본 연구에서는 금속 알콕시드를 이용하여 0.9PMN-0.1PT 소결체를 제조하는데 있어 과량으로 첨가되는 $Mg(OC_2H5)_2$, Pb$(CH_3COO)_2{\cdot}3H_2O$ 등이 페로브스카이트 상의 생성량과 소결 밀도, 유전 상수 등에 미치는 영향을 검토하였다. 졸-겔법으로 0.9PMN-0.1PT 세라믹을 제조함에 있어 $Mg(OC_2H5)_2$를 과량 첨가하는 경우 페로브스카이트 상의 생성율을 증가시키는 효과가 나타났다. 0.9PMN-0.1PT 조성에 $Mg(OC_2H5)_2$를 5wt% 과잉 텀가한 시편을 $1,150^{\circ}C$에서 1시간 소결한 경우 페로브 스카이트 단일상을 얻었으며 이 때의 밀도는 이론 밀도의 98%인 것으로 확인되었다. $1.150^{\circ}C$에서 1시간 유지하여 소결한 시편의 유전 상수는 $Mg(OC_2H5)_2$를 5wt% 과잉 첨가한 경우 증가하였으며, 주파수 1 kHz에서 최대 유전 상수는 15,000의 값을 가졌다.
전왜재질 0.9 PMN/0.1PT에 각각 조성비율이 1%, 2%, 3%의 La이 첨가된 3종류의 재질을 광섬유에 부착하여 광섬유 전왜변환기를 제작하였다. 실험결과 La 3% 첨가된 재질의 전왜계수가 3.38kHz에서 3.87*$10^{-16}$(m/V)$^{2}$로 가장 크다는 것을 알 수 있었으며 La을 첨가함으로 해서 이력이 줄어듬을 알 수 있었다. La 3%인 재질로 구현된 광섬유 전계센서의 최소감지전계는 2.08(V/m).root.Hz였으며 가변영역 40dB 이상에 걸쳐서 선형성이 우수하였다.
Multilayered actuators using Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3 (PMN-PIN-PT) crystals have demonstrated excellent properties, but are costly and lack mechanical strength. Textured PMN-PIN-PT ceramics exhibit robust mechanical strength and comparable properties to their single crystals form. However, the development of multilayered actuators using textured PMN-PIN-PT ceramics has not been achieved until now. This study presents the development of a multilayered actuator using textured 0.37PMN-0.29PIN-0.34PT ceramics with an Ag0.9/Pd0.1 inner electrode, co-fired at 950℃. A random 0.37PMN-0.29PIN-0.34PT ceramics multilayered actuator was also developed for comparison. The multilayered actuator consisted of 9 ceramic layers (36 ㎛ thickness) with an overall actuator thickness of 0.401 mm. The textured and random 0.37PMN-0.29PIN-0.34PT ceramics-based multilayered actuators achieved displacements of 0.61 ㎛ (0.15% strain) and 0.23 ㎛ (0.057% strain) at a low applied peak voltage of 100 V. These results suggest that the developed multilayered actuator using high-performance textured 0.37PMN-0.29PIN-0.34PT ceramics has the potential to replace expensive single crystal-based actuators cost-effectively.
The dielectric and electrical properties of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3-BaTiO_3$ have been investigated. Perovskite crystalline phase of the specimens is confimed by XRD. The curie temperature decrease with increasing $BaTiO_3$ and hysteresis phenomena decrease with increasement of $BaTiO_3$. The strain vs. applied voltage characteristics exhibit nonlinear relationship and the specimen. of 0.9PMN-0.08PT-0.02BT shows the largest strain.
For the aim of thin microwave absorbers used in mobile telecommunication frequency band, this study proposed a high permittivity dielectrics(λ/4 spacer) coated with ITO thin films of 377 $\Omega$/sq(impedance transformer). High frequency dielectric properties of ferroelectric ceramics, electrical properties of ITO thin films and microwave absorbing properties of ITO/dielectrics were investigated. Ferroelectric materials including $BaTiO_3$(BT), 0.9Pb($Mg_{1}$3/Nb$_{2}$3/)$O_3$-0.1 $PbTiO_3$(PMN-PT), 0.8 Pb (Mg$_{1}$3/$Nb_{2}$3/)$O_3$-0.2 Pb($Zn_{1}$3$_Nb{2}$3/)$O_3$(PMN-PZN) were prepared by ceramic processing for high permittivity dielectrics,. The ferroelectric materials show high dielectric constant and dielectric loss in the microwave frequency range. The microwave absorbance (at 2 ㎓) of BT, 0.9PMN-0.1PT, and 0.8PMN-0.2PZN were found to be 60%(at a thickness of 3.5 mm), 20% (2.5 mm), and 30% (2.5 mm), respectively. By coating the ITO thin films on the ferroelectric substrates with λ/4 thickness, the microwave absorbance is greatly improved. Particularly, when the surface resistance of ITO films is closed of 377 $\Omega$/sq, the reflection loss is reduced to -20 ㏈(99% absorbance). This is attributed to the wave impedance matching controlled by ITO thin films at a given thickness of high permittivity dielectrics of λ/4 (3.5 mm for BT, 2.5 mm for PMN-PT and PMN-PZN at 2 ㎓). It is, therefore, successfully proposed that the ITO/ferroelectric materials with controlled surface resistance and high dielectric constant can be useful as a thin microwave absorbers in mobile telecommunication frequency band.
The dielectric and polarizable properties of $0.9Pb_{1-x}La_x({Mg}_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.1PbTiO_3$ (x=0,1,2,3,4,5) have been investigated. The temperature-dependant electrostictive characteristics of 0.9PMN-0.1PT relaxor ferroelectric system were improved by enhencing the extent of the diffuse phase transition(DPT). This was achieved using PMN-PTceramics by the partial substitution of La at the Pb site. The curie temperature and the maximum dielectric permittivity decreased by substituting La and the electric field-related hysteresis phenomena decreased with increasing La substitution amount.
In this study, the dielectric properties of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3$ Ceramics have been investigated as a addition of the amount of $MnO_2(0{\leq}x{\leq}0.9wt%)$. The Temperature-dependant dielectric characteristics of 0.9PMN-0.1PT relaxor ferroelectric system were improved by enhencing the extent of the diffuse phase transition(DPT). The maximum dielectric permittivity decreased by substitution $MnO_2$ and the dielectric loss decreased with increasing $MnO_2$ substitution amount. It is expected decreasing in inner heat energy for temperature with increasing $MnO_2$ substitution.
본 연구에서는 $0.125Pb(Mg_{1/2}Nb_{2/3})O_{3}-0.435PbTiO_{3}-0.44PbZrO_{3}$의 조성을 갖는 hard계 압전 재료에 0.5 wt%의 $MnO_{2}$를 첨가하였으며, 이 시편으로 초음파 전동기를 제작하고자, 소결 온도에 따른 시편의 유전 및 압전특성에 대하여 연구하였다. 실험 결과, $1270^{\circ}C$의 소결 온도에서 다음과 같이 가장 우수한 압전특성을 나타냈다. 즉 시편의 밀도는 $7.72\;g/cm^{3}$ 유전상수는 570, 유전손실은 0.82 %f, 잔류분극 Pr은 $19.18{\mu}C/cm^{2}$ 항전계 Ec는 9.63 kW/cm, 전기기계 결합계수 kp는 55.1%, 기계적 품질계수 Qm은 886이 되었다. 또한 $1270^{\circ}C$ 에서 소결된 시편의 유전상수 및 유전손실을 주파수 변화와 온도 변화에 따라 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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