• 구강회복응용과학지
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• 제36권3호
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• pp.183-195
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• 2020

목적: 이 논문의 목적은 CAD/CAM 의치상 레진과 열중합 의치상 레진의 굴곡 강도를 비교해보고, 두께에 따른 굴곡 강도 변화도 비교해보는 것이다. 연구 재료 및 방법: 열중합 의치상 레진은 Lucitone 199^® (C-LC)을 사용하였다. 3D printing 의치상 레진으로는 DIOnavi - Denture (P-DO)와 DENTCA - Denture Base II (P-DC)를 사용하였다. 밀링 PMMA 블록으로는 Vipi Block Gum (M-VP)과 M-IVoBase^® CAD (M-IV)를 사용하였다. 시편의 최종 규격은 65.0 mm × 12.7 mm × 1.6 mm / 2.0 mm / 2.5 mm였다. 굴곡 강도와 굴곡 탄성율을 측정하기 위해 3점 굽힘 시험을 실시하였다. 그리고 파절된 시편의 단면을 주사전자현미경 (SEM) 을 사용하여 분석하였다. 데이터의 정규성을 확인한 뒤 일원분산분석(one-way ANOVA)을 사용하여 유의 수준 P = 0.05로 설정하여 그룹 간의 차이를 평가한 뒤, 사후 분석을 위해 Tukey HSD test를 시행하였다. 결과: 동일 두께 내에서, P-DO를 제외한 나머지 CAD/CAM 의치상 레진들과 열중합 의치상 레진의 굴곡 강도는 유의한 차이를 나타내었다. M-VP는 열중합 의치상 레진 보다 굴곡 강도가 높게 나타났고, P-DC와 M-IV는 낮은 굴곡 강도를 보였다. 굴곡 탄성률은 M-VP에서 제일 높게 나타났고 C-LC, P-DO, P-DC, M-IV 순으로 낮아졌으며 재료간에 모두 유의한 차이가 나타났다. 두께에 따른 굴곡 강도는, C-LC에서는 2.5 mm가 1.6 mm보다 유의하게 높은 굴곡 강도를 보였고, P-DC, M-VP는 2.5 mm와 2.0 mm에서 1.6 mm보다 유의하게 높은 굴곡 강도가 나타났다. M-IV에서는 두께가 증가할수록 유의한 굴곡 강도 증가가 나타났다. SEM 분석 결과 서로 다른 재료들의 파절된 단면은 각기 다른 양상을 띄었다. 결론: 본 연구에서 사용된 CAD/CAM 의치상 레진의 굴곡 강도는 각 재료의 성분 및 특성에 따라 다양하게 나타났다. CAD/CAM 의치상 레진의 굴곡 강도는 두께가 감소하여도 1.6 mm 이상의 두께에서는 ISO 20795-1:2013에서 제시하는 굴곡 강도보다 높게 나타났다. 하지만 보다 얇은 두께의 의치를 임상적으로 사용하기 위해서는, 더 낮은 두께의 의치상 레진의 다른 특성들에 관한 추가적인 연구가 필요하다.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2003년도 생물공학의 동향(XII)
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• pp.484-488
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• 2003

고체상 site-specific mono-PEGylation 공정은 액체상 PEGylation 공정에서 나타날 수 있는 무작위적인 multi-PEGylation 문제점을 해결하고, 또한 고체상에서 PEGylation을 수행함으로써 액체상 PEGylation 공정에서 필요한 분리정제 단계를 줄일 수 있음을 제시하였다.

• ETRI Journal
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• 제13권2호
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• pp.80-90
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• 1991

동화상 처리는 복수의 화상을 다루기 때문에 방대한 메모리를 요구하며 처리시간도 많이 걸린다. 그러나 많은 정보를 제공하므로 보다 정확한 판별 및 인식을 할 수 있어 오래전부터 많은 연구가 행하여 지고 있다. 최근 컴퓨터의 H/W 및 S/W 기술의 진보에 힘입어 동화상 처리에서의 문제점인 메모리와 처리시간의 문제가 어느정도 해결됨으로써 이에 관한 연구가 보다 활발해지고 있다. 본고에서는 동화상 처리의 알고리즘 및 응용분야, 생명체의 동화상 처리에 대해서 논한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.93-93
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• 2004

형상기억합금은 2원 또는 3원 합금에 의해 외력과 온도 변화에 따라 오스테나이트 상과 마르텐사이트 상으로의 상변환을 유발한다. 이와 같은 형상기억합금은 두 가지의 고유한 특성으로 인해 최근에는 의학용 기구나 소형 액츄에이트 및 여러 분야에서 적용되어지고 있다. 이때 형상기억합금의 고유한 특성은 모상인 오스테나이트 상의 형상을 기억하여 외력에 의해 마르텐사이트 상으로 변형된 후에도 오스테나이트 종료온도 이상으로 가열하게 되면 원래의 형상으로 되돌아가는 형상기억 효과와 오스테나이트 종료온도 이상에서 넓은 탄성 영역을 가지는 초탄성 효과 등이다.(중략)

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.89-90
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• 2012

본 논문에서는 1개의 홀 전류센서를 사용하여 3상 유도전동기의 벡터제어 인버터를 구현한다. 기존 방식에서는 3상의 전류를 검출하기 위하여 2개의 홀 전류센서를 사용하므로 전체 시스템의 가격이 상승하는 요인이 되었다. 본 논문에서는 시스템의 저가격화를 위해 한 상의 전류는 홀 전류센서를 사용하여 검출하고, 다른 한 상의 전류는 Low-side switch와 DC 링크의 음극 사이에 삽입한 션트 저항을 사용하여 검출하는 방법을 제안하고 컴퓨터 시뮬레이션과 실험을 통하여 성능을 검증한다.

• 월간포장계
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• 통권347호
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• pp.82-86
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• 2022

(사)한국포장협회(회장 임경호)는 지난 2월 18일 '제32차 정기총회 및 포장인의 날'에 (사)한국포장협회 회장상과 공로상, 그리고 한용교포장인상을 수여했다. 이번 제25회 한용교포장인상 시상식에서는 연구개발 부문에 박세철 (주)아이피씨 기술연구소 소장이, 수출진흥 부문에 최봉규 (주)천일 대표이사가 수상의 영광을 안았고, 장학생 부문에서는 대구대학교 식품공학과의 박정우 학생과 연세대학교 패키징학과의 신동훤 학생이 장학금을 수여받았다. 한편 제3회 (사)한국포장협회 회장상은 이현철 (주)서일 소장이 수상했고 공로상은 신동윤 율촌화학(주) 회장이 수상했다. 다음 인터뷰를 통해 제25회 한용교포장인상 수상자들의 활약상을 살펴본다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.103-103
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• 2009

본 논문에서는 기존의 GST(GeSbTe=2:2:5)와 비교하여 상변화 재료로서의 Ga 도핑된 $Ge_2Sb_2Te_5$의 가능성을 확인하고자 하였다. 실험에 사용된 Ga 도핑된 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막은 전통적 melt-quenching 방법에 의해 비정질로 제작된 벌크를 Thermal evaporation을 통하여 Si(100) 및 유리 (coming glass, 7059) 기판 위에 200nm의 두께로 증착하여 제작하였다. 각 박막의 상변화 특성은 여러 온도에서 열처리된 박막을 X-ray diffraction (XRD) 측정을 통하여 확인하였다. 각 조성 박막의 비정질-결정질 상변화속도 비교를 위하여 나노-펄스 스캐너 (nano-pulse scanner)를 사용하여 power; 1~17mW, pulse duration; 10~460ns 범위에서 박막의 상변화에 따른 반사도 차이를 측정 분석하였다. Ga의 도핑농도에 따른 전기적 특성 차이를 확인하기 위하여 4-point probe를 이용하여 박막의 면 저항을 측정하였고 또한 hall 측정을 통하여 박막의 흘 계수, 흘 농도 및 이동도를 확인하고 Ga가 상전이에 미치는 영향에 대하여 분석하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권11호
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• pp.1114-1118
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• 2000

Ti 및 C 입자로 이루어진 다공질 성형체에 용융 Si의 침윤 및 반응으로 새로운 Ti$_3$SiC$_2$합성공정이 개발되었다. 용융 Si 침윤에 의한 Ti$_3$SiC$_2$합성공정에서는 이제까지 연구된 합성방법 보다 넓은 조성 범위에서 Ti$_3$SiC$_2$의 합성이 이루어졌다. 용융 Si을 활성 매질로 사용한 Ti$_3$SiC$_2$의 합성에서는 성형체 조성, 원료 입자 크기 및 침윤되는 용융 Si의 양에 따라 합성되는 상 및 각 합성상의 양이 다르게 나타났다. Ti:Si:C=3:1:6 조성을 제외한 모든 조성의 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$상이 합성되었으며, 일부 조성을 제외한 모든 조성의 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$, TiC 및 SiC가 함께 합성되었다. 작은 Ti 입자로 이루어진 성형체를 사용하여 합성한 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$상의 합성이 용이하게 이루어졌으며, 성형체 조성 및 침윤되는 Si의 양이 화학양론적으로 Ti$_3$SiC$_2$에 근접한 조성을 갖는 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$를 높은 수율로 합성할 수 있었다.

• 정보보호학회논문지
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• 제6권4호
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• pp.97-106
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• 1996

유한체 GF($2^n$)상의 모든 지수 함수들의 군에 동치 관계를 정의하고, 이들 동치 관계에 의해 분류된 각 동치류에 속하는 지수 함수들은 동일한 암호학적 성질을 가짐을 보인다. 그리고, GF($2^7$)과 GF($2^8$)상의 모든 지수 함수들을 분류한다. 다음으로 지수 함수 분류의 3가지 응용을 제시한다. 우선 GF($2^n$)상의 2개의 지수 함수의 연접에 의한 $n\;{\times}\;2n$ S(ubstitution)-box의 설계 방법을 제안하고, 그들의 입.출력 변화 내성과 선형 내성을 분석한다. 그리고, Eurocrypt '93에서 Beth가 세운 가설이 그릇된 것임을 지적하고, LOKI 블록 알고리즘에 사용된 S-box의 안전성에 대하여 논한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권4호
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• pp.360-364
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• 2001

고상반응법(solid-state reaction)으로 산화물 초전도체 Bi$_{2+x}$ Sr$_{1.8}$ $CaCu_2$$O_{8+\delta}$(-0.2$\leq$x$\leq$0.2)을 제조하여 조성변화에 따른 산소량과 Bi 이온의 하전가(valence)가 구조변조의 주기에 미치는 영향을 조사하였다. 2212상의 단일상 고용한계는 -0.1$\leq$x$\leq$0.1 영역이었다. 이 영역에서 x의 증가에 따라 격자상수 c는 감소를 보이며, 온셋 임계온도 Tc$^{on}$ 과 산소량은 증가하는 경향을 보였다. 또한, Bi 이온의 하전기와 구조변조의 주기는 단일상 고용한계 영역 내에서 x의 증가에 따라 감소하는 경향을 보이고 있다. 구조변조의 주기는 산소량이 증가함에 따라 감소하고 Bi 이온의 하전가 증가에 따라 증가함을 보였다. 즉, 산소의 절대량과 Bi 이온의 하전가에 따라 구조변조의 주기가 변화하는 것을 알 수 있었다.