• Title/Summary/Keyword: 혼합원자가

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Crystallographic and Magnetic Properties of a Perovskite La1/3Sr2/3FeO2.96 (페롭스카이트 La1/3Sr2/3FeO2.96의 결정학적 및 자기적 성질에 관한 연구)

  • Yoon, Sung-Hyun
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.15 no.3
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    • pp.167-171
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    • 2005
  • Detailed aspects of the charge disproportionation (CD) transition for a polycrystalline $La_{1/3}Sr_{2/3}FeO_{2.96}$ were studied with the X-ray diffraction, $M\ddot{o}ssbauer$ spectroscopy, and SQUID magnetometer. The crystal structure was found to be rhombohedral with a space group R/3c. The lattice parameters were $a_R=5.4874\;\AA,\;and\;a_R=60.07^{\circ}$, respectively. $M\ddot{o}ssbauer$ spectra were taken within a wide range of temperature from 4.2 K up to room temperature. In the low temperature region, the spectra were comprised of two superimposed sextets which originated from $Fe^{3+}\;and\;Fe^{5+}$, respectively. This was the antiferromagnetic mixed valence state produced by the charges disproportionated into two different species. In the high temperature region, however, only a singlet from $Fe^{3.6+}$ was observed, indicating that it was a paramagnetic averaged valence state. The CD transition occurred in the temperature range from 175 K to 200 K, in which the two phases coexisted. The origin for the CD transition was explained by the thermally generated fast hopping of electrons. Hysteresis loop showed that there existed a strong antiferromagnetic interaction among magnetic ions. As the temperature increased thru the CD transition temperature, it was very likely that the interaction between $Fe^{3+}\;and\;Fe^{5+}$ was replaced by a more stronger one.

Improving the etch properties and selectivity of BLT thin film adding $CH_4$ gas in $Ar/Cl_2$ plasma ($Ar/Cl_2$ plasma에서 $CH_4$ 첨가에 따른 BLT 박막의 식각특성 및 선택비 향상)

  • Kim, Jong-Gyu;Kim, Gwan-Ha;Kim, Kyoung-Tae;Woo, Jong-Chang;Kim, Chang-Il
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.1321-1322
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    • 2007
  • $Ar/Cl_2$, $Ar/CH_4$$Ar/Cl_{2}/CH_{4}$ 유도결합 플라즈마의 가스 혼합비에 따른 BLT 박막의 식각 메커니즘과 선택비, 식각 후 박막 표면의 조성변화를 조사하였다. BLT 박막의 최대식각률은 $Ar/Cl_2$ 플라즈마에서의 Ar 가스 혼합비가 80%일 때 50.8 nm의 값을 보였다. 이 때, 1sccm의 $CH_4$ 첨가를 통하여 선택비와 식각률을 개선할 수 있었다. 박막 표면의 xPS 분석을 통해 BLT 박막 표면의 조성변화는 Cl 원자와의 반응에 의한 화학적 식각 손상이 H 원자와의 반응에 의한 그것보다 크다는 것을 알 수 있었다.

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Formation Mechanism of Cobalt Silicide by Solid Phase Reaction in Co/Ti/Si system (Co/Ti/Si 계에서 고상반응에 의한 Cobalt Silicide 형성기구 고찰)

  • Lee, Seung-Heon;Bae, Jun-Cheol;Sin, Dong-Won;Park, Chan-Gyeong
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.8
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    • pp.808-816
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    • 1996
  • (100) Si 기판위에 전자 빔 증착법을 이용하여$ 90\AA$두께의 Ti과 $120\AA$두께의 Co를 순차적으로 증착시켰다. 그 후 질소분위기하의 $350-900^{\circ}C$온도구간에서 급속열처리함으로써 (100) Si 기판위의 Co/Ti 이중 박막의 실리사이드화 반응이 일어나게 했으며 이를 XRD, AES, TEM을 이용하여 분석하였다. $500^{\circ}C$이하의 온도에서는 Co원자들이 Ti층쪽으로 빠르게 확산하여 Si와 반응하기 이전에 Ti원자들과 상호 혼합되어 어떠한 실리사이드도 형성되지 않았다. $500^{\circ}C$에서 열처리된 시편의 고분해능전자현미경 영상을 통해 Co-Ti 혼합층과 실리콘 기판과의 계면에서 (100)Si 기판과 정합관계를 가지는 CoSi2가 형성되었음을 확인했다. $600^{\circ}C$열처리에 의해 Co-Ti-Sitka성분 실리사이드가 형성되기 시작하였으며, 형성된 삼성분 실리사이드는 Ti의 out-diffusion에 의해 $900^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 불안정하였다. Co/Ti이중 박막에 의해 형성된 CoSi2는 실리콘 기판과 평탄한 계면을 가지며 실리콘 기판에 대해 (100)우선성장방위를 가졌다.

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Improvement of Analytical Method for Determination of Germanium in Plant by Atomic Absorption Spectrometry (원자흡광분광법에 의한 식물체 중의 게르마늄 분석법 개선)

  • Han, Seong-Soo;Rim, Yo-Sup;Kim, Il-Kwang
    • Analytical Science and Technology
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    • v.10 no.3
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    • pp.179-186
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    • 1997
  • This study was carried out to improve the analytical method for determination of germanium in plants by atomic absorption spectrometry with graphite furnace. For the decomposition of plant samples, the mixed acid of $HNO_3+HClO_4+H_2SO_4$(10 : 4 : 1, v/v) was used. Under this condition, time requirement for the decomposition was 4~5 days and recovery rate was more than 98%. Solution for filling up to constant volume after decomposition was 0.1M acetic acid-sodium acetate. Detection limit for determination of germanium was 0.02 ppm by atomic absorption spectrometry with graphite furnace and argon gas. These results were corresponded with the above-mentioned research projects for improving the determination method of germanium in plants.

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고분자/저분자 혼합 발광층을 가진 백색 유기발광 소자의 미세구조, 전기적 및 광학적 특성

  • Park, Seong-Jun;Jeon, Yeong-Pyo;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.503-503
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    • 2013
  • 유기발광소자는 기존의 디스플레이에 비해서 빠른 응답속도, 넓은 시야각과 높은 박막 특성으로 백색 조명 광원으로 많은 주목을 받고 있다. 특히 백색 조명 광원 관련 기술은 친환경 에너지와 관련해 주목을 받고 있어 연구가 활발하게 진행되고 있다. 백색 유기발광소자를 제작하기 위해서 청색과 황색의 발광층을 적층하는 방법은 유기물질의 계면에서의 불균일로 인한 효율 저하와 구동전압에 따른 재결합 구역의 변화로 색안정성이 나빠지는 문제점이 있었다. 본 연구에서는 고효율 및 높은 색안정성을 나타내는 백색 유기발광소자를 제작하기 위해 고분자/저분자 혼합 발광층 구조를 사용하였다. 고분자 poly (2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV)와 polystyrene (PS) 혼합물을 스핀코팅하여 박막을 형성한 후, 열처리에 의한 상분리 현상을 이용하여 선택적으로 PS 물질을 제거한 후, MEH-PPV 적색 다공성 고분자 발광층을 형성하였고, 저분자 2-methyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene을 적색 다공성 고분자 발광층 위에 진공증착하여 고분자/저분자 혼합 발광층 구조를 만들었다. MEH-PPV 적색 다공성 고분자 발광층의 혼합 비율을 변화함에 따른 발광층의 미세구조를 원자힘 현미경으로 관찰하였다. 진공증착 후 완성된 고분자/저분자 혼합 발광층을 가진 백색 유기발광 소자의 전류-전압-휘도 측정 결과, MEH-PPV와 PS의 혼합비율이 최적화 되었을 때 안정적인 백색광이 나오는 것을 관측할 수 있었다.

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고분자 혼합 용액의 열처리에 따른 상분리 현상을 이용한 백색 유기발광 소자의 발광층의 표면 성질 변화

  • Jeon, Yeong-Pyo;Lee, Dae-Uk;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.469-469
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    • 2012
  • 유기발광소자는 빠른 응답속도, 넓은 시야각, 얇은 두께의 특성으로 차세대 디스플레이 소자 기술로 많은 주목을 받고 있다. 백색 조명 광원 관련 기술은 친환경 에너지와 관련하여 연구가 활발하게 진행되고 있다. 청색과 황색의 유기물층을 적층하여 제작한 백색 유기발광소자는 서로 다른 두 유기물질의 계면 불균일로 인한 효율 저하와 형광 여기자의 수명과 유기물의 두께 상관관계에 따라 색안정성이 나빠지는 문제점이 있다. 본 연구에서는 고분자 poly (2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV)와 polystyrene (PS) 혼합물을 스핀코팅 방법을 사용하여 박막을 형성한 후 열처리에 의한 상분리 현상을 이용하여 선택적으로 PS 물질을 제거하여 MEH-PPV 황색 고분자 발광층을 형성하여 황색 고분자 발광층의 표면 성질 변화를 관찰하였다. 고분자 MEH-PPV와 PS의 혼합 비율과 혼합층 두께에 따른 MEH-PPV 황색 고분자 박막의 변화를 원자힘 현미경을 통하여 관찰할 수 있었다. MEH-PPV 황색 고분자 발광층의 표면 특성은 MEH-PPV와 PS 혼합물의 PS 혼합비가 높아지면 표면거칠기가 작아지며, 혼합된 두 고분자 물질의 분자량의 차이에 의한 응집도의 차이로 인하여 MEH-PPV와 PS 혼합물 박막의 두께가 얇아지면 표면거칠기가 커진다. 이 연구 결과는 고분자-저분자 혼합 발광층 구조를 사용하는 백색 유기발광소자의 효율 향상에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

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Etch damage evaluation of $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ thin films using inductively coupled plasma sources (유도결합 플라즈마를 이용한 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 손상)

  • Kim, Jong-Gyu;Kim, Gwan-Ha;Kim, Chang-Il
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1374-1375
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    • 2006
  • Ar/$Cl_2$ 유도결합 플라즈마 (ICP)의 가스 혼합비에 따른 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 메커니즘과 식각면에서의 플라즈마 손상을 조사하였다. BLT 박막의 최대식각률은 Ar/$Cl_2$ 플라즈마에서의 Ar 가스 혼합비가 80%일 때 50.8 nm의 값을 보였다. 정전 탐침을 통해 Ar 가스의 혼합비에 따른 전자온도와 전자밀도를 관측하였다. 박막 표면의 X-ray photoemission spectroscopy 분석과 박막의 이력곡선을 통해 BLT 박막의 식각 손상은 Cl 원자와의 반응에 의한 화학적 식각 손상이 BLT 박막 표면에서의 Ar 이온충돌에 의한 물리적 손상보다 더 크다는 것을 확인 할 수 있었다.

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Numerical Study of DF Chemical Laser Performance with Variations of D2 Injection Angles (중수소 분사각에 따른 불화중수소 화학레이저의 성능향상에 관한 수치적 연구)

  • Park, Jun-Sung;Baek, Seung-Wook
    • Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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    • v.33 no.1
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    • pp.78-84
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    • 2005
  • In the chemical laser system with a radial expansion nozzle array, the laser beam generation is achieved by mixing F atom from supersonic nozzle and $D_{2}$ molecule from holes of round-bended supply line. Based on that the fuel injection angle with main stream has a great influence of performance on supersonic combustor, the effects of $D_{2}$ injection angles with the main F flow on mixing enhancement are numerically investigated. The results are discussed by comparison with three cases of $D_{2}$ injection angles; $10^{o}$, $20^{o}$ and $40^{o}$ with the main flow direction. Major results reveal that as the $D_{2}$ injection angle increases, the maximum small signal gains and the static pressure in the laser cavity become higher. Consequently, the $D_{2}$ injection angle between $20^{o}$ and $40^{o}$ is recommended as an optimized geometric parameter in consideration of both of high gains and low cavity pressure.

Influence of Solvents on Rates of Reactions of 2,4-Dinitro Substituted Halobenzenes with Substituted Anilines (Ⅱ) (2,4-이니트로할로벤젠과 치환된 아닐린의 반응속도에 대한 용매효과 (제2보))

  • Hai Whang Lee;Ikchoon Lee
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.22 no.1
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    • pp.7-11
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    • 1978
  • The reactions of 2,4-dinitroiodobenzene with para subtituted anilines in acetonitrile-methanol binary solvent mixtures have been studied. Rate constants for reactions in methanol rich solvents are greater than for reactions in acetonitrile rich solvents. Kinetic results show that the bond formation step is rate determining in the solvent system studied. The solvent effect can be explained by stabilization of the transition state by formation of hydrogen bond between oxygen atom of methanol and hydrogen atom of aniline.

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