• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.179-179
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• 1998

실리콘 집적회로 제조시 sub-micron 의 contact 형성 공정은 질연막 형성 후 이의 식각 및 세정, c contact 실리사이드, 획산방지막, 배선 금속층의 형성 과정올 거치게 된다. 본 연구팀에서는 C.F야f2 헬리 콘 플라즈마훌 이용한 고선택비 contact 산화막 식각공정시 형성된 잔류막충과 오염 손상올 관찰하고 산소 플라즈마 처리와 후속 열처리에 따른 이들의 제거 정도를 관찰하여 이에 대한 결과를 발표하였다. 본 연구메서는 식각 및 후처리에 따라 잔류하는 잔류막과 손상층이 후속 공정인 contact 실리사이드 형 섬에 미치는 영향올 관찰하였다. C C.F바f2 웰리콘 풀라즈마률 이용한 식각시 공정 변수로는 수소가스 첨가, bias voltage 와 과식각 시간 의 효과를 관찰하였으며 다른 조건은 일정하게 하였다 .. Contact 실리사이드로는 Ti, Co-싫리사이드를 선 택하였으며 Piranha cleaning, 산소 플라즈마 처리, 산소 풀라즈마+600 'C annealing으로 각각 후처리된 시 편을 후처리하지 않은 시펀돌과 함께 실리사이드 형성용‘시펀으로 이용하였다 각각 일정 조건에서 동 일 두께의 실리사이드훌 형성시킨 후 4-point probe룰 이용하여 면저황올 측정하였다 후처리하지 않은 시편의 경무 실리사이드 형성은 아주 시펀의 일부분에서만 형성되었으며 후속 세정 및 얼처리훌 황에 따라 실리사이드의 면저항은 감소하여 식각 과정을 거치지 않은 깨끗한 실리콘 웨이퍼위에 실리사이드 를 형성시킨 값(control 값)에 접근하였다. 실리사이드의 면저항값은 식각시 노훌된 실리콘 표면 위에 형 성된 손상충보다는 잔류막에 큰 영향을 받았으며 수소 가스가 첨가된 식각 가스로 식각한 시편으로 형 성한 실리사이드의 면저항값이 손상이 상대적으로 적은 것으로 관찰된 수소훌 첨가하지 않은 식각 가 스로 식각한 시펀 위에 형성된 실리사이드의 면저황에 비해 낮은 값을 나타내었다. 실리사이드의 전기적 륙성에 미치는 손상층의 영향올 좀더 면밀히 관찰하고자 bare 실리콘 wafer 에 잔류막이 거의 없이 손상층을 유발시키는 식각 조건들 (100% HBr, 100%H2, 100%Ar, Cl싸fz)에 대하여 실 리콘 식각을 수행한 후 Co-실리사이드률 형성하여 이의 면저황을 측정한 걸과 100% Ar 가스로 식각된 시편을 이용하여 형성한 실리사이드의 면저항은 control 에 기까운 면저항값올 지니고 따라서 손상층이 실리사이드 형섬메 미치는 영향은 크지 않음을 알 수 있었다. 이상의 연구 결과훌 통해 손상층이 실리사이드의 형성이나 전기적 톡섬에 미치는 영황은 잔류막층 에 의한 영향보다 적다는 것을 알 수 았으며 잔류막층의 두께보다는 성분이나 걸합상태, 특히 식각 및 후처리 후 잔류하는 탄소 싱분과 C-Si 결함에 큰 영향올 받는 것올 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.123-123
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• 2012

초소수성 표면은 150도 이상의 높은 물 접촉각과 10도 이하의 낮은 sliding angle을 가지며 self-cleaning, anti-contamination 기능을 갖고 있는 것이 특징이다. 재료표면의 친수성과 소수성을 제어하기 위해서는 화학적 인자인 물질의 표면에너지나 물리적 인자인 표면 거칠기를 조절하는 방법이 있다. 초소수성 표면을 구현하기 위해서는 표면의 거칠기를 증가시키거나 표면 에너지를 낮춰야 하는데 고체 표면의 거칠기를 증가시키기 위해서는 일반적으로 표면에 microscale과 nanoscale의 계층구조를 형성시키는 방법이 사용된다. 자연계에 매우 풍부하게 존재하는 실리카는 내구성과 내마모성, 화학적 안정성, 고온 안정성 등을 지니고 있으며 인체에 무해하기 때문에 다양한 종류의 전자기기 및 부품의 내외장 코팅에 적용이 검토되고 있다. 이러한 관점에서 본 연구에서는 초소수성 코팅층을 구현하는 하나의 방법으로서 졸-겔방법으로 실리카 졸을 합성하여 전기분무법을 사용하여 microscale의 실리카 입자 코팅층을 형성하였으며, 표면 미세구조 조절 및 계층구조 형성과 불소화처리 공정을 통하여 초소수성 실리카 코팅층을 제조하였다. 이러한 초소수성 실리카 코팅층의 표면거칠기, 자외선 영향향, 내구성 등을 초소수성 관점에서 평가하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.45.1-45.1
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• 2010

소성 온도에 따른 전면 전극과 태양전지 에미터와의 계면에서 전기적 특성을 평가하였다. Ag 전극 형성 시 특정 온도 이상의 열처리 과정을 통해 에미터와 전극 간 양질의 전기적 접촉을 형성하기 위해 소성 온도에 따라 Ag paste 내의 siver가 결정화되어 에미터 내부로 성장함을 확인 하고 Ag 전극의 전기적 특성을 평가하였다. 소성 온도 $650{\sim}750^{\circ}C$에서 전기적 특성이 가장 좋았으며 silver의 결정 생성에 의해 Ag paste와 에미터 간 전기적 접촉이 잘 형성됨을 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.261-261
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• 2009

Anode 지지형 SOFC의 Anode 지지층 제조에 있어 Ni의 입성장이 일어나면 전극의 반응면적이 줄어들어 전기전도도가 감소되므로 소결체의 제조공정이 매우 중요하다. 기공형성제의 함량이 증가할수록 기공율도 증가하였고 기공체의 함량이 20%를 넘어가면서 기공율은 오히려 줄고 밀도도 감소하였다. Anode 지지체는 $1200^{\circ}C$ 이상에서 열처리하여야 입자간 소결이 이루어지며 승온 속도를 $2.5^{\circ}C$ 유지하여 20% 수준의 기공률을 형성하였다. 소결한 음극지지체를 환원하였을 때 35%수준의 개기공을 형성하였고 전해질과의 접착성도 우수하였다.

• ETRI Journal
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• v.11 no.3
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• pp.43-64
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• 1989

VLSI소자의 얕은 접합을 형성하기 위한 $BF_2^+$이온주입 공정시에 발생하는 결정격자의 손상및 결함의 발생과 열적 거동, 그리고 블순물의재분포 등에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. BF2' 이은주입에 의해서 형성된 실리큰 기판의비정질층 및 열처리 후에 발생한 전위환 등의결정결함을 TEM과 RBS로서 분석하였으며, 이들이 불순물의 재분포에 미치는 영향을 SIMS로서 분석, 화인하였다. RTA 열처리시, 온도변화에 따라서 boron 및 fluorine의 농도분포는비정상적민 형태를 나타내었으며 그 이유는 결정결함의 형성 및 열적거동에 의한 것으로 설명되 었다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.217-221
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• 2001

Poly-Si/SiO$_2$/Si의 하부기판구조 위에 Co금속을 E-beam evaporation 방식으로 증착하고 급속 열처리 방식을 통해 inkjet 프린터헤드의 heater로 사용 할 수 있는 코발트실리사이드를 형성하였다. RTA로 열처리 온도와 시간을 변수로하여 코발트실리사이드의 가장 안정적 결정상 및 성분분포를 찾고 이렇게 제작된 박막의 면저항과 표면특성을 통해 고온에서 사용 할 수 있는지를 연구하였다. 박막을 발열체(400~$600^{\circ}C$)로 사용하기 위해서는 발열체가 외부배선과의 접촉 저항보다 커야하고 저항이 고온에서 크게 변하면 안 된다. 코발트 실리사이드는 80$0^{\circ}C$ 20sec에서 발열체로 사용하기에 적당한 특성을 보였다. 그러나 실리사이드반응이 RTA에서 40$0^{\circ}C$ 20sec에서 형성되기 시작하지만 열처리 온도를 높일수록 박막의 면저항과 상변화가 일어남으로 발열체로 사용 할 수 없고, 90$0^{\circ}C$ 20sec 이상에서는 표면의 거칠어짐으로 인해 면저항이 증가하는 현상을 보여 역시 발열체로 사용 할 수 없음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2002.04a
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• pp.255-258
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• 2002

폴리에스테르계 고분자를 용융온도 이상에서 가공하면 두 고분자간의 화학적인 상호교환반응이 일어나고, 이러한 상호에스테르 교환반응은 이들의 공중합체를 생성시켜 블렌드계의 상용성을 증대시킬 수 있으며, 구조와 물리적 성질을 상당한 수준까지 변화시킬 수 있기 때문에 용융가공시 중요한 인자가 되고 있다. 일반적으로 상호에스테르 교환반응에 의해 공중합체가 형성될 때 반응초기에는 블록 공중합체가 형성되며, 반응이 진행될수록 랜덤 공중합체가 형성 [1] 되며, 블렌딩 시간, 온도 그리고 조성비에 따라 상호교환방응 정도가 달라지게 된다[2-3]. (중략)

• Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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• v.33 no.2
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• pp.85-89
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• 1997

한국서해안 격열비열도 근해산 문치가자미의 연령과 성장을 조사하기 위하여 1992년 9월부터 1993년 8월까지 매월 정기채집한 256개체의 이석을 연령형질로서 사용하여 조사 분석한 결과를 보면, 이석의 투명대와 불투명대는 년 1회 형성되었으며 투명대 형성시기는 7월이고 불투명대 형성 시기는 2월에서 4월로 이는 산란종기(2월)와 일치함을 보였다. 연령별 체장 (LT)과 연령(t)을 von Bertalanffy 성장식에 적용하여 수컷은 Lt=313.7[1-exp{-0.4342(t+0.9017)}, 암컷은, Lt=458.1[1-exp{-0.2368(t+0.1934)}과 같은 관계식을 구하였다. 또한 암컷과 수컷의 성장속도는 2세까지는 별다른 차이를 보이지 않았으나, 3세어 이상에서는 암컷이 수컷보다 월등히 빠름을 나타내었다. 본 연구에서의 최고령어는 암수 각각 5세와 6세였다.

• Journal of Embryo Transfer
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• v.13 no.2
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• pp.117-125
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• 1998

본 연구는 Percoll,Swim-up 그리고 Glass-wool 여과법의 세가지 정자분리 방법에 대한 정자 회수율, 생존율과 첨체반응율, 그리고 체외수정 후 배양시간에 따른 전핵형성율,수정란의 발달율과 세포할구수에 대한 효과를 조사하고자 실시하였다. 도축된 암소로 부터 채취한 난자를 22시간 체외배양 후 성숙된 난자를 체회수정시켰다. 수정 후 배양시간에 따라 존핵율을 조사하였으며 48시간에 분할율,192시간에 배반포기 발달율 및 세포할구수를 각각 비교 조사하였다. 정자의 첨체반응과 생존율은 처리군간에 차이가 없으나 회수율에 있어서 percoll 처리군이 다른 두 처리군보다 유의적으로 높았다(p<0.001).수정 후 배양시간별 전핵형성에 있어서도 percoll 처리군이 다른 두 처리군보다 빨리 진행됨을 볼 수 있다. 분할율에 있어서는 처리군간에 유의적 차이가 없으나.배반포기 발달율과 세포할구수에 있어서는 pecoll 처리군이 다른 두 처리군보다 유의적으로 높았다(P<0.05). 이상의 결과로 보아 percoll 처리에 대한 정자분리 방법은 정자 회수율이 높고 수정시 전핵형성 시간이 단축되어, 그 결과로 배반포기 발달율과 수정란의 세포할구수에 효과적임을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2009.12a
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• pp.682-684
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• 2009

본 논문에서는 해수 중에 존재하는 염분을 제거하기 위하여 가스하이드레이트 형성 원리를 이용하였다. 하이드레이트 형성을 위한 guest molecule는 이산화탄소를 사용하였으며, host moelcule로는 3.5% NaCl 물을 사용하였다. 염수에 강한 반응기를 만들기 위하여 스테인레스 강에 epoxy 수지를 코팅하여 실험을 수행하였다. 실험한 결과 70% 이상의 염제거율을 얻을 수 있었으며, 2단 공정이나 3단 공정을 적용할 경우 더욱 높은 염제거율을 얻을 수 있을 것이라고 판단된다.