본 논문에서는 software defined radio(SDR) 기반의 고속의 다중 모드, 다중 대역을 위한 새로운 six-port 직접변환 수신기를 제안한다. 설계한 수신기는 2개의 CMOS four-port BPSK 수신기와 직교 LO 신호 발생을 위한 이중 대역 1단 polyphase 필터로 구성되어 있다. 0.18 ${\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 마이크로파 대역에서 처음으로 개발한 four-port 수신기는 두 개의 능동 결합기, 능동 발룬, 두 개의 전력 검출기 및 아날로그 디코더로 구현되어 있다. 제안한 polyphase 필터는 type-I 구조를 선택하였으며, LO 신호의 전력 손실을 줄이기 위하여 1단으로 구현 하였고, 커패시터를 사용하는 것 대신하여 LC 공진구조를 적용하여 이중 대역 동작을 구현하였다. 제안한 sixport 수신기의 RF 가용범위를 확장하기 위하여, six-port junction과 전력 검출기에 I/Q 위상 및 크기를 보정하는 회로를 추가하였다. 제안한 회로에서 위상과 크기 부정합의 보정 범위는 각각 8도와 14 dB이다. 제작한 six-port 수신기는 이중 대역인 900 MHz와 2.4 GHz 대역에서 M-QAM, M-PSK의 40 Msps의 변조 신호를 성공적으로 복조하였다.
본 논문에서는 마이크로파 가열 시스템에서 가열을 위한 반응기로 사용되는 다중 모드 공동기 내부의 전계 분포를 균일하게 형성시키기 위한 슬롯 도파관 급전기를 설계, 제작하였다. 기존의 급전기 경우에는 다중 모드 공동기 내부의 전계를 균일하게 해주기 위해 모드 스터러나 턴테이블과 같은 추가적인 부품을 공동기 내부에 설치해 사용하였다. 제안된 슬롯 도파관 급전기는 자체적으로 균일한 방사를 갖도록 구형 도파관의 넓은 면에 4개의 슬롯이 있고 양쪽의 개구면이 단락된 구조를 특징으로 한다. 제안된 급전기가 장착된 다중 모드 공동기 내부의 전계 분포는 CST사의 MWS(Microwave Studio)를 이용하여 시뮬레이션 하였고, 기존의 급전기를 장착한 경우보다 더 균일한 전계 분포 특성을 보임을 확인하였다. 제작된 급전기는 사용 주파수 2.45 GHz에서 -20 dB 이하의 반사 손실을 보였다. 우리 제안의 타당성을 검증하기 위해, 공동기 내에 물 시료들을 배치해 일정시간 가열시켜 가열 전후의 온도 변화를 관찰하였다. 온도 변화는 공동기에 기존 급전기를 장착한 경우, 중앙과 가장 자리에 있는 시료들 사이에 약 $3.5^{\circ}C$, 제안된 급전기를 장착한 경우에는 약 $0.7^{\circ}C$의 차이를 보였다. 이를 통해, 제안된 급전기가 기존의 급전기보다 다중 모드 공동기 내의 전계 분포 균일성 향상에 기여함을 확인하였다.
We investigated the phase evolution, microstructure, and microwave dielectric properties of Na- and Zr-doped $Ba(Mg_{0.5}W_{0.5})O_3$ [i.e., ($Ba_{1-2x}Na_{2x})(Mg_{0.5-x}Zr_xW_{0.5})O_3$] ceramics. $BaWO_4$ as a secondary phase was observed in all compositions, and it increased as the dopant concentration increased. All specimens revealed a dense microstructure. For the composition of x=0.01, polyhedral grains were observed. As the dopant concentration increased, the densification and the grain growth were promoted by a liquid phase. The quality factor($Q{\times}f_0$) decreased remarkably, whereas the dielectric constant (${\varepsilon}_r$) tended to decrease as the dopant concentration increased. The dielectric constant, quality factor, and temperature coefficient of the resonant frequency of the composition of x=0.01 sintered at $1,700^{\circ}C$ for 1 h were 18.6, 216,275 GHz, and $-22.0ppm/^{\circ}C$, respectively.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.112-116
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2002
The $0.95MgTiO_3-0.05SrTiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%) were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperatue by XRD. According to the X-ray diffraction pattern of the $0.95MgTiO_3-0.05SrTiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%), the ilmenite $MgTiO_3$ and perovskite $SrTiO_3$ structures were coexisted and secondary phase $MgTi_2O_5$ were appeared. In the case of $0.95MgTiO_3-0.05SrTiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%), dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were 15.84~18.28, 12627~23138GHz, -21.414~1.568$ppm/^{\circ}C$, respectively.
The 0.96Mg$TiO_3$-0.04Sr$TiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(5wt%) were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperature by XRD and SEM. According to the X-ray diffraction patterns of the 0.96Mg$TiO_3$-0.04Sr$TiO_3$ceramics with $V_2O_5$(5wt%), the ilmenite $MgTiO_3$ and perovskite $SrTiO_3$ structures were coexisted and secondary phase $MgTi_2O_5$ were appeared. Increasing the sintering temperature, the grain size was increased and three types of grains were exhibited: larger circular grain, small square grain and lapth-shaped grain. In the case of 0.96Mg$TiO_3$-0.04Sr$TiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%), dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were $15.24{\sim}18.55$, $22,890{\sim}42,100$GHz, -24.5${\sim}$+2.414ppm/$^{\circ}C$, respectively.
$(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ (0${\le}$x${\le}$1.0) 세라믹스의 조성 변화에 따른 마이크로파 유전 특성 및 적층체 특성을 연구하였다.0.25${\le}$x${\le}$0.75의 조성 범위에서 stibotantalate 구조를 갖는 $BiNbO_4$와 columbite 구조를 갖는 $CaNb_2O_6$의 혼합상으로 존재하였으며, 이차상의 형성이나 상전이는 관찰할 수 없었다. $(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ 세라믹스의 유전상수(K)는 조재상의 유전 특성에 크게 의존하여 Maxwell 관계식으로부터 계산된 유전체 혼합법칙으로 정량화가 가능하였다. $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$에 $CuV_2O_6$를 0.8 wt% 첨가하여 1000${\circ}C$에서 3시간 소결한 결과, 유전상수 26, 품질계수(Qf) 43000 GHz 및 공진주파수 온도계수(TCF) -18 ppm/${\circ}C$의 마이크로파 유전특성을 얻을 수 있었다. $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$ 그린쉬트(green sheet)를 850∼900${\circ}C$에서 20분간 소결하여 얻은 적층체의 X-Y 수축율 편차와 캠버 값은 $BiNbO_4$ 적층체 보다 작게 나타났다.
($Pb_{0.2}$$Ca_{0.8}$ )[($Ca_{1}$3$Nb_{2}$3/)$_{1-x}$$Ti_{x}$ ]O$_{3}$ 세라믹스의 $^{4+}$ 치환량 변화에 따른 마이크로파 유전특성을 고찰하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가함에 따라 x=0.05부터 x=0.15까지의 조성범위에서는 단일상의 페롭스카이트상을 얻을 수 있었으며, x=0.2이상에서는 $Ti_2$와 $CaNb_2$$O_{6}$ 가 제 2상으로 존재하였고, 결정구조는 x=0.05에서 사방정(orthorhombic) 구조가 x=0.35에서 이방정(cubic) 구조로 전이하였다. 유전상수(K)는 $Ti^{4+}$ 치환량의 증가에 따라 rattling 효과의 증가로 인하여 증가되었으며, B-자리 양이온의 평균이온반겨의 세제곱의 반비례하였다. 그러나 결정립 크기의 감소와 제 2상의 존재로 인하여 Qf값은 감소하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가됨에 따리 tolerance factor(t)와 B-자리 결합원자가의 영향으로 공진주파수의 온도계수(TCF)는 -27.36ppm/$^{\circ}C$값으로부터 +18ppm/$^{\circ}C$r값으로 조절되었다. $1350^{\circ}C$d서 3시간 소결한 ($Pb_{0.2}$$Ca_{0.8}$ )[(Ca$_{1}$3$Nb_{2}$3)$_{1-x}$ /$Ti_{x}$]$O_{3}$ 시편에서 K=51.67, Qf=7268(GHz), TCF=0 ppm/$^{\circ}C$의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.
B$_2$O$_3$ added Ba(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$ (BBMN) ceramics were not sintered below 900 $^{\circ}C$. However, when CuO was added to the BBMN ceramic, it was sintered even at 850 $^{\circ}C$. The amount of the $Ba_2$B$_2$O$_{5}$ second phase decreased with the addition of CuO. Therefore, the CuO additive is considered to react with the B$_2$O$_3$ inhibiting the reaction between B$_2$O$_3$ and BaO. Moreover, it is suggested that the solid solution of CuO and B$_2$O$_3$ might be responsible for the decrease of the sintering temperature of the specimens. A dense microstructure without pores was developed with the addition of a small amount of CuO. However, a porous microstructure with large pores was formed when a large amount of CuO was added. The bulk density, the dielectric constant ($\varepsilon$$_{r}$) and the Q-value increased with the addition of CuO but they decreased when a large amount of CuO was added. The variations of those properties are closely related to the variation of the microstructure. The excellent microwave dielectric properties of Qxf = 21500 GHz, $\varepsilon$$_{r}$ = 31 and temperature coefficient of resonance frequency($\tau$$_{f}$) = 21.3 ppm/$^{\circ}C$ were obtained for the Ba(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$+2.0 mol%B$_2$O$_3$+10.0 mol%CuO ceramic sintered at 875 $^{\circ}C$ for 2 h.h.2 h.h.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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