• Title/Summary/Keyword: 혼합챔버

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Estimation of Secondary Flow Pressure of an Annular-Injection-Type Supersonic Ejector Using Fabri Choking (패브리 초킹을 이용한 환형분사 초음속 이젝터의 부유동 압력 예측)

  • Kim Sehoon;Kwon Sejin
    • Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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    • v.9 no.1
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    • pp.61-66
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    • 2005
  • A theoretical analysis is developed for an annular-injection-type supersonic ejector having a second-throat downstream the ejector under the assumption that the Fabri choking is placed in mixing chamber. Non mixing theory is applied to formulate secondary flow pressure in the region between inlet of the mixing chamber and Fabri choking. To describe the shock standing at the inlet of the mixing chamber, two dimensional oblique shock relations are used and it is assumed that the shock affects only primary flow at Fabri choking plane. Physical constraint, which is that primary flow pressure and secondary flow pressure are same at Fabri choking plane, is added. In conclusion, it agrees well with experiments in case of small contracting angle of mixing chamber, under 4degrees.

Estimation of Secondary Flow Pressure of an Annular Injection Type Supersonic Ejector Using Fabri-Choking (패브리-초킹을 이용한 환형분사 초음속 이젝터 부유동 압력 예측)

  • Kim Sehoon;Jin Jungkun;Kwon Sejin
    • Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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    • v.y2005m4
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    • pp.405-408
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    • 2005
  • A theoretical analysis is developed for an annular injection type supersonic ejector having a second-throat downstream under the assumption that the Fabri-chocking is placed in mixing chamber. Non-mixing theory is applied to formulate secondary flow pressure in the region between inlet of the mixing chamber and Fabri-chocking. To describe the shock standing at the inlet of the mixing chamber, two dimensional oblique shock relations are used and it is assumed that the shock affects only primary flow at Fabri-chocking plane. In conclusion, it agrees well with experiments in case of small contracting angle of mixing chamber, under 4degrees.

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Experimental Investigation on the Vortical Flows in a Single-Entry Swirl Mixing Chamber (단일공급 스월 혼합챔버 내의 와류유동에 대한 실험적 연구)

  • Kim, Hyung-Min;Yoon, Woong-Sup
    • Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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    • 2011.11a
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    • pp.445-450
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    • 2011
  • Swirling flows inside a swirl mixing chamber are investigated for simple configuration where swirl is produced by a tangential entry type swirl generator. The flow downstream of the swirl generator has been quantified by measurements two velocity components and their corresponding mean values along axial and radial direction using Particle Image Velocimetry(PIV). The mass flow rate of the tangential entry is increased in order to study their effect on the flow field. From the measurement profile of velocity and vorticity, flow mixing characteristics in a swirl mixing chamber are evaluated.

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개방계 측정시스템을 이용한 토마토 호흡속도의 자동측정

  • Lee, Hyun-Dong;Yoon, Hong-Sun;Lee, Won-Ok;Jung, Hoon;Cho, Kwang-Hwan
    • Proceedings of the Korean Society of Postharvest Science and Technology of Agricultural Products Conference
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    • 2003.04a
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    • pp.141-141
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    • 2003
  • 신선농산물의 호홉속도를 측정하는 방법 중 하나인 개방계(open system) 호흡속도 측정시스템은 소정의 농도로 조정된 혼합기체를 측정대상시료에 흘려 보내며 측정하는 방법이다. 개방계 측정법의 장점은 혼합 기체조성 영역에서 정확한 호흡속도를 얻을 수 있으며 방치시간이 필요 없으므로 반복 측정이 용이한 것 등이다. 그러나 개방계 측정법은 공급되는 혼합기체의 농도와 유속이 일정하여야 하며 연속으로 호흡속도 측정용 챔버의 혼합기체 공급측과 배기측에서 기체시료를 수집하여 매우 미세한 기체농도의 차이를 측정할 수 있어야 하고 기체 시료 수집에 상당한 주의가 요구된다. 이러한 문제를 개선하기 위하여 개방계 호흡속도 측정 시스템을 자동화하였다. 자동화된 호흡속도 측정 시스템은 혼합기체 발생장치, 온도조절이 가능한 기체기밀용 챔버와 G.C로 구성되어 있다. 환경기체조성을 위한 혼합기체발생장치는 $N_2$, $O_2$, $CO_2$ 압축 실린더에서 공급되는 기체를 압력 조절기를 통해서 일차압력을 조정하고 정밀 압력 조절기를 이용하여 0.1~0.2 kg/$\textrm{cm}^2$의 정압을 유지시켰다. 압력이 일정해진 기체는 metering valve를 이용하여 각 기체의 유량을 소정의 비율로 제어할 수 있도록 하였으며 각각의 기체는 gas mixed cell에서 실험 농도의 환경기체조성으로 혼합되어 항온기내의 호흡속도 측정 챔버($25^{\circ}C$)로 공급될 수 있도록 하였다. 호흡속도 측정용 챔버는 개스킷이 장착된 아크릴 재질이며 온도 조절이 가능한 항온기로 구성되어 있다. 호흡속도 측정용 챔버와 G.C간의 기체흐름은 three way solenoid valve에 의하여 제어되며 전원의 on/off에 따라 공급측의 가스와 배기측의 가스가 선택적으로 G.C에 공급될 수 있도록 구성하였다. 측정 대상 챔버의 기체는 제어된 유로를 따라 multi-position valve를 통과하여 G.C에서 분석되도록 하였다. 본 연구에서 개발된 개방계 호흡속도 자동 측정 시스템의 성능 실험에서 혼합기체발생장치에서 조제된 혼합 기체의 농도를 설정치와 비교한 결과 $O_2$$CO_2$의 농도에서 평균오차 0.2%로 정밀한 것으로 나타났으며 호흡속도 측정용 챔버의 혼합기체 공급측과 배기측의 가스 농도를 3회 반복 측정한 결과 재현성에서는 0.1%이하의 편차로 나타났다. 개방계 호흡속도 자동 측정 시스템을 이용하여 환경기체조성하에서 토마토의 호흡속도를 측정하는 실측 실험을 수행한 결과 2$0^{\circ}C$에서 12.7~42.1mg$CO_2$/kg.hr였으며 12$^{\circ}C$에서 2.5~8.2mg$CO_2$/kg.hr로 일반적으로 보고되고 있는 토마토 호흡속도와 일치하는 결과를 나타내었다.

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Numerical Analysis and Demonstration Test on the Performance of a Static Mixer for mixing Biogas and Town Gas for the 5MW Biogas Turbine (5MW 바이오가스 터빈의 바이오가스와 도시가스 혼합용 정적 혼합기의 성능에 관한 수치해석 및 실증 연구)

  • Cha, Hyoseok;Song, Soonho;Park, Jong Yeon;Kim, Young Il;Mun, Sung Young
    • Journal of Energy Engineering
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    • v.24 no.1
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    • pp.51-57
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    • 2015
  • The purpose of this study is to verify the performance of a static mixer for mixing of biogas and town gas by numerical analysis and demonstration test. The reason for designing a static mixer is that there is a need to mix town gas with biogas when there is less production of biogas in biogas sites. Non-uniformity in the outlet section was calculated for investigating the performance of a static mixer. Non-uniformity was based on the mole fraction of methane in a mixture of biogas and town gas. Low non-uniformity means that biogas and town gas are mixed well through this static mixer. Also, pressure drop at the outlet section of a static mixer was calculated. The pressure drop is less than 0.2% in this static mixer. This static mixer is suitable for applying to a 5MW bio-gas turbine through the demonstration test in the field.

Studies on reactive ion etching of GaN using BCl$_{3}$ (BCl$_{3}$를 이용한 GaN계 질화합물 반도체의 RIE에 관한연구)

  • 윤관기;최용석;이일형;유순재;이진구;김송강
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.06a
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    • pp.409-412
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    • 1998
  • BCl/sub 3/ 및 Cl/sub 2/ 반응가스를 사용하여 RIE 장치로 GaN의 건식식각을 연구하였다. RF 전력, 반응가스의 유량 및 반응가스의 혼합비 등의 변화에 따른 최적의 식각공정 조건 및 결합특성을 연구하였다. RF 전력에 따른 GaN의 식각율은 챔버압력 25mTorr, BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전력이 100W일때 17nm/min을 얻었다. BCl/sub 3/의 유량에 따른 식각율은 RF 전력 100W 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5sccm의 조건에서 BCl/sub 3/ 유량이 40 sccm일때 65nm/min을 얻었다. Cl/sub 2//BCl/sub 3/ 혼합가스 비율에 따른 식각율은 Cl/sub 2/ 유량을 5sccm으로 고정하고 BCl/sub 3/ 유량을 변화시켰을때 RF 전력 100W 및 챔버압력 20mTorr의 조건에서 혼합비가 0.25일때 50nm/min을 얻었다. RF 전력에 따른 PR의 식각율은 챔버압력 25mTorr, Cl/sub 2/ 유량 0 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전려이 100W일때 15nm/min을 얻었다. 또한, 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 20sccm의 조건에서 RF 전력이 100W 일때 82nm/min을 얻었다.

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Uniformity Control by Using Helium Gas in the Large Area Ferrite Side Type Inductively Coupled Plasma

  • Han, Deok-Seon;Bang, Jin-Yeong;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.517-517
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    • 2012
  • 높은 전력 효율과 간단한 매칭 네트워크의 구조 등 많은 장점을 갖고 있는 직경 560 mm 페라이트 챔버가 대면적 웨이퍼에 대응하기 위해 개발 되었다. 플라즈마 소스원이 챔버 외곽에 위치해 있는 구조적 특성으로 인하여 아르곤 가스 방전 시 플라즈마 밀도 분포는 챔버 중앙부가 낮게 나타나는 볼록한 모양으로 형성 되는데 헬륨 가스를 적절히 혼합할 시에 밀도 분포가 변화가 관찰된다. 헬륨 가스 혼합 비에 따라 플라즈마 밀도 분포는 균일도가 매우 높아 질 수 있으며 60% 이상의 혼합비에서는 중앙 부분의 밀도가 최대치로 역전되는 오목한 밀도 분포가 나타나기도 한다. 이는 헬륨 가스의 대표적인 특징인 가벼운 질량과 높은 이온화 에너지 등에 기인하는데 이러한 특징을 갖는 헬륨 가스를 주입하게 되면 전자의 energy relaxation length가 늘어나게 되며 ambipolar diffusion 계수가 증가하게 된다. 랑뮈어 프로브를 이용하여 측정된 플라즈마 밀도 분포 변화는 앞서 계산 된 energy relaxation length 및 ambipolar diffusion 계수들의 변화로 설명된다.

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고전압 펄스 시스템 '천둥'을 이용한 N2, SF6 및 혼합기체에서의 전기 방전 현상 연구

  • Byeon, Yong-Seong;Song, Gi-Baek;Hong, Yeong-Jun;Han, Yong-Gyu;Eom, Hwan-Seop;Choe, Eun-Ha
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.102-102
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    • 2010
  • 수 Tera Watt급의 가속기 및 펄스파워 시스템은 다수의 스위치를 사용하고 있으며, 이와 같은 가속기 및 시스템의 성능은 기체방전 스위치의 성능에 직접적으로 관련되어 있다. 일반적으로 이와 같은 기체방전, 액체방전 고출력 스위치는 다목적으로 많은 연구와 개발에 응용되고 있다. 예를 들어 천둥 펄스전자빔 발생장치는 12개의 Marx gap 및 3개의 100 kV 펄스충전 전기트리거 gap을 가지고 있다. 기체 방전 또는 액체 방전 펄스 충전 갭 스위치의 음극에 펄스 고전압이 인가되면 이로 인하여 음극에서 전자빔이 발생한다. 내부에는 전자빔이 양극과 충돌하는 순간 양극표면에 플라스마가 형성된다. 이와 같은 플라스마 sheath는 축 방향 이극관 안에서 양극충전 에서 음극으로 팽창하면서 전파하며, 또한 거의 동시에 음극표면에도 플라스마가 형성되어 음극에서 양극으로도 팽창하여 전파하게 된다. 이와 같은 펄스충전 고출력 갭 스위치 안에서 발생되는 방전 플라스마의 특성에 관한 갭 breakdown 과정에 대한 특성연구를 한다. 고출력스위치의 특성 조건으로는 방전전압, 방전시간, jitter 등이 있다. 본 연구에서는 최대전압 600 KV, 최대전류 88 KA, 펄스 폭 60 ns의 특성을 가지는 고전압펄스 시스템 '천둥'을 이용하여 방전 챔버에 고전압 펄스를 인가하고 N2와 SF6 혼합기체 종류와 압력에 따른 방전 현상을 연구하였다. 전극은 구리텅스텐 합금재질의 표준전극을 사용하였고, 전극 간격은 20 mm로 고정하였다. 방전 챔버 압력을 100 torr에서 4 기압까지 변화시켜가며 실험을 진행하였고, N2에 대한 SF6의 혼합비율을 0%~100%까지 변화시키며 실험을 진행하였다. 방전 챔버에는 C-dot probe와 B-dot probe를 설치하여 전압과 전류를 측정하였고, C-dot probe 와 B-dot probe는 각각 Northstar사의 10000:1 고전압 probe와 rogowiski coil을 이용하여 시준 하였다. 실험결과 방전전압은 압력이 증가함에 따라 증가하다가 2 기압 이상에서는 완만히 증가하는 경향을 보였고, SF6 혼합비율은 0~10%까지 급격히 증가하고, 그 이상의 혼합비율에서는 완만히 증가하였다. 방전개시시간은 혼합기체 압력에 따라 증가하며 1기압 이상에서는 급격히 증가 하였다. SF6 혼합비율에 따라서는 1 기압 조건까지는 큰 차이가 없었으나 2 기압부터는 급격히 증가하였다. 안정성을 나타내는 jitter는 SF6 100%일 때 가장 컸으나 혼합기체의 변화에 따른 큰 차이는 없었다.

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CF4/O2 혼합가스 플라즈마 환경에 대한 AAO (Anodic Aluminum oxide) 피막의 오염입자 특성 분석

  • Lee, Seung-Su;Choe, Sin-Ho;O, Eun-Sun;Sin, Jae-Su;Kim, Jin-Tae;Yun, Ju-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.102.1-102.1
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    • 2015
  • 플라즈마를 이용한 건식식각공정은 식각하고자 하는 기판과 더불어 챔버 내부를 구성하고 있는 부품들이 플라즈마에 함께 노출되는 환경이다. 챔버 내부가 장시간 플라즈마에 노출되어 열화 되면 기판의 불량을 야기하는 오염입자의 발생이 증가하므로 양산 공정에서는 그 때마다 내부 부품을 교체하여 청정한 공정 환경을 유지시킨다. 공정 챔버의 내부 부품은 플라즈마로 인한 열화를 방지하기 위하여 내플라즈마성이 우수하다고 알려진 코팅처리를 하여 사용한다. 금까지 플라즈마 식각 공정에 관한 연구는 식각하고자 하는 기판관점에서 활발히 이루어져 왔으나 내플라즈마성 코팅소재 관점에서의 연구 보고는 미미한 실정이다. 본 연구에서는 장시간의 양산공정을 모사하는 가혹한 플라즈마 조건에서 $CF_4/O_2$ 혼합가스를 사용하여 AAO (Anodic Aluminum oxide)피막의 오염입자 특성을 실시간 모니터링 하는 동시에 OES 분석을 수행하여 내플라즈마성 코팅소재의 오염입자 발생 메커니즘에 대하여 분석하였다.

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MICP(Multi-pole Inductively Coupled Plasma)를 이용한 deep contact etch 특성 연구

  • 김종천;구병희;설여송
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2003.05a
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    • pp.12-17
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    • 2003
  • 본 연구에서는 MICP Etching system 을 이용한 Via contact 및 Deep contact hole etch process 특성을 연구하였다. Langmuir probe 를 이용한 MICP source 의 Plasma density & electron temperature 측정하였고 탄소와 플로우르를 포함하는 혼합 Plasma 를 형성하여 RF frequency, wall temperature, chamber gap, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 특성을 조사하였다. Plasma density 는 1000w 에서 $10^{11}$/$cm^3$ 이상의 high density plasma와 uniform plasma 형성을 확인하였고 $CH_{2}F_{2}$와 CO의 적절한 혼합비를 이용하여 Oxide to PR 선택비가 10 이상인 고선택비 조건을 확보하였다. 고선택비 형성에 따라 Polymer 형성이 많이 되었고 이를 개선하기 위하여 반응 챔버의 온도 조절을 통하여 Polymer 증착 방지에 효과적인 것을 확인하였다. MICP source를 이용하여 탄소와 플로우르의 혼합 가스와 식각 챔버의 온도 조절에 의한 선택비 증가를 확보하여 High Aspect Ratio Contact Hole Etch 가능성을 확보하였다.

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