• The Optical Journal
• /
• s.104
• /
• pp.52-58
• /
• 2006

종래 표면 형상 계측은 제조 공정에서 채택되어 계측에 적합하도록 가공된 소수의 샘플을 계측실이라는 조건이 갖추어진 환경에서 계측 시간에 대한 엄격한 제약 없이 이루어지는 소위 오프라인 계측이 일반적으로 행해졌다. 그러나 최근에는 더욱 향상된 견고성을 갖으면서 더욱 빠른 표면 형상 계측이 요구되고 있으며, 이러한 경향은 앞으로 계속될 것으로 예상된다. 이러한 배경 하에 본 고에서는 계측의 견고성과 고속성의 관점에서 본 광 표면형상 계측을 다루었다. 먼저 광 표면 형상 계측 기술의 현 상황을 개략적으로 설명한 후,견고성을 가지면서 고속의 표면 형상 계측 기법으로서, 현재 그리고 앞으로도 중요한 몇가지 기법에 대하여 최근의 동향을 간단하게 소개한다. 그런 다음에 로드맵을 상세하게 설명하기로 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2015.11a
• /
• pp.304-304
• /
• 2015

플라즈마 표면처리를 통해 폴리머의 나노 구조를 형성하는 연구는 활발히 진행되고 있으나, 표면 처리를 통해 나노 기둥 구조를 형성하기 위해 본 연구에서는 폴리머(PMMA, PDMS, PET, NOA) 위에 표면형상 변화를 위한 산소 플라즈마 처리를 하였으며, 이 때 플라즈마 표면처리 공정조건은 파워 및 가스분압별에 대한 조건 변화를 주어 표면처리 후 표면형상 변화를 SEM과 접촉각을 통해 조사하였다. 이를 통해 얻어진 표면형상에서 PMMA의 나노 기둥 구조를 이용하여 건식접착패치에 응용할 수 있을 것으로 기대된다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
• /
• v.14 no.3
• /
• pp.617-623
• /
• 1990

Cracks present in pressure vessels have been reported to be mostly semi-elliptic surface cracks. The fatigue crack growth rates(FCGR) of surface cracks in the pressure vessel materials, API5A-K55 and SPV 500, used in this study were showed to be different depending on the direction of propagation of the surface crack. An equation for the prediction of the shape change of the surface crack was obtained by combining the Paris' relations for each direction of surface crack extension and agreed well with the experimental data. And also FGGR in both materials were evaluated and prediction of the shape change of surface crack were made using averaged stress intensity factor.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2011.05a
• /
• pp.115.2-115.2
• /
• 2011

실리콘 박막 태양전지는 기판의 표면형상에 따라 셀 내부에서 이동하는 빛의 광학적인 경로가 크게 증가하여 변환효율의 향상을 기대할 수 있다. 금속 기판은 다양한 표면형상으로 가공이 용이하고 강도와 인성이 우수하며 가격이 저렴하여 실리콘 박막 태양전지의 기판재로 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 금속 기판의 표면형상이 반사특성에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 금속 기판재의 표면형상은 기계적 연마 방식을 응용하여 다양하게 제작하였다. 반사특성을 보기 위하여 UV-visible spectrometer를 사용하여 총 반사율과 산란 반사율을 측정하였고, 표면 형상에 따른 Fe-Ni 기판과 Ag 후면반사막의 반사 특성이 태양전지 셀 내부의 광포획의 증가에 어떠한 영향을 주는지 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 1998.10c
• /
• pp.476-478
• /
• 1998

본 논문에서는 영상의 밝기 정보로부터 물체의 표면 형상을 재구성하는 새로운 접근 방법을 제시한다. 이미지 모델은 기존의 Lambertian surface model에 거리 요소를 포함시켜 보다 현실과 비슷한 제약 조건을 주고, 국지 해(local minima)에 빠지기 쉬운 기존의 iteration 방법을 탈피하기 위해 유전자 알고리즘(genetic algorithm)을 도입한다. 표면의 깊이 정보를 이산여현변환(discrete cosine transform)하고 이 DCT 공간상에서 유전자 알고리즘을 적용함으로써 큰 형상을 먼저 결정한 후 미세한 형상을 찾아내는 계층적인 표면 형상의 재구성이 가능하도록 하였으며 간단한 실험으로 그 타당성을 보인다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.07a
• /
• pp.146-147
• /
• 2003

산업계에서의 다양한 제품 개발로 인해 새로운 형상 측정기술이 요구된다. 칩패키지와 실리콘 웨이퍼로 대표되는 광산란 표면 특성을 가진 제품들의 형상 측정은 거친 표면을 가진 반면 수마이크로의 형상 측정 정밀도를 요구하기 때문에 기존의 측정법으로는 기대하는 성과를 이루지 못해왔다. 현재까지 기존의 정통적인 측정법을 통해 측정 시도되어 온 방법들은 다음과 같이 두 방법으로 요약된다. 첫째, Kwon과 Han등은 경면(specular surface)을 측정하던 정통적인 간섭계에 10.6$\mu$m파장의 $CO_2$레이저를 광원으로 사용함으로써 가시광선 영역에서의 광산란 표면을 적외부 영역에서 경면화 하여 측정하였다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.04b
• /
• pp.9-11
• /
• 2009

열전박막은 유비쿼터스 센서 네트워크에서 사용될 초소형 자가발전 장치로 각광받고 있다. 본 실험에서 는 상온에서 주로 사용되는 $BiSbTe_3$ 열전물질을 유기 금속화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 (0001) Sapphire기판 위에 성장하였다. 일반적으로 사용되는 기판의 세척 및 에칭과정을 거쳐 성장된 $BiSbTe_3$ 박막의 표면형상은 부분적으로 성장되지 않으며 불규칙한 결정립을 포함하는 박막의 형상을 나타내었으나 성장 전 기판의 표면처리 통하여 성장된 박막의 표면 형상을 크게 개선시킬 수 있었다. 이는 표면처리를 통하여 기판표면에 미세 결함을 형성 시켜 초기 박막성장 시 핵생성이 용이하도록 하였기 때문으로 해석되었다. 이러한 표면 처리기법은 성장된 박막의 열전 특성에 크게 영향을 끼치지 않았다. 따라서 다양하고 저가의 박막형 열전소자의 제작에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.4 no.4
• /
• pp.379-384
• /
• 1994

Room-temperature photoluminescent porous Si has been formed by etching Si wafer u-ith the solution of $HF:HNO_{3}: H_{2}O$=l : 5 : 10. We have observed photoluminescence(PL) spectra similar to those reported recently for porous-Si films formed by anodic etching with HF solutions. We have also investigated the dependence of PI, spectra on the etching time which was varied from 1 to 10 minutes. We found that 5-minute etching gave us the strongest PL intensity. We also found by atomic force microscopy( AFM) measurements that the surface fearure size became smaller for longer etching time and the average feature size of the etched Si wafer for 5-minute was about 1, 500~2, 000$\AA$. This indicates that the surface feature of the etched porous Si affects the PL intensity of the sample.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• v.41 no.1
• /
• pp.73.3-74
• /
• 2016

본 연구에서는 비구면 반사경의 형상오차를 3가지 방법으로 측정, 비교하였다. 실험에 사용한 포물면 반사경의 구경은 108 mm, 유효초점거리는 444.5 mm 이다. 첫 번째로 접촉식 형상측정방식인 FTS(Form TalySurf)를 이용하여 표면 거칠기와 반사경의 최적 곡률 반경(BestFitt Radius) 값을 측정하였다. 두 번째로는 비접촉식 형상측정방식인 UA3P(Ultrahigh Accurate 3-D Profilometer)를 이용하여 반사경의 형상 정밀도를 측정하였다. UA3P를 이용할 경우 반사경의 전체 형상을 측정할 수 있다. 세번째로 Shark-Hartmann 센서를 이용한 광학측정방법으로 반사경의 형상 정밀도를 측정하였다. 측정에 필요한 레이저 광학계는 레이저, 콜리메이터, 핀홀, 카메라 렌즈 및 비구면 광학계를 이용하여 설계하였다. 본 연구에서 도출한 각 측정 방법의 신뢰도를 바탕으로 간섭계 사용에 제약이 있는 자유형상곡면의 반사경 표면의 형상오차 측정에 적용할 계획이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.592-592
• /
• 2012

태양전지에서 고효율 달성을 위해 태양광을 더 많이 활용하기 위해서는 태양전지 표면에서의 광 반사를 줄여야 하는데 가장 효과적인 방법은 실리콘 기판의 wet etching 공정을 통한 텍스쳐링이다. 태양전지에서 가장 많이 사용되는 파장대역은 가시광선 영역인데 555 nm 파장에서 실리콘 표면의 total reflectance는 30.1%로 매우 높고 diffuse reflectance는 0.1%로서 무시할만큼 적다. 하지만 wet etching을 한 후 total reflectance는 18%까지 감소하였고, diffuse reflectance는 16%까지 증가하였다. 결정면에 따른 식각선택성을 이용하는 이방성 etching으로 V groove 모양의 표면형상을 얻을 수 있었고, 후속 등방성 etching을 하여 U groove 표면형상을 얻을 수 있었다. 또한 wet etching의 문제점중의 하나는 반응중에 생성되는 수소기체가 실리콘 표면에 부착되어 etching이 불균일하게 진행되는 것인데 초음파를 사용하여 이 문제를 해결하였다. 그리고 Etchant의 성분용액중 하나인 IPA의 농도조절을 통해 표면에 형성되는 피라미드의 크기를 조절할 수 있었다. 본 연구에서는 실리콘 표면형상의 각각 서로 다른 크기와 모양에 따라 태양전지를 만들었을 때 빛의 활용 측면에서 어떤 변화가 있고 얼마만큼의 효율변화가 있는지에 대해서도 알아보았다.