• 한국통신학회논문지
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• 제33권12C호
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• pp.997-1005
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• 2008

본 논문에서는 기존의 Eueka-147 표준안 기반 지상파 DMB 방송의 성능을 저하시키지 않으면서도 부가서비스를 첨가하기 위하여, UEP 방법과 계층적 변조기법을 적용하여 차세대 지상파 DMB 방송 시스템을 제안하였다. 비균등 16QAM 방식을 사용한 차세대 지상파 DMB 방송 시스템에 다양한 비트분리 방법과 부가서비스 스트립에 DVB-RCS 규격의 double binary turbo code와 DVB-52 규격의 LDPC등을 적용하여 그 성능을 시뮬레이션 하여 보았다. 그 결과 기존의 지상파 DMB 채널 코딩방식에 비해 double binary turbo code와 LPDC 부호가 각각 2dB, 3.5dB의 성능이 향상되는 것을 확인할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제37권3호
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• pp.58-63
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• 2000

본 논문에서는 고집적 3차원 초고주파 소자 및 모듈에서 발생되는 수직 전이 구조의 효과적인 연결을 위하여 방사형 스터브 (radial stub)를 사용한 접지 방법을 제시하였다. 제안된 구조는 완전 해석법 (full-wave analysis)인 유한 요소법 (finite element method)을 이용하여 해석하였고 제작을 통하여 그 결과를 검증하였다. 해석결과, 2.S~6.3 GHB 주파수 범위에서 반사손실 (return loss) IS dB 이상, 삽입손 실 (insertion loss) 0.5 dB 이하의 특성을 가짐을 확인하였다. 본 해석 결과는 고집적, 소형화를 위한 3차 원 구조를 갖는 초고주파 소자 및 모듈의 공통 접지 연결을 위해 유용하게 사용될 수 있다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.47-54
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• 1990

PIN 다이오드를 사용하여 부하선로 방식 위상기와 가변회로 방식 위상기의 설계방법을 제안하였다. 부하선로 방식은 어느 정도 간격을 두고 두개의 서셉턴스를 병렬로 접속하여 구성하고 스위칭 소자의 바이어스에 따른 서셉턴스값의 변화에서 위상차를 얻으므로서 작은 위상변화를 간단한 구성으로 얻었다. 가변회로 방식은 캐패시터와 인덕터로 병렬 T회로를 구성하고 스위칭 소자의 바이어스에 따른 회로의 기본 구성이 바뀌어지는 방식으로, 저역통과 상태와 고역통과 상태를 유출하여 큰 위상차를 얻었다. 중심 주파수 6GHz에서 대부분의 설계사항은 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 최적화 시켰다. 또한 마이크로스트립 선로의 비유전율 2.94인 기판에 Owen 식을 이용하여 계산하였다. 측정치는 평균 위상 오차 $10^{\circ}$ 미만으로 이론치와 거의 같음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.107-107
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• 2000

최근 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화의 경향에 다라 MOSFET 소자 제작에 이동되는 게이트 산화막의 두께가 수 nm 정도까지 점점 얇아지는 추세이고 Giga-DRAM급 차세대 UNSI소자를 제작하기 위해 5nm이하의 게이트 절연막이 요구된다. 이런 절연막의 두께감소는 게이트 정전용량을 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압동작을 가능하게 하기 때문에 게이트 산화막의 두께는 MOS공정세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 따라서 절연막 두께는 소자의 동작 특성을 결정하는 중요한 요소이므로 이에 대한 정확한 평가 방법의 확보는 공정 control 측면에서 필수적이다. 그러나, 절연막의 두께가 작아지면서 게이트 산화막과 crystalline siliconrksm이 계면효과가 박막의 두께에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵고 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 난다. 따라서 차세대 반도체 소자의 개발 및 양산 체계를 확립하기 위해서는 산화막의 두께가 10nm보다 작은 1nm-5nm 수준의 박막 시료에 대한 두께 계측 방법이 확립이 되어야 한다. 따라서, 본 연구에서는 습식 산화 공정으로 제작된 3nm-7nm 의 게이트 절연막을 현재까지 알려진 다양한 두께 평가방법을 비교 연구하였다. 절연막을 MEIS (Medim Energy Ion Scattering), 0.015nm의 고감도를 가지는 SE (Spectroscopic Ellipsometry), XPS, 고분해능 전자현미경 (TEM)을 이용하여 측정 비교하였다. 또한 polysilicon gate를 가지는 MOS capacitor를 제작하여 소자의 Capacitance-Voltage 및 Current-Voltage를 측정하여 절연막 두께를 계산하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제2권3호
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• pp.10-16
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• 1991

마이크로파용 소자를 측정하기 위해서 test fixture를 이용하는데, 소자 특성화에 앞서 측정시스댐과 test fixture에 따른 오차회로망을 우선적으로 보정하여야 한다. 본 논문에서는 길이가 다른 두개의 보정용 마이크로 스트립 선로만으로 오차회로망을 특성화하는 방볍을 제시하였다. 보정용 두 선로의 길이가 정확히 주어진다면, 전파상수의 지식없이도 정확한 보정 데이타를 제공할 수 있다. 보정용 선로 제작시 end effect를 전혀 고려할 필요가 없다. 이 방볍에 의한 보정작업에 따라 A TF13736 MESFET를 특성화 하였다. 측정주파수 범위는 2 2-18 GHz이고, 바이어스는 VDs=2. 5V, IDs=20mA이었다. 보정데이타와 데이타 용지를 비교할 때, 상대적 으로 낮은 주파수에서 그 크기는 거의 일치하고 단지 $0.1^{\circ}$~$12^{\circ}$의 위상차를 보였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.145-150
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• 2016

자율주행 차량 구현에 있어 차량의 위치에 대한 정확한 정보가 실시간으로 제공되어야 한다. 이동기준국 차분 측위 기술은 차량에 복수의 안테나에서 수신한 신호의 위상차를 통해 정밀 측위 정보를 생성하는 기술로, 이를 위해 차량의 평평하고 넓은 루프를 접지면으로 하는 이중대역 및 이중 원형편파 안테나 개발이 필수적이다. 본 논문에서 제안하는 안테나는 GPS L1과 L2 주파수 대역에서 공진을 일으키는 이중대역 안테나로써, 기존 안테나와 달리 급전부가 안테나 측면에 위치하여 복수의 안테나를 필요로 하는 시스템에 적합하다. 안테나 설계안은 중요 파라미터들의 이론값을 토대로 모델링한 초기 모델을 3D 전파시뮬레이션 소프트웨어를 이용해 최적화하는 방법으로 도출하였다. 최적화된 안테나의 시뮬레이션값과 측정값을 분석한 결과, L1과 L2에서 대역폭 6.1%와 3.7%, 축비 1% 이상임을 확인하였다. 안테나 크기는 $73mm{\times}73mm{\times}6.4mm$로 소형 구조의 장점을 갖췄다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제17권4호
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• pp.48-52
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• 2006

2006 CISPR 총회가 스웨덴 스톡홀름 KISTA에서 개최되었다. CISPR I 회의는 9월 18일부터 20일까지 3일간 WG2 및 WG4를 중심으로 진행되었으며, WG1과 WG3 회의는 9월 20일 오후에 있었다. 우리나라에서는 WG1에 두 가지 제안을 발표하였다. 하나는 2004년 중국 상해 회의에서 처음 제안하여 2005년 남아공 케이프타운 회의에서 Task Force가 구성된 대형 시험품에 대한 CISPR 20의 외부 방사내성 시험레벨에 관한 것이다. 2006년 1월 미국 산타페에서 열린 TF 회의에서 시험결과에 대한 기술적 토론이 있었으며, Round Robin Test(RRT)를 실시하기로 결정되었다. RRT시험은 7월 중순에 실시되었으며, 참여한 시험소는 영국의 SONY, 네덜란드의 Philips, 독일의 SHARP 이었으며, 국내의 여러 EMC 시험소도 추후에 참여하였다. RRT 시험의 결과 및 분석이 이번 스톡홀름 회의에서 발표되었다. 또한, CISPR 13의 방사성 방출(RE)의 측정거리 기준점의 변경에 관한 것이다. 본 고에서는 TV 수신기에 대한 RRT 시험결과 및 분석에 대한 발표 내용을 소개하고자 한다. CISPR 20의 외부 전자기장 내성 시험은 0.8 m인 개방형 스트립라인(Open Strip-line: OSL)내에 시험품을 설치하고 $150kHz{\sim}150MHz$에서 시험하도록 규정하고 있다. OSL에 설치할 수 없는 대형기기는 IEC 61000-4-3에 따라서 주파수 범위 $80MHz{\sim}150MHz$까지 동일한 한계치로 전자파무반사실에서 시험하도록 규정되어 있다. 이에 대해 국내 제조업체 및 EMC 전문가들로 구성된 CISPR I 국내 위원회에서는 IEC 61000-4-3에 의한 전자파무반사실(챔버)에서의 내성시험이 CISPR 20에 의한 OSL에서의 내성시험보다 가혹하다는 문제 제기가 있었다. 이것이 본 안건에 대한 배경이다 지금까지 진행되어 왔던 내용을 요약해 보면 2004년 상해 회의에서, 수치해석 및 측정비교를 통하여 CISPR 20에서 규정하고 있는 OSL 전기장 교정방법의 개선의 필요성과 OSL에서 시험할 수 없는 대형 시험품에 대하여 시험레벨을 조정할 것을 지적하였다. 2005년 케이프타운 회의에서는 실제적으로 TV 방송 수신기 및 관련기기가 두가지 방법으로 시험되었을 때 시험결과에 미치는 영향을 시험품의 전기장 내성 레벨로 비교하였으며, 전자파무반사실에서 시험할 경우 시험레벨이 12 dB 낮추도록 보정되어야 할 것을 제안하였다. 2006년 이번 회의에서는 세계 각국의 시험소와 비교시험을 통하여 나타난 OSL과 전자파무반사실 간의 시험결과의 차이 및 이에 대한 원인을 분석하여 보고하였다. OSL과 전자파무반사실 비교시험에서 나타난 차이는 평균적으로 9 dB의 차이로 나타났으며, 주요 원인은 OSL에서 적용하고 있는 시험품을 OSL내부에 설치한 후 시험품에 의해 변경된 전기장의 세기를 보정해 주는 인자(k2)로 인한 차이(6 dB)와 OSL 내부의 전기장의 세기와 전자파무반사실 균일장 영역의 전기장의 세기의 차이(3 dB)이다.