인도에서 열린 Asia ESCO Conference 2010. 태국, 중국에 이어 3회째를 맞이한 이번 컨퍼런스에서는 총 9개의 세션으로 나눠 아시아 ESCO 시장의 정책과 현황에 관한 정보를 공유하고, 온실가스 감축을 위한 에너지절감사업의 활성화 전략을 도모하는 뜻깊은 정보 교류의 장이 마련되었다.
합성한 Diglycidyl ether of 4,4'-dihydroxy-α-methylstilbene (DGE-DHMS)에 1-Methyl Imidazole을 2:1의 비율로 첨가하여 새로운 액정 에폭시 올리고머인 DDA를 합성하여 열안정성을 평가하였다. TGA분석을 통해 얻어진 결과로 볼 때 액정상과 isotropic상에서 열안정성의 차이는 관찰되지 않았고, Flynn-Wall-Ozawa method와 Kissinger method를 이용하여 계산한 열분해 활성화 에너지값의 비교 결과 열분해가 진행되는 동안 일정한 메커니즘이 작용함을 확인할 수 있었다.
방염제인 인산암모늄에 질산칼륨을 첨가하여 질산칼륨이 인산암모늄의 방염성능에 미치는 영향을 DSC와 실체현미경으로 분석하였다. 활성화에너지는 키싱거방법을 도입하여 분석하였다. 방염성능 실험으로서 셀룰로스를 연료로 사용하였다. 질산칼륨이 일정량 첨가된 방염제를 사용하는 경우 인산암모늄의 활성화에너지를 높이고 탄화면적을 감소시켜 연소확대를 억제하였다. 방염제인 질산칼륨이 첨가된 인산염을 방염제로 사용하는 경우 질산칼륨의 강한 산화력으로 화염발생 온도를 낮추고 탄화형성을 억제하여 화재진행 속도를 낮추는 것으로 나타났다. 적정량 이하의 질산칼륨이 포함된 방염제의 처리는 연소속도를 높이고 탄화물형성을 감소시킬 수 있음을 제시하였다.
등온 및 비등온 TGA 열분석을 이용하여 TTSP를 이용하여 실험적으로 Shift factor(Acceleration factor) ${\alpha}_T$를 구하고 이로부터 마스터 커브 (master curve)를 도출할 수 있었고, 실험에 사용된 개질된 NR고무재료는 Arrhenius식을 잘 따르는 것이 확인되었으며, 이로부터 TTSP에 의한 촉진시험 결과의 신빙성을 확인할 수 있었다. 한편, 등온 TGA 실험으로부터 얻은 활성화에너지는 37.70 kJ/mol인 반면, 비등온 TGA로부터 Kissinger plot에 의해 얻은 활성화에너지는 166.20 kJ/mol이었는데, 이는 저온과 고온에서 서로 다른 분해기구에 의해 중량 감소가 일어나기 때문인 것으로 생각 되었다.
반도체소자의 고집적, 미세화에 따라 MOSFET 소자에서의 고농도, 미세접합이 요구되고 있다. 이러한 고농도, 미세접합을 형성하기 위하여 기존의 저에너지 이온주입법을 대체 또는 병행할 목적으로 플라즈마 이온주입방법이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 이온주입방법을 이용하여 (100) 실리콘 기판에 보론을 주입후 열처리하여 형성된 p+층의 도펀트의 활성화와 이온주입으로 인한 실리콘 기판의 손상을 고찰하였다. 본 실험에서 (100)실리콘 기판에 도핑할 소스 가스로 BF3을 주입하고, D.C. pulse 플라즈마 도핑시스템을 사용하여 플라즈마 내의 보론이온을 웨이퍼 홀더에 -1~-5kV의 인가된 음전압에 의해 가속시키어 실리콘 웨이퍼에 주입하였다. 주입에너지 -1kV, -3kV, -5kV와 1$\times$1015, 3$\times$1515의 dose로 주입된 실리콘 기판을 급속가열방식(RTP)을 사용하여 $600^{\circ}C$~110$0^{\circ}C$의 온도구간에서 10초와 30초로 열처리하여 도펀트의 활성화와 미세접합을 형성한 후 SIMS, four-point probe, Hall 측정, 그리고 FT-IR을 이용하여 플라즈마 이온주입된 도펀트의 거동과 활성화율을 관찰하였고 FT-IR과 TEM의 분석을 통하여 이온주입으로 인한 실리콘 기판의 손상을 고찰하였다. SIMS, four-point probe, Hall 측정, 그리고 FT-IR의 분석으로 열처리 온도의 증가에 따라 도펀트의 활성화율이 증가하였고, 이온주입 에너지와 dose 그리고 열처리 시간의 증가에 따라서 주입된 도펀트의 활성화는 증가하였다. 그리고 주입에너지와 dose 그리고 열처리 시간의 증가에 따라서 주입된 도펀트의 활성화는 증가하였다. 그리고 주입에너지와 dose를 증가시키면 접합깊이가 증가함을 관찰하였다. 이온주입으로 인한 기판손상의 분석을 광학적 방법인 FT-IR과 미세구조를 분석할 수 있는 TEM을 이용하여 분석하였다. 이온주입으로 인한 dislocation이나 EOR(End Of Range)과 같은 extended defect가 없었고, 이온주입으로 인한 비정질층도 없는 p+층을 얻을수 있었다.
본 논문에서는 그린빌딩의 에너지관리시스템(BEMS)를 이용하여 건물을 구성하는 각 건축설비들의 에너지 사용량을 정확히 측정하고 분석한 데이터를 토대로 운전방법을 개선함으로써 건물 에너지를 효과적으로 운용하여 에너지 손실을 막기 위한 각종 기능 및 활성화 방안을 알아보도록 한다.
600V용 비닐절연전선의 절연체로 사용되는 PVC의 열적 열화 특성을 열중량분석과 가속열화시험을 이용하여 연구하였다. TGA를 이용한 활성화에너지는 Kissinger method와 Flynn-Wall-Ozawa method를 이용하여 측정하였다. 활성화에너지를 계산한 결과 600V용 PVC 절연전선은 89.29 kJ/mol~111.39 kJ/mol, 내열 PVC절연전선은 97.80 kJ/mol~119.25 kJ/mol로 나타났다. 또한, 저온인 80, 90, 10$0^{\circ}C$에서 장기가속열화를 통한 활성화에너지를 아레니우스 방정식을 이용하여 계산하였다. 그 결과 PVC 절연전선은 92.16 kJ/mol,내열 PVC절연전선은 97.52kJ/mol로 나타났다. 연구결과에 있어 600V내열 PVC절연 전선이 PVC 절연전선에 비해 활성화에너지가 큼을 알 수 있었으며, 사용 수명을 예측함에 있어서도 장기적으로 안정함을 예측할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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