• 공업화학
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• 제2권3호
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• pp.289-299
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• 1991

후막 구리도체에 적합한 유리를 얻기 위하여 연붕규산계 및 무연 붕규산계 유리를 기반으로 하는 9종의 유리를 제조하고 후막 구리도체에의 적합성을 시험하였다. 그 결과 모든 유리들이 후막 구리도체의 쉬트 저항치, 납땜성 및 땜납 침식저항에는 양호하게 기여하는 것을 확인하였다. 그러나 후막과 알루미나 기판간의 노화후의 부착강도는 연붕규산계 유리로 만들어진 구리 도체막 만이 유용한 값을 가졌고, 그 외의 유리로 만들어진 구리 도체막의 노화후 부착강도는 사용하기에 부적합할 정도로 낮은 것이었다. 특히 $Cu_2O$ 가 첨가된 연붕규산계 유리가 후막 구리도체 제조에 가장 양호한 것으로 확인되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.110-110
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• 2009

Aerosol deposition method(ADM)는 상온에서 에어로졸화된 고상의 원료분말을 노즐을 통해 분사시켜 소결과정을 거치지 않고도 상온에서 고밀도 후막을 제조할 수 있는 공정으로서, 다양한 재료의 코팅이 가능하고, 코팅층의 조성 및 화학 양론비의 제어가 용이한 특징을 갖는다. 본 연구에서는 ADM을 이용하여 큰 유전상수, 압전계수, 초전계수, 탄성계수를 갖는 $BaTiO_3$ 분말을 원료로 하여 압전소자, 커패시터, 고전압용 유전체 등에 응용이 가능한 세라믹 층 형성에 관한 연구를 진행하였다. 또한 $BaTiO_3$ 같은 강유전체 세라믹을 이용하여 여러 가지 소자를 제조하는 경우 소자의 미세조직에 따라 물성이 영향을 받는 것으로 확인되어져 있다. 이에 본 연구에서는 세라믹 분말보다 상대적으로 탄성이 큰 polymer 분말을 첨가하여 후막 내부의 결정립의 크기가 20 nm 의 평균 결정립을 갖는 세라믹 후막에 비해 최대 10 배 정도까지 증가하는 것을 확인할 수 있었으며, 이에 따라 후막에서의 유전율 및 유전손실율의 전기적 특성 변화를 확인할 수 있었고, 이러한 물성변화에 대한 원인 고찰을 위하여 후막의 미세구조 및 화학조성 등에 대한 다양한 분석이 이루어 졌으며, 상온에서 성막되는 후막의 세라믹 층의 응용을 위한 최적의 공정조건을 제시하고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1360-1362
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• 2001

본 논문에서는 다이어프램을 세라믹을 사용하여 2차 변환 소자로 금속 스트레인 게이지 대신에 thick film piezoresistor를 이용한 후막 압력센서에 관한 연구이다. 다이어프램의 미소 변형을 후막의 비저항 변화로 검출하는 압저항 효과를 이용하는 방식이다. 종래의 압력센서와 비교하여 크리프 현상이 적고, 안정성이 우수한 특징을 갖고 있다. 또한 저항선이나 박 게이지의 게이지율이 3$\sim$5 인 것이 비하면 후막저항을 사용한 경우, 약 15$\sim$20정도의 높은 게이지율을 얻을 수 있어서 측정범위를 넓게 할 수 있으며, 후막공정의 스크린 프린팅을 통한 자동화는 수율의 향상과 저 가격화를 실현할 수 있다. 또, 후막 저항형 압력센서는 두 개의 저항이 다이어프램의 중앙 부근에 위치하며, 나머지 두 개의 저항은 가장자리에 위치시킴으로써 미소 변형에서도 저항값의 변화를 읽을 수 있도록 하였고, 휘스톤 브리지의 연결 도체부는 Pt를 주성분으로 하는 conductive paste(DHC7085)를 사용하였다. 이렇게 설계.제작된 압력 센서를 지지대에 고정시킨 후 캡슐에 넣고 감도, 선형성, 히스테리시스 그리고 온도특성 등을 고찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.37-37
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• 2008

에어로졸데포지션법을 이용하여 집적화 기판을 위한 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막을 상온에서 구리 기판 위 에 제조하였다. XRD, FT-IR 분석을 통해 코팅된 막은 $Al_2O_3$와 PMMA의 혼합물로 존재함을 확인하였으며 성막 중 $Al_2O_3$. PMMA의 상호작용과 PMMA 파우더의 거동에 대한 분석을 통해 $Al_2O_3$-PMMA 복할체 후막의 성막 양상을 확인할 수 있었다. 또한 기판 거칠기에 따라 초기 계면의 양상이 달라질 수 있음을 확인하였고 이러한 초기 계면의 상태가 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 제조에 있어 매우 중요함을 알 수 있었다. 본 연구에서는 에어로졸데포지션법을 이용한 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 성막 양상을 통해 세라믹-폴리머 복합체의 제조에 있어서의 주요 변수들을 알아보고 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 전기적인 특성을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.235-240
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• 2003

대면적 GaN 기판재료의 개발은 GaN 계열의 응용 가능성을 확대하기 위한 중요한 과제중 하나이다. 이러한 가능성을 조사하고자 본 연구에서는 seed 기판으로 MOCVD-GaN 박막과 소스 물질로서 상업용 GaN 분말을 이용하여 승화법에 의해 GaN 후막 성장을 시도하였다. 일정한 $N_2$ gas와 $NH_3$ gas 유량으로 성장실의 압력을 대기압으로 유지할 때 후막성장에 대한 승화소스물질과 seed 기판 사이의 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도, 성장시간 등의 영향들을 연구하였다. 성장된 GaN후막은 SEM 및 XRD등을 이용하여 후막성장 형태 및 구조를 관찰하였고 상온에서 PL특성측정을 통하여 후막의 광학적인 밴드갭 및 결함 등을 조사하였다. 이로부터 양호한 GaN 후막성장에 필요한 공정요소로서 소스와 seed 기판 간 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도 및 성장시간 등의 조건들을 정할 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.23-29
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• 1996

본 연구에서는 스크린 프린팅 기술을 이용한 병렬저항열원을 갖는 후막형 가연성 가스센서를 제조하고, 메탄 가스에 대한 감도특성을 조사하였다. 알루미나 기판의 양면 위에 제조된 병렬형 백금 후막발열체는 후막형백금 저항체의 온도 감지 특성과 표면 특성을 조사하여 백금페이스트 TR7905 제품을 선정하였다. 제조된 백금 후막 발열체는 평균저항같이 $1.8{\Omega}$이고, TCR값은 $3685\;ppm/^{\circ}C$이었다. 제조된 백금 발열체상에 Pt과 Pd이 첨가된 촉매 페이스트를 제조하고 감지부는 Pt과 Pd가 첨가된 촉매를 스크린 프린팅하여 후막을 형성하고 열처리하여 제조하였다. 제조된 후막형 센서는 메탄 가스에 대해 4.3mV/1000ppm의 감도를 보였으며, 소비전력은 2.12W이었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권10호
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• pp.948-952
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• 2001

스크린 인쇄법으로 알루미나 기판 위에 PZT 후막을 제조하였으며, 공기 또는 Pb 분위기의 $750{\sim}1050^{\circ}C$에서 1시간 동안 소결하여 소결 조건이 후막의 물성에 미치는 영향을 조사하였다. 공기 중에서 $950^{\circ}C$ 이상의 온도로 소결한 PZT 후막에는 파이로클로 상이 제 2상으로 존재하고 있었으며, Pb분위기에서 소결한 PZT 후막이 공기 중에서 소결한 후막보다 치밀한 미세구조와 큰 유전상수 그리고 잘 발달된 P-E 이력특성을 보였다. $900^{\circ}C$의 Pb 분위기에서 소결한 PZT 후막은 잘 포화된 전형적인 강유전 P-E 이력곡선 모양을 보였으며, 잔류분극과 항전계가 각각 $29.8{\mu}C/cm^2$, 48.4 kV/cm이었다.

• Journal of Ginseng Research
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• 제27권4호
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• pp.195-201
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• 2003

인삼 뿌리썩음병균 Cylindrocarpon destructans의 후막포자형태에 대해서 광학현미경 및 전자현미경을 사용하여 조사하였다. 전형적인 C. destructans의 후막포자는 균사로부터 형성되었으나 분생포자에서는 생성되지 않았다. 그러나 pH 4로 조절된 Czapek Dox broth에서 2$0^{\circ}C$, 12일간 배양하였을 때는 소형분생포자가 미성숙한 후막포자 유사세포로 변형되었다. 후막포자는 potato dextrose agar 및 V-8 Juice agar 그리고 질소원이 결제된 Czapek Dox broth배지에서 2$0^{\circ}C$, 16∼20일 배양으로 생성되었고, 생성된 후막포자는 황갈색 혹은 적갈색을 띄었으며 균사의 중간이나 말단 부위에서 한 개 혹은 사슬형태로 존재하였다. 후막포자는 직경이 11.3∼11.9 $\mu\textrm{m}$이었으며 외부에 1.5∼1.8 $\mu\textrm{m}$ 길이의 혹 같은 돌기가 여러 개 형성되어 표면이 울퉁불퉁 하였다.

• 세라미스트
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• 제14권1호
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• pp.22-28
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• 2011

• Journal of Ginseng Research
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• 제25권3호
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• pp.136-140
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• 2001

배양온도 및 배지의 pH가 인삼 뿌리썩음병균 Cylindrocarpon destructans 후막포자의 발아에 미치는 영향을 배지별로 조사한 결과는 다음과 같다. 배양온도별 후막포자 발아율은 Czap다 solution agar(CSA) 배지가 potato dextrose agar(PDA) 보다 높았다. CSA 배지의 경우에는 배양온도 5~3$0^{\circ}C$에서 후막포자의 발아가 가능하였으며 15~$25^{\circ}C$에서 발아율은 53.2~62.7%로서 발아적정 온도범위로 측정되었다. 후막포자 발아 최적 배양온도는 2$0^{\circ}C$로 발아율은 62.7%이었고, 3$0^{\circ}C$에서는 6.9%의 매우 저조한 발아율을 보였다. PDA배지에서는 5~$25^{\circ}C$에서 후막포자가 발아 가능하였고, 3$0^{\circ}C$에서는 발아가 관찰되지 않았다. 10~2$0^{\circ}C$에서 발아율이 43.6~47.9%로서 발아적정 온도범위로 측정되었다. 후막포자 발아최적 배양온도는 2$0^{\circ}C$로 발아율은 47.9%이었다. C. destructans 후막포자는 CSA 배지의 pH 5.2~8.1 조사범위 전체에서 발아되었으며 발아적정 pH 범위는 pH 6.4~8.1이었다. PDA배지의 경우는 pH 5.2~7.4의 조사범위 전체에서 발아가 확인되었으며 발아적정 pH 범위는 pH 5.2~6.0 이었다. C. destructans 후막포자를 21일간 배양한 후 생성된 균총의 색상을 배지 pH별로 조사한 결과, CSA 배지의 경우 pH 5.2~6.0 범위에서 연한 갈색, pH 6.4~8.1 에서 백색의 균총을 형성한 반면, PDA 배지에서는 pH 5.2~7.1에서 C. destructans의 전형적인 암갈색 균총을 형성하였고 pH 7.2에서는 갈색균총을 형성하였다.