• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.335-335
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• 2012

높은 효율의 InGaN/GaN 전광소자는 현대 조명 산업에 필수적인 역할을 하고 있다. 전광소자의 효율을 높이는 데에는 여러가지 한계들이 있다. 예를 들면 높은 전류에서의 효율 저하, GaN의 전위결함에 의한 비발광 재결합의 발생 등이 있다. 이러한 한계를 극복하고자 InGaN/GaN 전광소자의 효율을 높이기 위해 사파이어 기판의 표면을 거칠게 바꾸는 방법, 무분극 전광소자, 표면 플라즈몬 등 여러가지 많은 방법들이 개발되고 있다. 본 실험에서는 유기금속화학증착 방법을 이용하여 사파이어 기판위에 Si이 도핑된 n-type GaN를 3.0 um 증착 하였고 그 위에는 9층의 양자 우물 층을 쌓았다. 마지막으로 위층은 Mg 이 도핑된 p-type GaN를 200 nm 증착 하여 소자를 형성하였다. 포토리소그래피 공정과 에칭공정을 통하여 7 um 인 선 패턴을 가진 시료를 완성하였다. 투과 전자 현미경의 측정 결과 맨 위층인 p-GaN의 에칭된 깊이는 175 nm 이였다. 금속박막을 증착하기 위해 열증착 방법으로 금과 은의 박막을 두께를 달리하여 0~40 nm증착 하였다. 금과 은의 두께에 따른 광발광 측정 결과 은(Ag)박막만 40 nm 일 경우 금속박막이 없는 시료보다 광발광 효율이 7배 증가하였고 금 10 nm와 은 30 nm 인 경우에는 3.5배 증가하였다. 또한 패턴의 폭에 따른 광발광 증가를 알아보고 광발광 증가가 일어나기 위한 최적의 패턴조건을 알고자 폭을 5, 10 um 달리하였고, 원자간 힘 현미경과 전자현미경을 이용하여 에칭된 패턴의 폭과 두께를 확인하였다. 본 실험을 통해 금과 은박막에 의한 표면플라즈몬 효과와 광발광 효율증대에 대해 토의할 것이다.

• Journal of Energy Engineering
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• v.23 no.2
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• pp.217-222
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• 2014

In order to improve the heat efficiency of the general residential boiler, we performed an experiment of condensation heat transfer to air pre-heating exchanger adhered to the condensing boiler. In this study, surface roughness was imposed on the surface of stainless steel by etching. And in order to evaluate the heat transfer performance on each plate, the counter flow heat exchanger fabricated with polycarbonate in used. As a result, on etching treated plate's overall heat transfer coefficient is higher than the original plate. And etching treated plate during 60 seconds with etchant is the to average 15% compared to bare stainless steel. And we studied the heat transfer enhancement factor through the analysis of surface characteristics using AFM.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.16 no.4
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• pp.55-60
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• 2009

Porous silicon film is fabricated by electrochemical etching in a chemical mixture of HF and ethanol. Effects of Si type, Si resistivity, ultrasonic frequency, current density and etching time on surface morphology of PS film were studied. Electrochemical etching in ultrasonic bath promotes the uniformity of porous layer of Si. Frequency of ultrasonic was increased from 40 kHz to 130 kHz to obtain uniform pores on the Si surface. When current density was higher, the sizes of pores were larger. The new etching cell using back contact metal and current shield help to overcome nonhomogeneity and current crowding effect, and then leads to fabricate uniform pores on the Si surface. The distribution of pore size shows no notable tendency with etching time.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.3
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• pp.282-286
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• 1997

Reactive ion etching (RIE) characteristics of InP in the $Cl_2$/ CH_4/H_2$ discharges was investigated, as a function of the rf power, substrate temperature and gas composition. It was observed that the etch rate increased as the rf power, sample temperature and/or $Cl_2$ gas concentration increased. Etch rate of about 0.9$\mu\textrm{m}$/min was obtained at the optimum condition of 150W rf power, $180^{\circ}C$ substrate temperature and $10Cl_2$ /$5CH_4/85H_2$ gas ratio. Polymer formation was completely suppressed by adding $Cl_2$ to the $CH_4$ /$H_2$ discharges.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.94-94
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• 2009

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1998.05a
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• pp.135-135
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• 1998

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.157-158
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• 2013

차세대 고품질 대면적 평판 디스플레이의 투명전극으로서 ITO 박막은 제조 공정에 따라 낮은 비저항뿐만 아니라 좋은 에칭특성 및 기계적 특성을 갖는 비정질 ITO 박막을 필요로 한다. 따라서 불순물 X를 도입하여 초기 박막 핵생성 밀도 및 핵성장을 제어하여 비정질 ITO:X 박막을 제작하고, 전기적, 미세구조적 및 에칭특성 등 물성 변화를 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.262-262
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• 2015

내화학성이 우수하여 화학적 에칭이 어려운 고분자 물질위에 무전해 도금을 실시하기 위하여 흡착식의 촉매 활성화 처리방법이 아닌 졸-겔 코팅공정을 이용한 촉매 활성화 처리공정을 실시하였다. 이러한 공정으로 에칭공정 없이 실리콘 고무위에 무전해 도금이 가능함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.115-115
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• 2011

고성능 금속 커패시터 개발을 목적으로 aluminum film에 균일한 etch fit를 형성하는 연구를 진행하였다. Etch mask로 PI를 사용하여 Aluminum film에 균일한 형태의 etch fit를 형성하였다. 균일하게 에칭 된 aluminum film들은 capacitance를 측정하여 에칭 조건에 따른 capacitance 변화를 확인하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.12 no.6
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• pp.2735-2738
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• 2011

To obtain the Si solar cells, the Si-wafers were textured by using the IPA+DI water mixed solution with KOH acids during the various 1~40 minutes at the temperature with $80^{\circ}C$, respectively. The samples were analyzed by the scanning electron microscopy for the surface images and the solar simulation for I-V measurement system. It was researched the correlation between the efficiency of solar cells and the effect of texturing. From the results of the surface images obtained by SEM, the efficiency was increased at the sample textured uniformly, and the efficiency of over etched-samples decreased.