• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.92-92
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• 2016

전기방전의 기본적인 특성을 가지고 있는 플라즈마를 이용하여 재료를 가공하는 증착, 식각, 표면처리 공정에 있어서 플라즈마 내의 전자 충돌 반응에 의한 이온, 라디칼의 생성과 재료 표면의 반응을 분석하는 도구로써 분압 측정은 일반적인 화학 조성 분석에 기원한 오랜 역사를 가지고 있다. 1 amu 정도의 분해능을 가지고 있고 크기가 30 cm 정도에 불과한 사중극자 질량 분석기는 적절한 질량 스캔 시간과 넓은 이온 전류 측정 범위를 가지므로 소형 차등 배기 시스템과 조합하면 1 mTorr 영역의 스퍼터링 시스템에서 1 Torr 영역의 PECVD/PEALD 시스템 진단에도 쉽게 적용이 가능하다. Inficon사의 CPM-300과 Pfeiffer사의 Prisma80을 이용한 플라즈마 식각 공정 분석 결과를 보면 동위원소까지 분석이 가능하다. 또한 전자충돌 이온화 에너지를 조절하여 m/q(질량전하비율)가 중첩되는 경우의 해석도 가능하다. 다중 오리피스를 갖는 compact design의 밸브 블록을 이용한 설계에서는 line-of-sight 입사가 불가능하여 이온 전류를 분석할 수 없다는 단점이 있으나 표준 가스를 이용한 정량화 등의 큰 장점들이 있다. 최근 이루어진 연구의 내용으로는 유도 결합 플라즈마 장치에서 전도성 메쉬를 이용한 라디칼 거동 관찰을 위해서 두 대의 CPM-300을 메쉬 전 후에 설치하여 라디칼의 양 변화를 전류 프로브와 같이 사용하여 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.99-103
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• 2007

ICP(Inductively Coupled Plasma)는 높은 밀도를 가지는 플라즈마 소스로서 반도체 산업에 널리 이용되고 있다. 하지만 기존의 ICP는 축전결합(capacitive coupling), 낮은 역률(power factor), 전송 선로의 영향 등의 결점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 강자성체인 페라이트(ferrite)를 이용하여 측면형 페라이트 ICP 소스를 개발하게 하였다. 측면형 소스의 경우 플라즈마의 생성 부분이 측면에 위치하기 때문에 높은 압력에서 플라즈마 밀도 분포는 가운데가 낮고 측면이 높은 오목한 형태가 된다. 다양한 환경에서 플라즈마 밀도의 균일도를 제어하기 위해 이 논문에서는 측면형 페라이트 ICP 챔버 윗부분에 평면형의 나선형 안테나를 부착하여 그 효과를 알아보는 실험을 수행하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.06a
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• pp.139-139
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• 1998

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.02a
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• pp.96-96
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• 1999

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.08a
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• pp.318-318
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• 2008

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1994.04a
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• pp.53-53
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• 1994

• Proceedings of the KWS Conference
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• 1994.10a
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• pp.187-188
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• 1994

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.217-217
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• 2003

W-Cu 합금은 우수한 전기적, 열적 특성으로 인하여 열소산재료(Heat sink)로 많이 응용되고 있다. 첨단 전자부품 이외에도 핵융합로의 Diverter가 그 예로서, 내부는 고강도와 고융점의 특성을 요구하는 반면, 외부는 높은 열전도성을 필요로 한다. 그래서 동일한 조성의 일반적인 W-Cu 합금보다 W과 Cu의 조성이 점차적으로 변화하는 경사기능재료(Functionally Graded Materials)가 냉각효율이 클 것으로 기대된다. 현재, W-Cu FGM에 대한 많은 연구가 진행되고 있지만, 그 조성이 연속적으로 변화하는 W-Cu FGM에 대한 연구는 전무한 실정이다 본 연구에서는 방전플라즈마 소결장치(Spark Plasma Sintering System)와 용침고정을 이용하여 연속적인 조성변화를 갖는 W-Cu FGM을 제조하고 그 특성에 관해 분석하고자 하였다. 소결체가 밀도 변화를 갖게 되도록 제작한 특수 경사기능 몰드에 W분말을 장입한 후, 15㎬의 압력하에서 SPS를 이용하여 W소결체를 제조하였다. 제조된 W소결체는 수평관상로에서 수소분위기 하에 Cu 용침을 실시하여 W-Cu FGM을 제조하였다 SEM을 이용한 각 위치별 조직관찰과 Image Analyzer를 이용한 W과 Cu의 면적비, 그리고 비커스경도계에 의한 경도 측정을 실시하였다. 또 열기계적 분석기를 이용하여 측정된 선팽창률로부터 열팽창계수를 구하였다. 80$0^{\circ}C$에서 ？칭하는 반복적인 싸이클을 통해 열충격시험을 실시하였고, Laser flash method로 열확산계수를 측정하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.26 no.4
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• pp.145-149
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• 2016

The effect of process parameters such as plasma composition, ICP (Inductively Coupled Plasma) source power and rf chuck power on the etch characteristics of GaN epitaxy layer was studied. $Cl_2/Ar$ ICP discharges showed higher etch rates than $SF_6/Ar$ discharges because of the higher volatility of $GaCl_x$ etch products than $GaF_x$ compounds. As the Ar ratio increases in the $Cl_2/Ar$ ICP discharges, the etch anisotropy was enhanced due to the improved physical component of the etching. For both plasma chemistries, the GaN etch rate increased continuously as both the ICP source power and rf chuck power increased, and a maximum etch rate of 251.9 nm/min was obtained at $13Cl_2/2Ar$, 750W ICP power, 400W rf chuck power and 10 mTorr condition.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1570-1572
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• 2004

OLED(organic light-emitting diode)소자에 사용되는 ITO(Indium-tin oxide)전극에 Ar/$O_3$ 플라즈마 표면처리 함으로써 ITO전극에 표면상태의 개선에 좋은 영향을 미치는 것으로 나타났다. 13.56MHZ RF 플라즈마 장치를 이용하여 Ar/$O_3$ 플라즈마 처리한 후 AFM(atomic force microscopy)측정을 통해 표면 morphologyjroughless를 분석하고, XPS(X-Ray Photoelectron Spectroscopy)분석을 통해 표면의 화학적 조성비 분석을 수행 하였다.