucial for these applications. Since many variables including fluid flow influence the uniformity of the film, it is difficult to conduct efficient research only by experiments. So many studies using simulation have been carried out. However, the most popular simulation technique, which calculates secondary current distribution, has a limitation on the considering the effects of fluid flow on the deposition behavior. And modified method, which is calculating a tertiary current distribution, is limited to a two-dimensional study of simple shapes because of the massive computational load. In the present study, we propose a new electroplating simulation method that can be applied to complex shapes considering the effect of flow. This new model calculates the electroplating process with three steps. First, the thickness of boundary layers on the surface of the cathode plane and velocity magnitudes at the positions are calculated from the simulation of fluid flow. Next, polarization curves of different velocities are obtained by calculations or experiments. Finally, both results are incorporated into the electroplating simulation program as boundary conditions at the cathode plane. The results of the model showed good agreements with the experimental results, and the effects of fluid flow of electrolytes on the uniformity of deposition thickness was quantitatively predicted.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.710-713
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• 2005

현재 조선, 자동차, 전자 산업에서 도금기술을 응용한 제품들이 개발되어 현장에서 적용되고 있다. 그리고 응용분야의 확대로 인하여 피도금물의 형상이 복잡해지고 있으며, 이에 따라 제조공정상에서 도금에서 발생되는 불량률이 증대되고 있다. 본 연구에서는 도금공저에 대하여 3차원 컴퓨터 시뮬레이션을 수행하여 얻은 결과와 실험 도금조에서 실험한 결과를 비교분석함으로서, 도금에 미치는 기하학적 주요 인자를 추출하였다. 이러한 인자들을 바탕으로 피도금물에 도금되는 양이 3차원적으로 균일하게 되도록 설계 최적화에 관한 연구를 수행하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제1권3호
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• pp.182-188
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• 2001

A solenoid-type MEMS inductor with a quality factor over 10 at 2 GHz has been developed using an electroplating technique. The integrated spiral inductor has a low Q factor due to substrate loss and skin effects. It also occupies a large area compared to the solenoid-type inductor. The direction of flux of the solenoid-type inductor is parallel to the substrate, which can lower the substrate loss and other interference with integrated passive components. To estimate the characteristics of the proposed inductor over a high frequency range, the 3D FEM (Finite Element Method) simulation is used by using the HFSS at the Ansoft corporation. The electroplated solenoid-type inductor is fabricated on a glass substrate step by step by using photolithography and copper electroplating. The fabrication process to improve the quality factor of the inductor is also developed. The achieved inductance varies within a range from 0.5 nH to 2.8 nH, and the maximum Q factor is over 10.

• 한국광학회지
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• 제15권4호
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• pp.375-384
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• 2004

Ti:LiNbO$_3$ 세 도파로형 광도파로와 CPW 진행파 전극으로 구성된 고속 외부 광변조기를 설계, 제작하였다. 결합모드 이론을 이용하여 세 도파로 광결합기의 스위칭 현상을 해석하였으며, 유한차분법을 이용하여 결합길이를 계산하였다. SOR에 의해 위상속도 및 특성 임피던스 정합 조건이 만족되도록 CPW 진행파 전극의 파라미터를 설계하였다. 제작된 소자의 dc 스위칭 및 전극의 RF 특성을 측정하였다. 제작된 세 도파로 광변조기의 삽입손실과 스위칭 전압은 약 4 dB와 15.6 V였다. RF 특성을 얻기 위하여 회로분석기(Network Analyzer)를 이용하여 진행파 전극의 S 파라미터를 측정하였다. 측정 결과 진행파 전극의 특성임피던스 Z$_{c}$=39.2$\Omega$, M/W(Microwave) 유효굴절률 N$_{eff}$=2.48, 그리고 감쇠상수 a$_{m}$ =0.0665/(equation omitted)등의 파라미터를 추출하였다. 추출된 진행파 전극 파라미터를 이용하여 이론적인 주파수 응답 R($\omega$)을 계산하였으며, 광 검출기로 측정된 주파수 응답 R($\omega$)과 비교하였다. 주파수 응답측정 결과, 3 dB 변조대역폭은 13 GHz로 측정되었다.