• 센서학회지
• /
• 제5권1호
• /
• pp.23-29
• /
• 1996

본 연구에서는 스크린 프린팅 기술을 이용한 병렬저항열원을 갖는 후막형 가연성 가스센서를 제조하고, 메탄 가스에 대한 감도특성을 조사하였다. 알루미나 기판의 양면 위에 제조된 병렬형 백금 후막발열체는 후막형백금 저항체의 온도 감지 특성과 표면 특성을 조사하여 백금페이스트 TR7905 제품을 선정하였다. 제조된 백금 후막 발열체는 평균저항같이 $1.8{\Omega}$이고, TCR값은 $3685\;ppm/^{\circ}C$이었다. 제조된 백금 발열체상에 Pt과 Pd이 첨가된 촉매 페이스트를 제조하고 감지부는 Pt과 Pd가 첨가된 촉매를 스크린 프린팅하여 후막을 형성하고 열처리하여 제조하였다. 제조된 후막형 센서는 메탄 가스에 대해 4.3mV/1000ppm의 감도를 보였으며, 소비전력은 2.12W이었다.

• 센서학회지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.274-279
• /
• 1997

$WO_{3}$ 모물질로 하여 NOx 검지센서를 제조하여 전기적 특성과 가스감지특성을 알아 보았다. $SnO_{2}$와 $TiO_{2}$를 포함한 $WO_{3}$ 후막은 동작온도 $400^{\circ}C$에서 순수한 $WO_{3}$ 후막보다 NOx가스에 대한 뛰어난 감도와 가스 흡탈착 특성을 보였다. $TiO_{2}-WO_{3}$ 후막에 Ru와 Au와 같은 귀금속 촉매를 특별히 첨가하여 제작된 센서에서는 NOx 가스에 대한 감도, 회복 속도 및 선택도 등을 더욱 개선되었다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제36권3호
• /
• pp.237-243
• /
• 1999

스크린 프린팅법을 이용하여 NOX 감지용 WO3 후막형 가스센서를 제조하였다. 본 실험에서는 감지막의 소성 온도에따른 감도변화 및 Ru을 첨가함으로써 감도의 증진을 중점적으로 조사하였다. 또한 NO2 50 ppm하에서 CO, H2, CH4 그리고 i-C4H10등의 가스에 대하여 cross sensitivity를 조사하였다. WO3 가스센서는 소성온도 50$0^{\circ}C$, 작동온도 30$0^{\circ}C$에서 최대감도를 얻었다. 순수한 WO3에 Ru(0.004 wt%)을 첨가시 NO2 및 NO 가스에 대한 감도가 크게 증진되었다. 그러나 순수한 WO3 센서는 Ru(0.004 wt%)이 첨가된 WO3 센서보다 더 우수한 cross sensitivity를 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제8권7호
• /
• pp.1436-1441
• /
• 2004

산화물 반도체의 비정상적 전류-전압 특성을 조사하였고, 그 전류-전압 특성을 산화물 반도체 가스센서에 적용하여 히터없이 감지막의 자기발열 메커니즘에 의해 환원성 가스를 검지하는 새로운 방법을 제시하였다. 평면 구조의 후막 가스센서는 WO3가 도핑된 SnO2 산화물 반도체를 이용하여 스크린 프린팅 방법으로 제조하였다. 감지막에 공급된 전압은 감지막의 발열을 초래하고 이 센서에 가스가 노출될 경우, 가스 감지막 표면의 재 반응에 의하여 전류는 급격히 변화하고 이로써 가스를 검지 할 수 있게 되었다. 이 가스 검지 구조의 가장 특이하고 매력적인 면은 검지를 위해 모든 산화물 반도체 가스센서가 가지고 있어야 하는 히터가 필요 없다는 것이다. 이 새로운 감지 방법을 C2H5OH 가스검지에 적용시켜 보았다.

• 센서학회지
• /
• 제5권2호
• /
• pp.21-27
• /
• 1996

부탄가스 감지를 위해 $WO_{3}$를 기본물질로 하고 산화물을 첨가제로 한 후막형 가스감지 소자를 스크린 프린팅법으로 제조하였고 가스에 대한 감도특성 등을 조사하였다. 첨가 산화물중 $TiO_{2}$를 첨가한 $WO_{3}$ 후막의 부탄가스에 대한 감도가 다른 첨가물을 적용한 후막의 감도보다 상대적으로 높음을 알 수 있었고, $TiO_{2}$의 첨가량이 2wt.%일 때 가장 높은 감도를 나타냄을 알 수 있었다. 열처리 온도를 $900^{\circ}C$까지 변화시켜 보았는데 $650^{\circ}C$일 때 가장 좋은 감도를 나타냈으며, 동작온도를 $400^{\circ}C$까지 변화시켰을 때 $350^{\circ}C$에서 가장 좋은 감도를 가짐을 알 수 있었다. $WO_{3}$에 $TiO_{2}$를 2wt.% 첨가하고, $650^{\circ}C$에서 열처리한 후막의 동작온도 $350^{\circ}C$에서 공기중 20000ppm의 부탄가스에 대해 80%의 감도를 나타내었다.

• 센서학회지
• /
• 제6권6호
• /
• pp.445-450
• /
• 1997

후막형 암모니아 가스센서를 제조하여 가스 감지특성을 조사하였다. 저농도의 암모니아 가스에 감도가 우수한 산화물 반도체 감지물질은 $FeO_{x}-WO_{3}-SnO_{2}$ 이었으며 100 ppm 이하의 암모니아 가스에 노출될 때 감지막의 저항이 증가하는 특이한 경향을 나타내었다. 반면 암모니아 외의 일반적인 환원성 가스에 노출될 때는 저항이 감소하는 경향을 보였다. 이러한 암모니아 가스 감지소자와 감지물질이 Pt-doped $WO_{3}-SnO_{2}$ 로 구성된 보상소자를 결합하여 센서어레이를 제조하였으며 그 특성을 조사하였다. 보상소자는 암모니아 가스와 일반적인 환원성 가스모두에 의해 저항이 감소하는 경향이 있다. 센서 어레이는 감지소자와 보상소자를 하나의 기판위에 형성하여 제조되었으며 우수한 선택성을 얻을 수 있었다. 이러한 개념의 센서어레이를 이용하면 가스센서의 선택성 향상을 기할 수 있음을 확인할 수 있었다.

• 센서학회지
• /
• 제8권6호
• /
• pp.454-460
• /
• 1999

스크린 프린팅 법으로 알루미나 기판 위에 $LaCoO_3$ 후막을 형성하여 열처리 온도에 따른 $C_4H_{10}$, $NH_3$, $NO$ 및 CO 가스에 대한 감도를 조사하였다. X-선 분석과 SEM 사진을 통해 $LaCoO_3$ 후막의 구조적 특성을 관찰하였다. 제조한 센서는 $C_4H_{10}$, $NH_3$ NO 가스에 대한 감도보다 CO 가스에 대한 감도가 우수하였다. 후막의 최적 열처리온도와 동작온도는 각각 $800^{\circ}C$ 및 $150^{\circ}C$였다. CO 가스 500ppm과 1250ppm에 대한 감도는 각각 72%와 95%였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2001년도 추계 학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.190-190
• /
• 2001

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1994년도 춘계 학술발표 강연 및 논문 개요집
• /
• pp.84-85
• /
• 1994

• 센서학회지
• /
• 제6권6호
• /
• pp.451-457
• /
• 1997

산화물 반도체를 이용한 후막형 가스센서의 이산화질소에 대한 감지특성을 조사하였다. 기본 감지물질로는 $WO_{3}$, $SnO_{2}$, ZnO를 사용하였고, 여기에 다른 산화물 반도체를 소량 첨가하여 이산화질소에 대한 감지특성을 실험하였다. 동작온도에 따른 후막센서의 감지특성에서 감도, 회복특성을 고려할 때, $WO_{3}$와 $SnO_{2}$계 감지물질은 $300^{\circ}C$, ZnO계 감지물질은 $220{\sim}260^{\circ}C$ 정도의 동작온도에서 최적의 감지특성을 보였다. 그러나, ZnO계 감지물질은 큰 센서저항으로 인해 안정한 신호를 얻을 수 없었다. 오존, 암모니아, 에탄올, 메탄, 일산화탄소/프로판 혼합가스에 대한 선택성 실험에서 $WO_{3}$-ZnO(3 wt.%)와 $SnO_{2}-WO_{3}$(3 wt.%) 후막센서가 가장 우수한 이산화질소 감지특성을 보였다. 또한, 이들 후막센서들은 반복실험 및 농도의존성 실험을 통해서도 우수한 신호재현성을 보였으며 특히, 1 ppm 이하의 이산화질소를 검지, 정량화 할 수 있음을 보여 주었다.