• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.305-305
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• 2011

Type-II 반도체 나노 구조는 그것의 band alignment 특성으로 인해 광학 소자에 다양한 응용성을 가진다. 특히, 대표적인 Type-II 반도체 나노 구조인 InSb/InAs 양자점의 경우, 약 3~5 ${\mu}m$의 mid-infrared 영역의 spectral range를 가지므로, 장파장을 요하는 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 또한, Type-II 반도체 나노 구조의 밴드 구조를 staggered gap 혹은 broken gap 구조로 조절함으로써 infrared 영역 광소자의 전자 구조를 유용하게 바꾸어 적용할 수 있다. 최근, GaSb wafer 위에 InSb/InAsSb 양자점을 이용하여 cutoff wavelength를 6 ${\mu}m$까지 연장한 IR photodetector의 연구도 보고되고 있다. 하지만, GaSb wafer의 경우 그것의 비용 문제로 인해 산업적 적용이 쉽지 않다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 GaAs wafer와 같은 비용 효율이 높은 wafer를 사용한 연구가 필요할 것이다. 본 연구에서는 Molecular Beam Epitaxy(MBE)를 이용하여 undoped InAs wafer 와 semi-insulating GaAs wafer 상에 InSb 양자 구조를 형성한 결과를 보고한다. InSb 양자 구조는 20층 이상의 다층으로 형성되었고, 두 가지 경우 모두 400${\AA}$ spacer를 사용하였다. 단, InAs wafer 위에 형성한 InSb 양자 구조의 경우 InAs spacer를, GaAs wafer 위에 형성한 양자 구조의 경우 InAsSb spacer를 사용하였다. GaAs wafer 위에 양자 구조를 형성한 경우, InSb 물질과의 큰 lattice mismatch 차이 완화 뿐 아니라, type-II 밴드 구조 형성을 위해 1 ${\mu}m$ AlSb 층과 1 ${\mu}m$ InAsSb 층을 GaAs wafer 위에 미리 형성해 주었다. 양자 구조 형성 방법도 두 종류 wafer 상에서 다르게 적용되었다. InAs wafer 상에는 주로 일반적인 S-K 형성 방식이 적용된 것에 반해, GaAs wafer 상에는 migration enhanced 방식에 의해 양자 구조가 형성되었다. 이처럼 각 웨이퍼에 대해 다른 성장 방식이 적용된 이유는 InAsSb matrix와 InSb 물질 간의 lattice mismatch 차이가 6%를 넘지 못하여 InAs matrix에 비해 원하는 양자 구조 형성이 쉽지 않기 때문이다. 두 가지 경우에 대해 AFM과 TEM 측정으로 그 구조적 특성이 관찰되었다. 또한 infrared 영역의 소자 적용 가능성을 보기 위해 광학적 특성 측정이 요구된다.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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• v.35 no.1
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• pp.30-38
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• 2008

Dental pulp cells are assumed to possess the capacity to elaborate both bone and dentin matrix under the pathological conditions following tooth injury. The purpose of this study is to examine the effects of mineral trioxide aggregate (MTA) on various gene expression regarding dentinogenesis and cell viability assay in cultured primary human dental pulp cells. The author also examined the effects of this material on cellular alkaline phosphatase activity as a potential indicator of dentinogenesis. For gene expression on MTA, reverse transcriptase polymerase chain reaction was performed using primer sets of glyceraldehyde-3-phosphate dehydrogenase, type I collagen, alkaline phosphatase(ALP), osteonectin, and dentin sialoprotein after 2 and 4 days. Cell viability assay showed that the proportion of MTA-treated pulp cells which had been exposed for 5 days to MTA was higher than that of the control cells. Among the genes investigated in this study, ALP and osteonectin(SPARC) were increased in MTA treated group than in control. These findings suggest that this dental pulp culture system may be useful in the future as a model for studying the mechanisms underlying dentin regeneration after the treatment with MTA. Exposure to MTA material would not induce cytotoxic response in the dental pulp cells. In addition, MTA could influence the behavior of human pulp cells by increasing the ALP activity and SPARC synthesis.

• Korean Journal Plant Pathology
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• v.3 no.4
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• pp.252-260
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• 1987

Incidence of lettuce drop was observed throughout the growing season in the vinylhouse at the southern part of Korea, Kimhai. Occurrence of this disease was especially severe at the seedling stage. Number of sclerotia in surface soil $(30\times30\times5cm)$ was 22.0 at the seedling stage, and 5.3 at harvest in the infected area. Temperature for mycelial growth ranged from 5 to $30^{\circ}C$ with optimum temperature at $25^{\circ}C$. Sclerotia were formed fewer at low temperature, but their size was larger resulting in heavier dry weight than that at high temperature. The apothecia were formed from the sclerotia that were buried in March, April and September upto 3cm soil depth, but formed from those buried only 1 em soil depth in October. Sclerotia buried in June and December did not form apothecia regardless of soil depth by 90 days. The sclerotia buried in the 5cm of soil depth did not form apothecia. Sclerotia that were embedded in wet or flooded soil at $25^{\circ}C$ and $30^{\circ}C$ for 5 weeks lost their viability. Infection of lettuce was possible with mycelia originated from sclerotia on autoclaved lettuce plant fragments. The fungus was pathogenic on 25 plant species in 8 families in artificial inoculation tests. Lettuce seedlings appeared to be infected by airborne ascospore originated from sclerotia on crops and weeds around paddy fields, because sclerotia existing in soil might perish under long flood conditions during rice cultivation.

• Journal of Ginseng Research
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• v.33 no.3
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• pp.189-193
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• 2009

The researchers studied the composition of latent buds by surveying the embryo of harvested seed, and the developmental pathway of latent buds by analyzing the characteristics of local ginseng. One-year-old ginseng seedlings were transplanted into the field and harvested two years later. The developmental pathway of the main bud, which would be the shoot of ginseng in the fourth year, was also investigated. The main bud of the seedling was formed from the region between root and shoot of the germinating seed. Primary and axillary latent buds protruded in a dome-shape from the cortex and separated from the main bud. Ninety percent of the single main bud was derived from the primary latent bud. Twin main buds were derived from a primary latent bud and one axillary bud, and triple main buds were derived from primary latent bud and two axillary latent buds. In the field, the researchers could not find 2-stem plants in 2-3 years old plants. However, the researchers found a 2-stem plant in a 4-year-old plant because its two main buds developed from a 3-year-old plant. We can conclude that a 2-stem plant was observed in the plant that was at least 4 years old. The main buds of the 4-year-old plant were formed at the primary and axillary latent bud of seed and cortex, the latent bud of rhizome in a 2-3 year old plant. In older plants, twin and triple main buds were derived mostly from the cortex latent bud than the primary latent bud.

• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.19 no.4
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• pp.285-289
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• 1987

The partition behavior or proteins in an aqueous two-phase system of poly (ethyleneglycol)-potassium phosphate buffer (PEG/PPB) was investigated. The proteins of different surface hydrophobicity, i.e. Bovine serum albumin (BSA), ${\beta}-lactoglobulin$, ovalbumin. moved to the PPB-rich bottom phase in a PEG(12%)/PPB (12%) two-phase system resulting in very low partition coefficients. When the concentration of PPB increased to 15% level. the electric potential of bottom phase changed from +50 mV to zero and the partition coefficient tended to increase. The change In the molar ratio of $K_2HPO_4/KH_2PO_4$ in PPB from 1.43 to 9.55 caused the volume ratio of top to bottom phase $(V_t/V_b)$ to be decreased and protein partition coefficient increased. When the concentration of PPB was elevated from 14% to 26%, the $V_t/V_b$ decreased from 1.5 to 0.39 and the partition coefficient of proteins increased drastically; ${\beta}-lactoglobulin$ 74 fold. BSA 32 fold, ovalbumin 12 fold and lysozyme 5 fold.

• Journal of Ginseng Research
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• v.13 no.2
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• pp.143-146
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• 1989

In order to clarify the characteristics of anthocyanln-producing cell line selected by in vitro grown cultures of ginseng (Panax ginseng C.A. Meyer), the calli of anthocyanin-Producing strain were cultured on media supplemented with different concentrations of 2,4-D and sucrose under light or dark condition. The light was found to be essential for anthocyanin synthesis. Anthocyanin synthesis of ginseng cell line was inhibited by the increase of 2,4-D in the medium. On the other hand, sucrose promoted the anthocyanin-production and the optimum concentration of sucrose for the highest production of anthocyanin was 5%. The growth of anthocyanin-producing tell line was best on the medium supplemented with 0.5 mg/l 2,4-D and 5% sucrose.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.2
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• pp.122-127
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• 2000

Microstructural evolutions in ceria-stabilized zirconia (Ce-TZP) and alumina-dispersed Ce-TZP ceramics were investigated as functions of doping and annealing conditions. All of sintered specimens showed the relative density over 99 %. Sintered specimens had linear grain boundaries and normal grain shapes, but ceria-doped specimens had irregular grain shapes and nonlinear grain boundaries due to the diffusion-induced grain boundary migration during annealing at $1650^{\circ}C$ for 2 h. Mean grain boundary length of Ce-TZP with irregular grain shapes was higher than that of normal grain shapes, and was a value of 23pm at the maximum. Alumina particles dispersed in Ce-TZP inhibited the grain growth of zirconia particles. $Al_2O_3$Ce-TZP doped with ceria and annealed at $1650^{\circ}C$ for 2 h showed irregular grain shapes as well as small grain size. Added alumina particles showed the grain growth during sintering or annealing, and they changed the position from grain boundary to inside of the grains during the annealing. The specimens with normal grain shapes showed an intergranular fracture mode, whereas the specimens with irregular grain shapes showed a transgranular fracture mode during the crack propagation.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.62-62
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• 2003

금속-실리콘간 화합물인 실리사이드 중에서, 코발트다이실리사이드(CoSi$_2$)는 비저항이 낮고 선폭이 좁아짐에 따라 면저항이 급격히 증가하는 선폭의존성이 없으며 화학적으로 안정한 재료로 현재 널리 이용되고 있는 재료이다. 또한, 실리콘 (100) 기판과 에피택셜하게 성장한 CoSi$_2$는 우수한 열안정성 과 낮은 juction leakage의 특성을 가지며, shallow junction 형성을 가능하게 하는 많은 장점을 가지고 있어 각광받고 있다. 그러나 순수한 Co의 증착 후속 열처리에 의해 형성된 CoSi$_2$는 (110), (111), (221)등의 다양한 결정방위를 가지게 되어 에피택셜 하게 형성되기 어렵다. 현재까지 Ti, Ta, Zr과 화학 산화막 등의 확산 방지막을 이용하여 에피 택셜하게 성장시키는 많은 방법들이 연구되어 왔으며, 최근에는 본 연구실에서 반응성화학기상증착법으로 Co-C 박막을 증착하여 in-Situ로 에피택셜 CoSi$_2$를 형성하는 새로운 방법을 보고하였다. 본 연구는 반응성 스퍼터링에 의해 증착된 Co-N 박박으로부터 후속 열처리를 통하여 에피택셜 CoSi$_2$를 성장시키는 새로운 방법을 제시하고자 한다. Co-N 박박은 Ar과 $N_2$의 혼합가스 분위기 속에서 Co를 스퍼터링하여 증착하였다. 증착시 혼합가스 내의 $N_2$함량의 변화에 따라 다양한 Co-N 박막이 형성됨을 확인하였다. 후속열처리시 Co-N 박막의 산화를 방지하기 위하여 Ti층을 마그네트론 스퍼터링으로 증착하였으며, Ar 분위기에서 온도에 따른 ex-situ RTA 열처리를 통하여 에피택셜 CoSi$_2$를 성장시킬 수 있었다. 이러한 에피택셜 CoSi$_2$는 특정 한 Ar/$N_2$ 비율 내에서 성장이 가능하였으며, 약 $600^{\circ}C$이상의 열처리 온도에서 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.482-482
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• 2013

반도체 소자의 미세화와 더불어 세정공정의 중요성이 차지하는 비중이 점점 커지고, 이에 따라 세정 기술 개발에 대한 요구가 증대되고 있다. 기존 세정 기술은 화학약품 위주의 습식 세정 방식으로 표면 손상, 화학 반응, 부산물, 세정 효율 등 여러 가지 어려움이 있다. 따라서 건식세정 방식이 활발하게 도입되고 있으며 대표적인 것이 에어로졸 세정이다. 에어로졸 세정은 기체상의 작동기체를 이용하여 에어로졸을 형성하고 표면 오염물질과 직접 물리적 충돌을 함으로써 세정한다. 하지만 이 또한 생성되는 에어로졸 내 발생 입자로 인해 패턴 손상이 발생하며 이러한 문제점을 극복하기 위하여 본 연구에서는 가스클러스터 장치를 이용한 세정 특성 평가에 관한 연구를 수행하였다. 가스 클러스터란 작동기체의 분자가 수십에서 수백 개 뭉쳐 있는 형태를 뜻하며 이렇게 형성된 클러스터는 수 nm 크기를 형성하게 된다. 그리고 짧은 시간의 응축에 의해 수십 nm 크기까지 성장하게 된다. 에어로졸 세정과 다르게 클러스터가 성장할 환경과 시간을 형성하지 않음으로써 작은 클러스터를 형성하게 되며 이로 인해 패턴 손상을 최소화 하고 상대적으로 높은 효율로 오염입자를 제거하게 된다. 클러스터 세정 장비를 이용한 표면 처리는 충돌에 의한 제거에 기반한다. 따라서 생성 및 가속되는 클러스터로부터 대상으로 전달되는 운동량의 정도가 세정 특성에 영향을 미치며 이는 생성되는 클러스터의 크기에 종속적이다. 생성 클러스터의 크기 분포는 분사 거리, 유량, 분사 각도, 노즐 냉각 온도 등의 변수에 관한 함수이다. 따라서 본 연구에서는 $CO_2$ 클러스터를 이용한 세정 특성을 평가하기 위하여 이러한 변수에 따라서 오염 입자의 종류, 크기에 따른 PRE (particle removal efficiency)를 평가하고 다양한 선폭의 패턴을 이용하여 손상 실험을 수행하였다. 제거 효율에 사용된 입자는 $CeO_2$와 $SiO_2$이며, 각각 30, 50, 100, 300 nm 크기를 정량적으로 오염시킨 쿠폰 웨이퍼를 제조하여 세정 효율을 평가하였다. 정량적 오염에는 SMPS (scanning mobility particle sizer)를 이용한 크기 분류와 정전기적 입자 부착 시스템이 사용되었다. 또한 패턴 붕괴 평가에는 35~180 nm 선폭을 가지는 Poly-Si 패턴을 이용하였다. 실험 결과 클러스터 형성 조건에 따라 상대적으로 낮은 패턴 붕괴에서 95% 이상의 높은 오염입자 제거효율을 전반적으로 보이는 것을 확인할 수 있었다. 따라서 이론적 계산에 기반하여 세정에 요구되는 클러스터 크기를 가정하고, 이를 통하여 세정에 적용할 경우 높은 기존 세정 방법의 단점을 보완하면서 높은 세정 효율을 가지는 대체 세정 방안으로 이용할 수 있음을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.2
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• pp.144-149
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• 2000

Variables affecting the passivation capability of Cu(Mg) alloy films, which were sputter deposited from a Cu (4.5 at. %) target, have been investigated. The results show that the passivation capability of a Cu(Mg) alloy film is a function of annealing temperature, $O_2$ pressure, and Mg content in the film. Increasing the annealing temperature up to $500^{\circ}C$ favors formation of a dense MgO layer on the surface which has a growth limited thickness of 150 $\AA$. Decreasing the $O_2$ pressure enhances the preferential oxidation of Mg over Cu. Furthermore, increasing the Mg content in the Cu(Mg) film promotes formation of a dense MgO layer. Vacuum pre-annealing was found to be very effective in segregating Mg to the surface, facilitating the passivation capability of the Cu(Mg) alloy film even when the Mg content is low. In the current study, self-aligned MgO layers with low resistivity and an effective passivation capability over the Cu surface, have been obtained by manipulating these factors when Cu(Mg) thin films are annealed.