• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.24 no.4
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• pp.135-139
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• 2014

The hydride vapor phase epitaxy (HVPE) grown GaN samples to precisely measure the surface characteristics was applied to a molten KOH/NaOH wet chemical etching. The etching rate by molten KOH/NaOH wet chemical etching method was slower than that by conventional etching methods, such as phosphoric and sulfuric acid etching, which may be due to the formation of insoluble coating layer. Therefore, the molten KOH/NaOH wet chemical etching is a better efficient method for the evaluation of etch pits density. The grown GaN single crystals were characterized by using X-ray diffraction (XRD) and X-ray rocking curve (XRC). The etching characteristics and surface morphologies were studied by scanning electron microscopy (SEM). From etching results, the optimum etching condition that the etch pits were well independently separated in space and clearly showed their shape, was $410^{\circ}C$ and 25 min. The etch pits density obtained by molten KOH/NaOH wet chemical etching under optimum etching condition was around $2.45{\times}10^6cm^{-2}$, which is commercially an available materials.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.208-208
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• 2015

자동차 및 관련회사에서 표면처리 관련하여 품질 및 디자인 개선을 위한 제품을 지속적으로 요구 하고 있으며 각국의 환경규제에 대응하기 위한 방법을 연구 중에 있습니다. 이런 요구에 부합하는 신규제품을 소개하고자 합니다. 1. Chrome Free Etch: 6가크롬을 사용하지 않는 친환경 플라스틱 에칭 프로세스 2. Niflex: 휨성을 향상 시킨 아연니켈 합금도금 3. Electrolac UV: 저온경화및 플라스틱에 적용가능한 칼라 증착 도금 4. Xtra-form film: 눈부심방지 및 3D 디스플레이 개선을 위한 하드코팅필름

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.221-221
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• 2003

본 연구에서는 스핀밸브 다층박막에서 교환 바이어스에 영향을 끼치는 요인 중 하나인 강자성층과 반강자성층사이의 접합 계면에서의 표면 거칠기 [1,2]를 줄이기 위해 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 이온빔 에칭 장비를 사용하여 스핀 밸브 다층박막의 씨앗층 에칭에 따른 교환 바이어스를 알아보고자 하였다. 스핀밸브 구조는 강자성층/비자성층/강자성층의 기본구조를 갖는데 이중 하나의 강자성층의 스핀방향이 반강자성층에 의해 고정되는 구조[3]로써 이러한 고정 효과를 교환 바이어스(exchange bias)라 부른다. 교환 바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 나타나는 현상으로 이러한 교환 바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기 메모리소자에 응용되어 기존의 자기저항 소자의 특성을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.30 no.6
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• pp.638-643
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• 2013

Laser beam machining (LBM) is fast, contactless and able to machine various materials. So it is used to cut metal, drill holes, weld or pattern the imprinted surface. However, after LBM, there still leave burrs and recast layers around the machined area. In order to remove these unwanted parts, LBM process often uses electrochemical etching (ECE). But, the total thickness of workpiece is reduced because the etching process removes not only burrs and recast layers, but also the entire surface. In this paper, surface coating was performed using enamel after LBM on metal. The recast layer can be selectively removed without decreasing total thickness. Comparing with LBM process only, the surface quality of enamel coating process was better than that. And edge shape was also maintained after ECE.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.141-141
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• 2012

고종횡비 10:1 비아를 Si wafer 상에 형성하기 위해 $7{\mu}m$ 직경의 마스크로 포토작업하여 Cr층을 100nm 스퍼터링하여 PR(photo resistor) 대신의 에칭 barrier 막으로 사용하였다. 얼라인, 노광, 현상을 거쳐 Cr에칭, PR 제거후 ICP(inductively coupled plasma) 공정으로 Si deep etching하여 via 직경 $10.16{\mu}m$, 깊이 $102.5{\mu}m$의 고종횡비 비아를 형성하였다. 구리필링도금을 위해서 필수적인 seed layer는 단층 또는 다층의 금속막을 스퍼터링 법으로 형성하였다. 형성된 seed layer 단면을 FE-SEM(Field emission scanning electron microscope)으로 관찰하여 내부에 seed 층의 형성 유무를 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.17-18
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• 2005

실리콘 기판 위에 100nm의 선폭을 갖는 선들이 일정한 간격을 가지고 연속적으로 배열되어 있는 구조를 형성시켜 보았다. PMMA가 코팅되어 있는 실리콘 기판위에 전자빔으로 패턴을 하였고, 건식에칭을 통해 구조물을 형성한 후 원자 현미경으로 관찰하였다. 이러한 나노구조물의 구현은 전자빔 패터닝시에 전자빔이 실리콘 기판에 충돌할 때 나타나는 backward scattering과 proximity 효과 등의 영향으로 인해 pitch의 크기가 작아질수록 구현하기가 쉽지 않았다. 화합물반도체 단일 나노선 소자를 제작하여 소자의 전기적 특성을 측정할 때, 나노선 표면에 있는 자연산화막은 금속전극과 나노선 사이의 전기전도특성을 저해하는 요소로 알려져 있다. 이러한 자연산화막을 제거하기 위해 나노선을 건식에칭해 보았고, 원자현미경을 통해 에칭에 따른 나노선의 모양변화를 관찰하였다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.20 no.5
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• pp.557-560
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• 2009

In this study, a new wet etching method and the solution for thinning the glass with the thickness below $100{\mu}m$ were investigated. For the preparation of etching solution with low hydrofluoric acid, it was effective to use $NH_4F$ or $NH_4HF_2$ as a main ingredient with the addition of sulfuric acid or nitric acid. Influence of the composition of mixed acid solution and the temperature on the etching rate was investigated. The addition of anionic surfactant provides the function to prevent the adhesion of sludge generated by the etching reaction. A new wet etching pilot device equipped with streaming generation parts was used to test etching of commercial non-alkali glass and soda lime glass. The non-alkali glass with the thickness of 640 ${\mu}m$ and soda lime glass with the thickness of $500{\mu}m$ were etched to $45{\mu}m$ and $100{\mu}m$, respectively, by using the pilot device. After the etching by pilot device, the roughness degree of the glass surface was maintained at $0.01{\sim}0.02{\mu}m$.

• KSBB Journal
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• v.22 no.6
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• pp.433-437
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• 2007

A constant desire has been to fabricate nanopatterns for biochip and the Ultraviolet-nano imprint lithography (UV-NIL) is promising technology especially compared with thermal type in view of cost effectiveness. By using this method, nano-scale to micro-scale structures also called nanopore structures can be fabricated on large scale gold plate at normal conditions such as room temperature or low pressure which is not possible in thermal type lithography. One of the most important methods in fabricating biochips, immobilizing, was processed successfully by using this technology. That means immobilizing proteins only on the nanopore structures based on gold, not on hardened resin by UV is now possible by utilizing this method. So this selective nano-patterning process of protein can be useful method fabricating nanoscale protein chip.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.179-179
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• 2006

산업기술의 고도화에 따른 IT 산업의 급속한 발전으로 각종 전자, 정보통신기기에 대해 더욱 소형화 고성능화를 요구하고 있다. 이와 같은 경향에 따라 더욱 향상된 기능을 가지고 각종 소자 부품의 개발과 동시에 유독 물질 발생이 없는 청정생산기술 개발에 대한 요구가 끊임없이 제기 되어 왔다. 이러한 요구에 부응하여 기술들이 개발되고 있으며 그 중의 하나로 잉크젯 프린팅 기술이 연구되고 있다. 특히 Dod(Drop on Demand) 방식의 잉크젯은 가정용 프린터로 개발되어 널리 보급된 기술이지만, 이 기술을 PCB 제조기술에 전용하면 친환경 생산공정으로 부품 성장밀도를 증대 시킬 수 있다. 기존의 PCB 제조기술은 전극과 신호 패턴을 형성시키기 위하여 노광공정과 에칭공정을 반복적으로 사용하고 있는데, 노광공정에서 쓰이는 마스크와 유틸리티 설비 유지 비용의 문제가 대두되고 있다. 노즐로부터 분사된 잉크 액적들의 집합으로 기판위에 점/선/면의 인쇄이미지를 구현하게 된다. 그러므로 인쇄 해상도는 잉크액적 및 인쇄 방법, 기판과의 상호작용에 크게 의존하게 된다. 잉크 액적과 기판의 상호작용에 영향을 미치는 요소로는 잉크의 물리화학적 물성(밀도, 점도, 표면장력), 잉크 액적의 충돌 조건(액적 지름, 부피, 속도), 그리고 기판의 특성(친수/소수성, Porous/Nonporous, 표면조도 등)을 들 수 있겠다. 우선적으로 노즐을 통과해서 분사되는 액적의 크기에 따라 기판위에 형성되는 라인의 두께 및 폭이 결정된다. 떨어진 액적이 기판위에서 퍼지는 것을 UV 조사를 통한 가경화 과정을 통해서 최종적으로 라인의 투께 및 폭을 조절하려고 한다. 따라서 선폭 $75{\mu}m$의 일정한 미세 배선을 형성시키기 위해 액적 크기 조절과 탄착 resist 액적 표면의 UV 가경화 조건으로 구현하려고 한다. 또한 DPI(Dot Per Inch) 조절을 통한 인쇄로 탄착 resist의 두께 확보 후 에칭시 박리되는 현상을 억제 시키려 한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.4
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• pp.348-354
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• 1998

To investigate an influence of the thermal preheating for the substrates exerted on the heteroepilayers, the ZnTe epilayers are grown on the GaAs (100) at the substrate temperature of 450~$630^{\circ}C$ by hot wall epitaxy (HWE). For this purpose, double crystal rocking curve (DCRC) and photoluminescence (PL) are measured. The full width at half maximum of DCRC are the smallest in the ZnTe epilayers grown on the GaAs thermally etched at around both $510^{\circ}C$ and $590^{\circ}C$. However, at around $550^{\circ}C$ they increase due to the reconstruction of the atoms in the surface. And they increase due to the oxide layer at below $490^{\circ}C$ and due to the surface defects at above $610^{\circ}C$. From PL analysis, the full width at half maximum of the light hole exciton $X_{1s,th}$ and of the second-order Raman line increase at around $550^{\circ}C$. With the increasing preheating temperature, the intensities of Y-bands and of the oxygen bound exciton (OBE) peak related to an oxide layer on the GaAs surface generally decrease. From these experimental results, it's confirmed that the GaAs substrate thermally etched influences the ZnTe pilayers.