본 논문에서는 차세대 디스플레이로 각광받고 있는 플렉시블 디스플레이의 일환으로 전하를 갖는 입자가 전계에 의한 운동(Movement)을 기반으로 이미지를 구현하는 유리 기판 기반의 액상분말 전자종이의 패턴(Pattern)을 설계하였으며 셀 캡(Cell Gap)에 따른 구동전압의 변화를 검토하였다. 확보된 데이터를 바탕으로 플렉시블 기판을 적용한 패널을 제작할 경우 효율적인 전기적 특성을 갖는 소자의 설계조건이 제시되었다.
본 논문에서 소개하고 있는 플렉시블 케이블(Flexible Cable) 가공기는 기존의 준자동적인 다수의 생산라인을 한 생산라인에 자동화하여 접목시킨 기기이다. 가공기에 문제점이 발생하였을 경우의 현상을 진단하기 위하여 제작자, 작업자 그리고 R&D엔지니어들의 지식을 수집하고 실제 발생 데이터를 근거로 지식베이스 시스템(knowledge-based system)을 구성하였다. 플렉시블 케이블(Flexible Cable) 가공기의 문제점 진단을 목표로 하여 수집된 지식들을 지식베이스화 하였고 이를 바탕으로 진단 시스템이 구축되었다. 가공기 작동 중 문제점이 발생하게 될 경우 전문가뿐만 아니라 비전문가도 본 논문에서 제안된 지능형 진단시스템을 사용하여 문제점을 빠르게 진단, 파악하는데 그 목적을 두고 있다.
플렉시블 디스플레이를 위해 저온 공정은 필수적이며, 이를 위해 플라스틱 기판을 이용한 연구가 한창 진행 중이다. 이번 연구에서는 도핑처리 하지않고 알루미늄을 이용한 self-aligned 소오스-드레인 구조의 비휘발성 메모리를 ELA 폴리실리콘 기판 상에 제작하였다. 소오스-드레인 부분은 lift-off 공정을 이용하여 pattern 작업을 진행하였다. $250^{\circ}C$에서 1시간의 후속 열처리 공정을 진행한 self-aligned 소오스-드레인 구조의 비휘발성 메모리는 후속 열처리 공정을 진행하지 않았을 때와 비교하여 다음과 같은 메모리의 특성향상을 나타내었다. 메모리 윈도우 특성의 경우 1.15 V에서 3.47 V의 커다란 증가를 보였으며 retention 특성의 경우 12%에서 46%로 증가하였다. 이를 통해 비록 도핑 되지 않은 비휘발성 메모리 소자일지라도 self-aligned 구조와 저온 열처리를 이용할 시 향후 플렉시블 전자소자에의 적용이 가능함을 확인하였다.
산화물 반도체 기반 박막 트랜지스터가 국내에서 본격적으로 연구 개발 된 지 10년 만에 대면적 OLED TV에 적용되었다. 전기적인 신뢰성뿐만 아니라, 광학적 신뢰성도 검증되어, 앞으로 산업계에서 그 적용 확대가 기대되고 있는 상황이다. 그렇지만, 향후 큰 성장이 예상되는 고해상도 플렉시블 디스플레이에 적용 가능한 높은 수준의 전기적 특성뿐만 아니라, 저온공정도 만족시킬 수 있는 박막 트랜지스터 개발이 필요한 실정이다. 이러한 측면에서 LTPS, 유기물 박막 트랜지스터에 비해, 산화물 박막 트랜지스터는 250도 이하의 저온공정에서도 고이동도 및 고신뢰성을 확보할 수 있는 좋은 대안이 될 수 있을 것이다. 본 강연에서는 플렉시블 기판에 적용 가능한 산화물 박막 트랜지스터 기술 및 개발 동향에 대해 발표할 예정이다.
플렉시블 디스플레이는 작고, 기존의 유리를 이용한 디스플레이에 비해 기계적인 면에서 뿐 아니라 디자인 면에서도 우수하다는 장점으로 인하여 지난 십 년간 디스플레이 산업에서 가장 중요한 연구 주제 중의 하나이다. 이러한 플렉시블 디스플레이의 연구 개발에 따라 적용 가능한 touch screen pannel 에 대한 연구 또한 필요하다. 이번 연구에서는 현재 touch screen에 적용되고 있는 touch-screen pannel 의 특성 분석을 진행하였다. 샘플은 SR-아이텍에서 제공한 샘플로 PET (Polyethylene Terephthalate) 기판 위에 ITO가 증착되어 있다. 실험진행은 샘플의 면저항 및 투과도, hall measurement, SEM 측정을 진행하였고, 추가적으로 샘플의 Bending test를 통해 bending 횟수와 radius에 따른 ITO의 특성을 분석하였다.
플렉시블 OLED 소자에서 주요한 역할을 하는 기판은 디스플레이의 성능, 신뢰성과 가격을 결정한다. 플렉시블 OLED소자의 기판으로는 PET, PC, PES, PEN과 같은 고분자 계열의 기판이 많이 사용되고 있지만 거칠기 등의 문제가 있는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 셀룰로오스 종이를 사용하는 투명 플렉시블 OLED 소자를 개발하였다. 본 논문에서는 개발한 셀룰로오스 종이의 표면 거칠기는 $3.1{\AA}$이었으며, 투과도는 97.6%로서 PET기판 보다 우수한 특성을 보여주었다. 셀룰로오스 종이를 기판위에 양극으로 Ni을 이용하는 녹색 발광 플렉시블 OLED소자를 구현하였다.
Recently, flexible displays have been used as part of fashion beyond the concept of parts for electronic products. The flexible display applied to wearable fashion products flexibly bends according to the wearing position of the human body and, at the same time, decorates the fashion product more splendidly through the screen on which images or videos are displayed. Flexible displays, which are used for clothes and accessories, combine analogue fashion sensibility with digital screens to create a new level of convergence product design and expand the range of fashion design and fashion materials. This study aims to analyze the trends of the development and commercialization of fashion products that use flexible displays. As a research method, theoretical research and empirical research through case analysis were conducted in parallel. First, as a theoretical study, the morphological and technical characteristics of flexible displays were examined. Through theoretical studies, the effect of the characteristics of flexible displays on the development of wearable fashion products was investigated. Second, as an empirical case study, the design of wearable fashion products using flexible displays over the past 10 years and the characteristics of the displays used in the products were analyzed. Based on the characteristics analyzed, the product design, display and product integration methods and the commercialization stages of wearable fashion products using flexible displays were analyzed.
공액 이중결합으로 이루어져 있는 유기 화합물을 형광체로 이용하는 유기발광 소자는 최근 모바일용 디스플레이의 사용화를 시작으로 TV, PC용 디스플레이, 플렉시블 디스플레이로의 사용화에 대한 관심을 불러일으키고 있다. 본 글에서는 지금까지 개발된 다양한 기능성 소재 및 발광 소재에 대하여 소개 하고자 한다.
Since the technical realization of self-aligned planar complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in 1960s, semiconductor manufacturing has aggressively pursued scaling that fruitfully resulted in tremendous advancement in device performances and realization of features sizes smaller than 10 nm. Due to many intrinsic material and technical obstacles, continuing the scaling progress of semiconductor devices has become increasingly arduous. As an effort to circumvent the areal limit, stacking devices in a three-dimensional fashion has been suggested. This approach is commonly called monolithic three-dimensional (M3D) integration. In this work, we examined technical issues that need to be addressed and overcome to fully realize energy efficiency, short latency and cost competency. Full-fledged M3D technologies are expected to contribute to various new fields of artificial intelligence, autonomous gadgets and unknowns, which are to be discovered.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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