Ja-Seon Yoon;Sang Yoon Nam;Beom Jun Lee;Hyun Jik Lee
Journal of Veterinary Science
/
제24권1호
/
pp.3.1-3.13
/
2023
Background: Zinc (Zn) is an essential cofactor for physiological homeostasis in the body. Zn oxide (ZnO), an inorganic compound that supplies Zn, exists in various sizes, and its bioavailability may vary depending on the size in vivo. However, comparative studies on the nutritional effects of micro-sized ZnO (M-ZnO) and nano-sized ZnO (N-ZnO) supplementation on Zn deficiency (ZnD) animal models have not been reported. Objectives: This study investigated the nutritional bioavailability of N-ZnO and M-ZnO particles in dietary-induced ZnD mice. Methods: Animals were divided into six experimental groups: normal group, ZnD control group, and four ZnO treatment groups (Nano-Low, Nano-High, Micro-Low, and MicroHigh). After ZnD induction, N-ZnO or M-ZnO was administered orally every day for 4 weeks. Results: ZnD-associated clinical signs almost disappeared 7 days after N-ZnO or M-ZnO administration. Serum Zn concentrations were higher in the Nano-High group than in the ZnD and M-ZnO groups on day 7 of ZnO treatment. In the liver and testis, Nano-Low and Nano-High groups showed significantly higher Zn concentrations than the other groups after 14-day treatment. ZnO supplementation increased Mt-1 mRNA expression in the liver and testis and Mt-2 mRNA expression in the liver. Based on hematoxylin-and-eosin staining results, N-ZnO supplementation alleviated histological damage induced by ZnD in the testis and liver. Conclusions: This study suggested that N-ZnO can be utilized faster than M-ZnO for nutritional restoration at the early stage of ZnD condition and presented Mt-1 as an indicator of Zn status in the serum, liver, and testis.
The impurity doped ZnO has been extensively studied because of its optoelectric properties. GIZO (Ga-In-Zn-O) amorphous oxide semiconductors has been widely used as transparent flexible semiconductor material. Recently, various amorphous transparent semiconductors such as IZO (In-Zn-O), GIZO, and HIZO (Hf-In-Zn-O) were developed. In this work, we examined the local structures of IZO, GIZO, and HIZO. The local coordination structure was investigated by the extended X-ray absorption fine structure. The IZO, GIZO and HIZO thin films ware deposited on the glass substrate with thickness of 400nm by the radio frequency sputtering method. The targets were prepared by the mixture of $In_2O_3$, ZnO and $HfO_2$ powders. The percent ratio of In:Zn in IZO, Ga:In:Zn in GIZO and Hf:In:Zn in HIZO was 45:55, 33:33:33 and 10:35:55, respectively. In this work, we found that IZO, GIZO and HIZO are all amorphous and have a similar local structure. Also, we obtained the bond distances of $d_{Ga-O}=1.85\;{\AA}$, $d_{Zn-O}=1.98\;{\AA}$, $d_{Hf-O}=2.08\;{\AA}$, $d_{In-O}=2.13\;{\AA}$.
ZnO 박막이 성장된 Si기판을 이용하여 Thermal evaporation을 사용하여 온도에 따라 합성된 1-D의 구조의 ZnO nanorods의 형상과 특성에 대하여 연구를 하였다. 합성온도는 $700^{\circ}C{\sim}900^{\circ}C$를 사용하였고 온도가 낮아짐에 따라 Vertical한 1-D ZnO가 합성이 되는 것을 알 수 있었다. 특히, $700^{\circ}C$에서 합성된 1-D ZnO는 ~100nm의 폭을 가지고 800nm의 길이의 Nanorods로 성장이 되는 것을 알 수 있었고, 상온 PL측정을 통해 온도가 증가함에 따라 O 결핍 또는 Zn의 과잉에 의한 Deep level emission이 증가하는 것을 알 수 있었다.
ZnO semiconductor has a wide band gap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60 meV, and displays excellent sensing and optical properties. In particular, ZnO based 1D nanowires and nanorods have received intensive attention because of their potential applications in various fields. We grew ZnO buffer layers prior to the growth of ZnO nanorods for the fabrication of the vertically well-aligned ZnO nanorods without any catalysts. The ZnO nanorods were grown on Si (111) substrates by vertical MOCVD. The ZnO buffer layers were grown with various thicknesses at $400^{\circ}C$ and their effect on the formation of ZnO nanorods at $300^{\circ}C$ was evaluated by FESEM, XRD, and PL. The synthesized ZnO nanorods on the ZnO film show a high quality, a large-scale uniformity, and a vertical alignment along the [0001]ZnO compared to those on the Si substrates showing the randomly inclined ZnO nanorods. For sample using ZnO buffer layer, 1D ZnO nanorods with diameters of 150-200 nm were successively fabricated at very low growth temperature, while for sample without ZnO buffer the ZnO films with rough surface were grown.
RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 유리기판위에 인가전력 100 W, 1.33Pa, Ar/O2=50 : 50, 20$0^{\circ}C$ 그리고 타겟과 기판사이의 거리 4 cm의 조건으로 ZnO 압전 박막을 성장시켰다. 증착된 박막의 결정성, 표면형상, 화학적 결합비와 전기적 특성을 XRD, SEM, AFM, RBS와 electrometer를 이용하여 측정 분석하였다 제조된 박막은 우수한 c축 우선 배향성을 보였고 또한 화학 양론적인 결합비를 나타내었다. 전극 구조가 single 및 double IDT를 갖는 ZnO/1DT/glass SAW 필터를 제작하여 특성을 분석한 결과, 전파속도는 각각 2,589 m/sec, 2,533 m/sec이었고, 삽입손실은 -11 dB과 -21 dB 값을 나타내어 박막형 SAW 필터로 응용이 기대된다.
The stability of $Pr_6$$O_{11}$-based ZnO varistors doped with $Y_2$$O_3$ was investigated under various d.c. stresses. The varistors were sintered at $1350^{\circ}C$ for 1h in the addition range of 0.0 to 4.0 mol% $Y_2$$O_3$. The varistors doped with $Y_2$$O_3$ exhibited much higher nonlinearity than that without $Y_2$$O_3$. In Particular, the varistors containing 0.5 mol% $Y_2$$O_3$ showed very excellent V-I characteristics, which the nonlinear exponent was 51.19 and the leakage current was 1.32 $\mu\textrm{A}$. And these varistors also showed an excellent stability, which the variation rate of the varistor voltage and the nonlinear exponent were -0.80% and -2.17%, respectively, under 4th d.c. stress, such as (0.80 $V_ {1mA}$/$90^{\circ}C$/12h)+(0.85 $V_{1mA}$/$115^{\circ}C$/12h)+(0.90 $V_{1mA}$/$120^{\circ}C$/12h)+(0.95 $V_{1mA}$/$125^{\circ}C$/12h). Consequently, since $Pr_ 6$$O_{11}$-based ZnO varistors doped with 0.5 mol% $Y_2$$O_3$ have an excellent stability as well as good nonlinearity, it is expected to be usefully used to develop the superior varistors in future.
Zinc oxide (ZnO) is one of the most versatile semiconductors, and one-dimensional (1D) ZnO nanostructures have attracted significant interest for use in ultraviolet (UV) lasers, photochemical sensors, and photocatalysts, among other applications. It is known that 1D ZnO nanowires can be fabricated readily owing to the anisotropic growth of ZnO along the [0001] direction. However, this type of growth results in a decrease in the surface area of the (0001) plane, which plays a vital role not only in UV lasing but also in the photocatalytic process. Thus, we attempted to synthesize ZnO crystals with an increased polar surface area by controlling the crystal growth process. The purpose of this review is to propose a simple route for the synthesis of plate-like ZnO crystals with highly enhanced polar surfaces and to explore their feasibility for use in UV lasers as well as as a photocatalyst and antibacterial agent. In addition, we highlight the recent progress made in the pilot-scale synthesis of plate-like ZnO crystals for industrial applications.
Recently, the control of size, morphology and dimensionality in inorganic materials has been rapidly developed into a promising field in materials chemistry. 3D nanostructured flower-like ZnO architecture with different size and shapes have been simply synthesized via a hydrothermal process, using zinc acetate and ammonium hydroxide as reactants.[1] In this study, the Zno thin-films were deposited by RF magnetron sputtering in other to get high adhesion and uniformity of 3D nanostructured flower-like ZnO architecture on a $SiO_2$ substrate. The XRD patterns identified that the obtained the nanocrystallized ZnO architecture exhibited a wurtzite structure. SEM images illustrated that the flower-like ZnO bundles consisted of flower-like or chestnut bur, which were characterized by polycrystalline and [0001] preferential orientation.
We proposed that concentrations of cartier electron as well as ionized donor defects in nonstoichiometric ZnO are proportional to $P^{-1/2}_{O_2}$, whenever they ionizes singly or doubly, by employing the Fermi-Dirac (FD) statistics for ionization of the native thermal defects $Zn_i$ and $V_o$. The effect of acceptor defect, zinc vacancy $V_{Zn}$made by the Frenkel and Schottky disorder reactions, on carrier concentrations was discussed. By application of the FD statistics law to their ionization while the formation of defects is assumed governed by the mass-action law, the calculation results indicate; 1. ZnO shows n-type conductivity with $N_D>$N_A$ and majority concentration of $n{\propto}\;P^{-1/2}_{O_2}$ in a range of $P_{O_2}$, lower than a critical value. 2. As the concentration of acceptor $V_{Zn}$ increases proportional to $P^{1/2}_{O_{2}}$, ZnO made at extremely high $P_{O_{2}}$, can have p-type conductivity with majority concentration of p ${\propto}\;P^{-1/2}_{O_{2}}$. One may not, however, obtain p-type ZnO if the pressure for $N_{D}<$N_{A}$ is too high.
검덕 연-아연 광상은 한반도에서 가장 규모가 큰 연-아연 광상으로 지체구조상 고원생대의 마천령층군이 포함된 Jiao Liao Ji belt내 혜산-리원 광화대에 위치한다. 이 광상의 주변지질은 고원생대의 마천리층군 변성퇴적암류와 이를 관입한 중생대의 만탑산 관입암체 및 신생대의 현무암으로 구성된다. 이 광상은 고원생대의 마천리층 변성퇴적암류내에 층상광체 및 맥상광체로 산출되며 퇴적분기형 광상에 해당된다. 이 광상에서 산출되는 돌로마이트들은 산출 광물조합 및 정출순서를 기초로 1)모암인 돌로마이트(D0), 2)각섬암상의 변성작용에 의한 초기의 돌로마이트(투각섬석, 양기석, 투휘석, 섬아연석, 방연석 등)(D1), 3)각섬암상의 변성작용에 의한 말기의 돌로마이트(활석, 방해석, 석영, 섬아연석, 방연석 등)(D2), 4)석영맥과 함께 산출되는 돌로마이트(백색운모, 녹니석, 섬아연석, 방연석 등)(D3)으로 산출된다. 이들 돌로마이트의 화학조성은 각각 Ca1.00-1.20Mg0.80-0.99Fe0.00-0.01Zn0.00-0.02(CO3)2(D0), Ca1.00-1.02M0.97-0.99Fe0.00-0.01Zn0.00-0.02(CO3)2(D1), Ca0.99-1.03Mg0.93-0.98Fe0.01-0.05Mn0.00-0.01As0.00-0.01(CO3)2(D2) 및 Ca0.95-1.04Mg0.59-0.68Fe0.30-0.36Mn0.00-0.01(CO3)2(D3)로써 이론적인 돌로마이트의 화학조성보다 미량원소들의 함량이 높다. 이 미량원소들은 FeO, MnO, HfO2, ZnO, PbO, Sb2O5 및 As2O5 원소들이며 광화작용이 진행됨에 따라 FeO, MnO, ZnO, Sb2O5 및 As2O5 원소들의 함량이 증감 변화가 있으나 HfO2와 PbO 원소들의 함량은 증감 변화가 없다. 검덕광상의 Do, D1 및 D2는 Ferroan 돌로마이트에 해당되며 D3는 Ferroan 돌로마이트와 철백운석(ankerite)에 해당된다. 따라서 1)모암인 돌로마이트(D0)는 고원생대(2012~1700 Ma) 해양증발환경에서 실리카와 함께 퇴적된 후 계속적인 속성작용에 의해 돌로마이트화 작용에 의해 형성되었다. 2)초기의 돌로마이트(D1)는 고원생대의 리원암군 관입(1890~1680 Ma)에 의한 변성작용(최소 각섬암상)에 의한 열수교대작용에 의해 형성되었다. 3)말기의 돌로마이트(D2)는 각섬암상의 변성작용에 의한 계속적인 온도와 압력의 감소에 의해 잔존 유체로부터 형성되었다. 또한 4)석영맥의 돌로마이트(D3)는 중생대의 만탑산 관입암체의 관입(213~181 Ma)에 의해 형성되었다.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.