• 전기의세계
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• v.39 no.10
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• pp.20-27
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• 1990

세계적으로 기술개발과 응용이 가장 치열한 반도체 및 신소재산업의 획기적인 개발에 힘입어 반도체소자가 기본 에너지원인 태양광발전 시스템이 대체에너지원으로 가장 주목을 받고 있다. "제1세대" 태양전지인 결정질규소 태양전지는 가격하락의 한계성에 부닺쳤으며, 이를 극복하기 위한 "제2세대" 태양전지로써 비정질 규소, CdTe 및 CuInSe$_{2}$등 화합물 반도체 태양전지에 연구가 집중되고 있다.체 태양전지에 연구가 집중되고 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.5
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• pp.512-517
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• 1996

본 고는 반도체 재료가 갖는 자기효과를 이용하여 자기센서의 종류 및 특성등에 대하여 서술하였다. 반도체 LSI의 응용분야가 확대됨에 따라서 반도체 센서를 이용한 극소형화, 고성능화, 저가격화, 다기능화등이 가능하게 되었다. 이러한 상황에서 반도체를 이용한 홀 소자나 자기저항 소자와 같은 자기센서 등을 주변회로와 일체화시킨 초소형 시스템에 대한 연구가 활발하다. 특히 화합물 반도체는 자기센서에 적합한 물리적인 특성을 갖고 있기 때문에, 자기센서로 효율을 나타내고 있다. 반도체의 미세가공기술의 발전과 LSI제조기술의 발전을 이용하여 센서의 집적화, 저가격화를 가능하게 하였으며, 다른 종류의 반도체 센서들을 자기센서와 함께 하나의 칩위에 장착할 수 있는 응용집적센서(Application-specific Integrated Sensor)가 더욱 중요한 역할을 할 것이다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.3 no.1
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• pp.86-98
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• 1988

III-V 화합물 반도체에서 불순물에 의한 다층박막조직의 조성 혼합현상과 quantum well heterostructure laser 제조에의 응용기술을 소개하였으며, 지금까지의 조성 혼합기구로 제안된 모델의 타당성에 대해 상세히 논의하였다.

• Science & Technology Policy
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• v.1 no.12 s.12
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• pp.28-31
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• 1991

유망 첨단 기술/제품의 수요 전망 시리즈 본고는 유망 첨단 기술에 관한 기술 수요 및 관련 제품의 시장 수요 전망 자료로서 우리 나라의 기술 수준과 기술 개발 현황을 파악하고, 연구 개발의 타당성을 점검하고자 STEPI가 특정 연구 개발 사업으로 수행한 연구 결과의 일부이다. 앞으로 총 10회에 걸쳐 다음과 같은 테마를 연재할 예정이다. (편집자 주) 1. 화합물 반도체(GaAs) 2. 통합 생산 자동화(CIM) 기술 3. 생명 공학 기술을 이용한 의약품 4. 반도체 제조 장비 5. 레이저 기술 6. 지능형 컴퓨터 7. 중급 항공기 8. 파인 세라믹 소재 9. 신고분자 소재 10. 신금속 소재

• The Magazine of the IEIE
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• v.18 no.12
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• pp.20-28
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• 1991

• 전기의세계
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• v.31 no.8
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• pp.570-577
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• 1982

본고의 내용은 다음과 같다. 1. 태양전지용 반도체재료의 특성 2. 실리콘 3. 비정질 실리콘 4. 화합물반도체

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.428-432
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• 2017

Silicon 기반 Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)의 크기가 감소함에 따라 silicon자체의 물성적 한계가 나타나고 있다. 이를 극복하고자 III-V 화합물 반도체가 채널소자로서 각광받고 있다. 본 연구에서는 III-V 화합물반도체 중 $In_xGa_{1-x}As$는 Indium 조성에 따른 전자구조 및 n-type MOSFET의 소자 특성을 본다. Indium의 조성이 증가함에 따라 subband의 개수와 간격이 증가하게 되어 Density of state가 감소하게 된다. 이로 인하여 Indium의 조성이 증가함에 따라 $In_xGa_{1-x}As$ 채널 MOSFET에서 상대적으로 Fermi level을 더 많이 상승시키게 되어 potential barrier를 얇아지게 만들며 또한 에너지에 따른 전류 밀도를 넓게 분포하도록 만든다. 이로 인하여 단채널에서는 In 조성이 증가함에 따라 direct source-to-drain tunnelling current이 증가하게 된다. 이로 인하여 In 조성의 증가에 따라 subthreshold swing과 ON-state current가 저하된다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.17 no.5
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• pp.30-36
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• 2004

현대 사회는 지식 정보화를 추구하며 변화하고 있다. 지식, 정보화 사회는 개인, 기업 및 사회 모든 주체의 업무효과의 극대화할 수 있는 인프라를 제공하게 될 것이며 이는 영상, 음성, 데이터 등의 다양한 정보의 교환으로 이어져 인간생활의 새로운 혁신을 예고하고 있다. 한편 지식 정보화에는 고도의 정보 저장 및 통신기술이 필수적으로 요구되며 기존의 실리콘기반 소자의 고성능화 이외에 새로운 기술혁신을 요구하고 있다. 1980년대 이후 광통신에 레이저가 응용되고 1990년대 후반에 이르러 수십 나노미터 크기의 양자우물 구조의 화합물 반도체기반의 녹색 및 청색 LD, LED 및 백색 광 다이오드가 구현되면서 화합물 반도체는 정보 통신에 적합한 소재로 인식되기 시작하였다. 기존 실리콘과 다른 물리적 화학적 성질로 인하여 적극적인 연구와 기술적인 시도가 이루어지고 있다. 1900년대 실리콘기반 전자 소자 기술이 비약적으로 발전하면서 새로운 혁신을 보여주었고 그 포화된 기술에 뒤를 이어 화합물 반도체에 의한 기술의 혁신이 예고 되고 있는 것이다.(중략)

• Journal of Welding and Joining
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• v.15 no.5
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• pp.21-24
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• 1997

화학증착법은 고융점의 경질재료, 고온재료, 고순도와 완벽한 결정성을 필요로 하는 반도체, 초전도체 및 투명전도체 등의 전자재료의 제조와 신소재 개발 등에 이용되고 있다. 그러나 1000.deg.C 부근의 고온에서 증착반응이 이루어짐으로 그 응용범위가 제한되어 있다. 이러한 제한점을 해결하기 위하여 증착온도를 낮추기 위한 방법으로 비교적 저온에서 분해가 가능한 금속유기 화합물을 반응물로 사용하여 증착반응 온도를 낮출 수가 있으며, 실제로 III-V 또는 II-VI 반도체 제조에는 금속유기 화합물에 의한 화학증착법을 이용하고 있으나, 고가의 금속유기 화합물을 사용하여야 하며 금속유기 화합물의 불안정성, 유독성 때문에 사용에 제한을 받고 있다. 최근에는 플라즈마를 부수에너지원으로 공급하여 줌으로써 증착반응의 온도를 더욱 낮추는 연구가 진행되고 있다.

• Venture DIGEST
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• s.118
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• pp.8-11
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• 2008

국내 반도체 산업이 태동하여 빠르게 발전하던 1990년대, 차세대 반도체 제조용 박막 증착 화합물인 ALD/CVD Precursor 분야는 전적으로 수입에 의존하고 있는 실정이었다. 이 같은 국내 반도체 시장의 한계를 오히려 도전 기회로 삼아 기술개발에 힘쓴 결과, 독자적인 기술로 탄탄한 성장거점을 마련한 유피 케미칼을 만나본다.